終于突破了，中國芯傳來好消息，制造高端芯片的兩大難點被解決！

截至2019年，我國芯片自給率僅有30%。

這意味著，國內超過70%的芯片，都是通過進口渠道獲得，這是一個相當可怕的數據。70%的芯片都需要進口，這揭示出兩個讓人無奈的事實。第一，我國每年需要拿出一大筆錢對外購買芯片；第二，我們隨時都面臨著被斷供芯片的危機。

而更糟糕的是，現在第二個事實已經在部分中企身上應驗了。美國之所以對華為實行芯片斷供，就是因為其看到了我國在芯片制造領域的巨大短板。

必須要解決國內芯片領域的短板！

不然，華為今天的遭遇，將會原封不動地降臨到其他中國企業(yè)身上。

值得慶幸的是，華為今天的遭遇，已經引起我們國家重視。在今年8月，國家出臺了多項扶持國內半導體產業(yè)的政策，同時，國家還定下計劃，在2025年，中國芯片自給率必須要達到70%。

五年時間，讓國內芯片的自給率從30%飆升至70%，這是一個相當大的目標，也很不好實現。當然，不好實現，并不意味著不可能實現。特別是，近段時間國內半導體公司頻頻傳來捷報，更是助長了全體國人的信心。

就在本月，中國芯傳來好消息！終于突破了，制造高端芯片的兩大難點被中國成功解決！

先說高端芯片制造的第一大難點：在芯片制造過程中，光刻膠是不可或缺的材料。而以往，國內只能制造生產低端芯片的光刻膠，而生產高端芯片所需的光刻膠，則幾乎都被日韓半導體企業(yè)所壟斷。

這就導致，如果我國想制造高端芯片，那就必須向日韓光刻膠制造商購買，而只能對外采購，無疑會極大地降低中國芯的抗風險能力。值得欣慰的是，現在高端光刻膠的問題終于突破了！

就在幾天前，寧波南大光電發(fā)布重要公告，內容大意是：該司生產的高端ArF光刻膠已經通過各項測試，良品率達標。據介紹，南大光電此次通過測試的ArF光刻膠，可以用于90nm-7nm技術節(jié)點的集成電路制造工藝。

可用于90nm-7nm工藝，這意外著，后續(xù)我國在生產高端芯片時，無需再擔心沒有自主可控的高端光刻膠可用的問題。

而除了實現高端光刻膠國產化的目標外，在高端芯片封測的這一大難題上，我們也終于取得突破！可能有人還不了解，芯片制造的最后環(huán)節(jié)，就是封測。而封測技術的強弱，則將決定一顆芯片是否好用。

特別是高端芯片，封測步驟更是至關重要，也是一大難點！而在此之前，國內企業(yè)掌握的封測技術，都較為低端，無法用于高端芯片。

但如今，國內的歐菲光集團正式傳來好消息，該司已成功研發(fā)半導體封裝用高端引線框架。據悉，這一次歐菲光集團研發(fā)的“引線框架”，就是一種較為先進的封測技術，可用于高端芯片的封測！

一個月之內傳來兩個有關高端芯片制造的捷報，不少國內網友也是感慨道：越來越有信心了，照這個速度，等到了2025年，我們還真的有可能實現芯片自給率達到70%的目標。

事實上，這并非網友盲目樂觀，因為在上述兩家國內半導體公司傳來突破的消息之前，中芯國際還傳來一個重磅消息，其研發(fā)的N＋1芯片制程工藝已經成功流片。

而根據測試，用中芯國際N＋1工藝制造的芯片，整體水準與臺積電生產的7nm芯片相當接近。

解決了高端光刻膠、高端芯片封測技術這兩個大難題，再加上中芯國際也已經可以制造水平接近臺積電7nm的芯片。

這意味著，我國已經初步具備生產高端芯片的基礎。后續(xù)隨著這三家的技術進一步完善，五年后，我國確實有望實現芯片自給率達到70%的目標。

而美國的封鎖，也將不攻自破！
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