91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SDRAM的功耗來源?

ss ? 來源:宇芯電子 ? 作者:宇芯電子 ? 2020-12-06 07:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在現代的通信及基于FPGA的圖像數據處理系統中,經常要用到大容量和高速度的存儲器。SDRAM有一個同步接口,在響應控制輸入前會等待一個時鐘信號,這樣就能和計算機的系統總線同步。在各種的隨機存儲器件中,SDRAM的價格低,體積小和速度快,容量大等優(yōu)點而獲得大家的青睞。

SDRAM功耗來源

SDRAM內部一般分為多個存儲體,通過行、列地址分時復用,系統地址總線對不同存儲體內不同頁面的具體存儲單元進行尋址。SDRAM每個存儲體有即激活狀態(tài)和關閉狀態(tài)2個狀態(tài),。在一次讀寫訪問完畢后,維持存儲體激活狀態(tài)稱為開放的頁策略(open-page policy) ,頁面寄存器中保存已經打開的行地址,直到它不得不被關閉,比如要執(zhí)行刷新命令等;訪問完畢后關閉存儲體稱為封閉的頁策略(close-page policy)。

為了更好地決定選擇哪種策略,需要熟悉SDRAM 功耗的特點。SDRAM的功耗主要有激活關閉存儲體、讀寫和刷新3個來源。在大部分程序中,激活關閉存儲體引起的功耗占到訪存操作的總功耗的一半以上I3。圖1給出了對同一SDRAM行進行讀寫時,采用開放的頁策略和封閉的頁策略的功耗比較(假設激活關閉存儲體一次消耗功耗為1) ,經計算可知,若連續(xù)的幾個讀寫操作在同一行,采用開放的頁策略可以節(jié)省功耗。

圖1開放的頁策略和關閉的頁策略的功耗比較

根據上面對SDRAM功耗的特點的分析可知,盡量減少激活/關閉存儲體引起的附加功耗開銷,是優(yōu)化SDRAM存儲系統功耗的根本,另外不能忽視一直處于激活狀態(tài)的存儲體帶來的功耗。

責任編輯:xj

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • FPGA
    +關注

    關注

    1660

    文章

    22408

    瀏覽量

    636241
  • SDRAM
    +關注

    關注

    7

    文章

    457

    瀏覽量

    57682
  • 通信
    +關注

    關注

    18

    文章

    6391

    瀏覽量

    140038
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    功耗視角選 LoRa 模塊,哪些才是影響電池壽命的因素?

    功耗視角選擇 LoRa 模塊,需重點關注睡眠電流、接收電流與發(fā)射空口時間三大因素。本文通過對比 LR1121 平臺模塊實測數據,結合功耗預算公式,幫你判斷不同場景下的耗電來源,實現更精準的低
    的頭像 發(fā)表于 02-26 14:36 ?231次閱讀
    用<b class='flag-5'>功耗</b>視角選 LoRa 模塊,哪些才是影響電池壽命的因素?

    256Mb SDRAM:高性能存儲解決方案的深度剖析

    256Mb SDRAM:高性能存儲解決方案的深度剖析 在當今的電子設備中,內存的性能對系統的運行效率起著至關重要的作用。256Mb SDRAM作為一款經典的動態(tài)隨機存取存儲器,以其高速、穩(wěn)定的特性
    的頭像 發(fā)表于 02-03 17:25 ?1036次閱讀

    256Mb x4、x8、x16 SDRAM特性解析與應用指南

    256Mb x4、x8、x16 SDRAM特性解析與應用指南 在電子設計領域,SDRAM作為關鍵的存儲器件,其性能和特性對系統的整體表現起著至關重要的作用。今天,我們就來深入探討一下256Mb x4
    的頭像 發(fā)表于 02-02 16:05 ?348次閱讀

    DDRX SDRAM中的預取技術說明

    DDRX SDRAM外部接口數據傳輸率需要不斷提高(從DDR到DDR5),內存芯片內部的DRAM存儲單元(電容陣列)的物理訪問速度有上限,無法隨著接口速度的線性增長。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:39 ?1564次閱讀
    DDRX <b class='flag-5'>SDRAM</b>中的預取技術說明

    如何評估SDRAM的有效帶寬

    在進行電子系統設計時,我們經常會用到SDRAM(SDR SDRAM或者DDRX SDRAM)作為緩沖單元,但是如何評估SDRAM的有效帶寬呢(評估有效帶寬才能夠了解當前緩沖單元以及驅動
    的頭像 發(fā)表于 01-12 09:17 ?333次閱讀
    如何評估<b class='flag-5'>SDRAM</b>的有效帶寬

    DDR3 SDRAM參考設計手冊

    電子發(fā)燒友網站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-05 17:04 ?8次下載

    在極海APM32系列MCU中如何把代碼重定位到SDRAM運行

    在有些情況下,我們想要把代碼放到SDRAM運行。下面介紹在APM32的MCU中,如何把代碼重定位到SDRAM運行。對于不同APM32系列的MCU,方法都是一樣的。
    的頭像 發(fā)表于 11-04 09:14 ?5173次閱讀
    在極海APM32系列MCU中如何把代碼重定位到<b class='flag-5'>SDRAM</b>運行

    請問keil+Env怎么把很大的數組定義到SDRAM中?

    keil+Env怎么把很大的數組定義到SDRAM中? RTT自帶的SDRAM程序運行正常,能夠申請里面的空間。 但是沒有辦法把很大的數組——ltdc_lcd_framebuf[1280][800] 定義到SDRAM中,一運行就出
    發(fā)表于 10-11 16:10

    高速/低功耗/高性價比的 HyperRam 應用

    : 擴展 MCU 外部數據 RAM 超低功耗 簡單的接口設計,可高效利用 PCB 空間 SDRAM 擴展解決方案的經濟高效的替代方案 Hyper Bus 接口由 13 條數據和控制線組成,確保緊湊的設計并
    發(fā)表于 09-05 06:06

    F429同時使用SDRAM和SRAM?

    兩個總線能不能同時使用,用了華邦的SDRAM發(fā)現SDRAM數據高概率讀寫錯誤,但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
    發(fā)表于 08-12 06:56

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品,相較于DDR2,DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:42 ?4168次閱讀
    DDR3 <b class='flag-5'>SDRAM</b>配置教程

    rt1052 sdram從32mb更換到8mb不能使用問題

    使用的sdram型號是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用,請問1052支持嗎?需要修改哪些配置,請大神講解一下
    發(fā)表于 04-08 19:40

    多層級低功耗設計技術解析

    單元狀態(tài)翻轉時負載電容充放電產生的能耗 短路功耗?:輸入信號跳變過程中NMOS/PMOS瞬時導通形成的直通電流,與信號邊沿速率和負載電容相關 靜態(tài)功耗? 晶體管關斷狀態(tài)下的漏電流來源: 亞閾值漏電流(弱反型層導通) 柵氧化層隧穿
    的頭像 發(fā)表于 04-08 10:41 ?950次閱讀

    請問RT1176與DDR SDRAM兼容?

    RT1176 與 DDR SDRAM 兼容嗎?
    發(fā)表于 04-04 06:09

    STM32H743或者是STM32F767讀取NAND時候直接將數據存放到SDRAM中會出錯,請問NAND跟SDRAM不能同時訪問么?

    SDRAM和NAND都使能了,都能正常工作,但是讀取Nand數據然后存放到SDRAM中,發(fā)現SDRAM中的數據是錯誤的。但是將數據存到內部的IRAM中數據是正確的。請問NAND跟SDRAM
    發(fā)表于 03-11 08:13