今日啟迪股份技術(shù)總監(jiān)鈕應(yīng)喜博士發(fā)表了題為“碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和裝備”的主題演講。

鈕應(yīng)喜博士指出，GaN/SiC器件的應(yīng)用可以提供高頻、高校、高功率密度的設(shè)計(jì)，其中，SiC器件對(duì)于提升效率降低裝置損耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能具有重要意義，因此應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。

2019年，SiC電子器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)5.6億美元，預(yù)計(jì)2024年將超19億美元。中低壓需求較為強(qiáng)勁的是新能源汽車(chē)，“十四五”將是新能源汽車(chē)的爆發(fā)期，同時(shí)將拉動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。

鈕應(yīng)喜博士表示，SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括晶體、襯底、外延、器件、模塊和系統(tǒng)。SiC材料上國(guó)內(nèi)主要是4英寸，6英寸在擴(kuò)展中，8英寸處于研發(fā)階段。

其中，SiC襯底市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、歐洲、日本壟斷，面對(duì)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)形勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商紛紛布局，近幾年，國(guó)內(nèi)開(kāi)展相關(guān)項(xiàng)目30余個(gè)。

最后，鈕應(yīng)喜博士指出在SiC單晶、襯底領(lǐng)域，應(yīng)優(yōu)化技術(shù)，降低成本，加快6英寸產(chǎn)能擴(kuò)充，突破8英寸技術(shù)攻關(guān)；在SiC外延領(lǐng)域，應(yīng)加快國(guó)產(chǎn)設(shè)備、輔助材料以及石墨件研發(fā)進(jìn)度。

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