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溫度變化會(huì)對(duì)壓電陶瓷造成哪些影響

牽手一起夢(mèng) ? 來源: 芯明天壓電納米運(yùn)動(dòng) ? 作者:佚名 ? 2020-12-07 15:58 ? 次閱讀
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使用壓電陶瓷的環(huán)境復(fù)雜多變,特別是溫度,可能有著較大的波動(dòng),想了解溫度對(duì)壓電陶瓷的影響,下面給大家具體介紹下。

1 居里溫度

居里溫度取決于壓電材料。通常,疊堆壓電陶瓷的居里溫度為150℃或340℃。高壓陶瓷居里溫度點(diǎn)為215℃或340℃。如果材料超過居里溫度點(diǎn),那么鐵電特性和壓電特性會(huì)消失。所以在居里溫度點(diǎn)以下工作非常重要。如果壓電陶瓷被加熱達(dá)到居里溫度,會(huì)因溫度產(chǎn)生退極化。如果材料退極化,壓電效應(yīng)會(huì)消失。如果工作在靜態(tài)或者準(zhǔn)靜態(tài)條件下,陶瓷生熱可以被忽略。在動(dòng)態(tài)工作的時(shí)候需要考慮(動(dòng)態(tài)使用發(fā)熱大)。

2溫度特性

溫度變化是影響壓電陶瓷定位精度的一個(gè)非常重要的因素,壓電陶瓷的性能會(huì)隨溫度的改變而產(chǎn)生明顯的變化。疊堆共燒壓電陶瓷的使用溫度為-25℃~+80℃。超過100℃以上使用,陶瓷的性能會(huì)大幅下降,溫度升高壓電陶瓷的位移會(huì)受到一定程度的影響。

如果將陶瓷加熱到居里溫度點(diǎn),陶瓷將會(huì)退極化,壓電效應(yīng)將會(huì)隨之消失,且不可恢復(fù)。

當(dāng)溫度比室溫低時(shí),壓電效應(yīng)隨之降低。在溫度<260K時(shí),大約每K損失0.4%的伸長量,在液態(tài)氮環(huán)境下,陶瓷的伸長量約為室溫環(huán)境下的10%左右。

熱膨脹系數(shù):

低壓疊堆陶瓷軸向熱膨脹系數(shù)為 -5ppm/℃;

高壓疊堆陶瓷軸向熱膨脹系數(shù)為 +2ppm/℃。

壓電陶瓷低溫位移變化:

與室溫環(huán)境相比,低溫環(huán)境下不同電壓對(duì)應(yīng)的位移要相對(duì)減小。

壓電陶瓷位高溫位移變化:

與室溫環(huán)境相比,高溫環(huán)境下陶瓷高度減小,但是位移行程相對(duì)不變。

壓電陶瓷的遲滯隨著溫度的下降而降低。壓電陶瓷的遲滯是鐵電極化的結(jié)果,在非常低的溫度,例如4K時(shí),電偶極子幾乎沒有變化(電疇轉(zhuǎn)變),所以遲滯非常低。而在室溫范圍內(nèi),溫度變化對(duì)遲滯變化的影響是非常小的,可以忽略不計(jì)。下圖為溫度在4K和300K時(shí),壓電陶瓷遲滯的變化曲線。

適用于低溫及高溫下的壓電運(yùn)動(dòng)產(chǎn)品。

1、低溫環(huán)境壓電定位臺(tái)

XD103系列壓電納米定位臺(tái)是專為極低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境而研發(fā)設(shè)計(jì),采用低溫壓電驅(qū)動(dòng),外殼采用輕型材料。芯明天XD103為XY二維掃描運(yùn)動(dòng),它的體積小巧,尺寸僅33×33×14.6mm,中心具有10×10mm通孔。所有組件均采用低溫強(qiáng)磁兼容版本,以保證其在低溫強(qiáng)磁下的性能。

特點(diǎn)

耐低溫可達(dá)4K

耐強(qiáng)磁

4K 溫度下位移達(dá)10μm@150V

分辨率可達(dá)0.5nm

開環(huán)驅(qū)動(dòng),快速響應(yīng)

4K溫度下技術(shù)參數(shù)

型號(hào):XD103.XY50K

運(yùn)動(dòng)方向:X、Y

標(biāo)稱行程范圍:10μm

驅(qū)動(dòng)電壓:0~150V

開環(huán)分辨率:0.5 nm

空載諧振頻率:500Hz

帶載150g諧頻:160 Hz

電容量:0.75μF/軸

材料:鈦合金、鋁

承載:達(dá)150 g

重量:80 g

2、高溫壓電陶瓷

高壓壓電陶瓷

高溫高壓壓電陶瓷疊堆促動(dòng)器工作溫度可高達(dá)200℃,出力可達(dá)50000N,位移可達(dá)100μm以上。高壓疊堆陶瓷因其出力大、靜電容量低等特點(diǎn),非常適用于大負(fù)載以及加載預(yù)載力后的動(dòng)態(tài)應(yīng)用。

高溫壓電陶瓷堆棧

高溫壓電陶瓷堆棧是是專為在高溫和高頻率下工作而設(shè)計(jì)的。工作溫度上限可達(dá)200℃,并與高頻工作相結(jié)合,非常適合高溫和高頻的應(yīng)用場(chǎng)合。它的驅(qū)動(dòng)電壓為200V,位移可達(dá)45μm以上,標(biāo)準(zhǔn)截面尺寸為3×3mm或5×5mm。

責(zé)任編輯:gt

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