Intel10nm產(chǎn)能明年將超14nm
最快明年1月份，Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm，產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過14nm工藝，成為第一大主力。
如果從2014年的Broadwell算起，Intel的14nm工藝問世已經(jīng)6年了，這幾乎是Intel工藝中最長(zhǎng)壽的一代了，這么多年來(lái)都是偏愛有加，這不是沒有原因的。
根據(jù)Intel技術(shù)開發(fā)高級(jí)副總、總經(jīng)理Ann B. Kelleher的說法，14nm工藝具備最好的性能和產(chǎn)能，比她在Intel公司工作了24年見過的所有工藝都要好。
目前14nm產(chǎn)能依然滿載，Intel四座晶圓廠——分別位于愛爾蘭、以色列、亞利桑那及俄勒岡州的工廠都已經(jīng)滿載生產(chǎn)。
接下來(lái)是10nm工藝，她表示2021年10nm工藝產(chǎn)能將超過14nm，Intel還在不斷提升10nm產(chǎn)能，不過Ice Lake用的10nm工藝壽命周期只有14nm的四分之一左右。
Intel現(xiàn)在的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了10nm SF工藝，也就是現(xiàn)在的二代10nm工藝，SuperFin晶體管對(duì)工藝性能提升很大。
至于未來(lái)的7nm及5nm工藝，Intel明年初會(huì)公布7nm進(jìn)度，目前還在俄勒岡州、愛爾蘭的晶圓廠準(zhǔn)備廠房空間，以便為7/5nm工藝的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。
當(dāng)然，現(xiàn)在是沒有、也不會(huì)公布具體的進(jìn)度表的，一切要等明年的信息再說。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20250瀏覽量
252209 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3508瀏覽量
191265 -
10nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
164瀏覽量
30520
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
脈銳光電980nm波段ASE寬帶光源產(chǎn)品介紹
脈銳光電的980nm ASE寬帶光源基于稀土摻雜光纖的自發(fā)輻射放大機(jī)制，在980nm中心波長(zhǎng)處實(shí)現(xiàn)光譜寬度約10nm、輸出功率達(dá)10mW的穩(wěn)定輸出。該光源兼具較高功率、優(yōu)異的光譜平滑度
脈銳光電1064nm單頻窄線寬光纖激光器介紹
脈銳光電1064nm單頻窄線寬光纖激光器采用光纖DFB激光腔結(jié)構(gòu)，輸出波長(zhǎng)1064nm波段的單縱模窄線寬連續(xù)激光，光譜線寬小于20kHz，輸出光譜邊模抑制比超過60dB。該激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的單頻單縱模輸出，具有更高的可靠性。是精密測(cè)量、
國(guó)產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” 了？這家企業(yè)的 14nm 制程，已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…
的控制芯片，甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器，都能看到它的身影。
之前總擔(dān)心國(guó)產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”，但查了下中芯國(guó)際的最新動(dòng)態(tài)：2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%，良率穩(wěn)定
發(fā)表于 11-25 21:03
今日看點(diǎn)丨三星美國(guó)廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識(shí)辦法》正式生效
三星美國(guó)廠2nm 產(chǎn)線運(yùn)作 美國(guó)2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國(guó)德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳出繼續(xù)運(yùn)作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內(nèi)量
發(fā)表于 09-02 11:26
?1746次閱讀
銀月光655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，賦能生發(fā)設(shè)備新升級(jí)
深圳市銀月光科技推出655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，融合高效光束與殺菌抑炎功能，助力高端生發(fā)設(shè)備，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
從14nm到3nm：AI ASIC算力、能效雙突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2025年，全球AI芯片市場(chǎng)正迎來(lái)一場(chǎng)結(jié)構(gòu)性變革。在英偉達(dá)GPU占據(jù)主導(dǎo)地位的大格局下，ASIC（專用集成電路）憑借針對(duì)AI任務(wù)的定制化設(shè)計(jì)，成為推動(dòng)算力革命的新動(dòng)力引擎。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)AI芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2024年的1425億元迅猛增長(zhǎng)至2029年的1.34萬(wàn)億元，其中，ASIC架構(gòu)產(chǎn)品將在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。 ? AI ASIC是專為人工智能算法打造的專用集成電路。其核心特征在于，通過硬件層面的深度定制，在特定場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)極
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
超窄帶低波數(shù)拉曼濾光片的新升級(jí)（from 360-3000nm）
超窄帶低波數(shù)拉曼濾光片的新升級(jí)from360nmto3000nm超窄帶陷波濾光片（BraggNotchFilter，簡(jiǎn)稱BNF）和帶通濾光片（BraggBandpassFilter,簡(jiǎn)稱BPF
見合八方發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品
天津見合八方光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“見合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同時(shí)，850nm SOA也在測(cè)試驗(yàn)證階段，即將發(fā)布。
廣明源172nm晶圓光清洗方案概述
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
超窄帶低波數(shù)拉曼濾光片的新升級(jí)（from 350nm to 3000nm）
超窄帶陷波濾光片（Bragg Notch Filter，簡(jiǎn)稱BNF）和帶通濾光片（Bragg Bandpass Filter,簡(jiǎn)稱BPF）是目前實(shí)現(xiàn)超低波數(shù)拉曼光譜(通常50cm-1以下才稱為超低波數(shù)拉曼)測(cè)量常用的方法。設(shè)計(jì)波長(zhǎng)覆蓋350-3000nm波段，超低波數(shù)拉曼
突破14nm工藝壁壘：天準(zhǔn)科技發(fā)布TB2000晶圓缺陷檢測(cè)裝備
TB2000已正式通過廠內(nèi)驗(yàn)證，將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)（T0-117）現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點(diǎn)后，天準(zhǔn)在高端檢測(cè)裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)
臺(tái)積電2nm制程良率已超60%
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或將率先采用這一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但
手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代，首發(fā)不是蘋果？
積電2nm ? 根據(jù)以往進(jìn)度，蘋果將大概率成為臺(tái)積電2nm工藝的首家客戶，而臺(tái)積電也會(huì)優(yōu)先將2nm制造產(chǎn)能供應(yīng)給蘋果公司。 ? 此前，iPh
發(fā)表于 03-14 00:14
?2714次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論