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中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展存在怎樣的困境?

我快閉嘴 ? 來(lái)源:中國(guó)科學(xué)報(bào) ? 作者:駱軍委 ? 2020-12-25 16:36 ? 次閱讀
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經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,半導(dǎo)體已經(jīng)長(zhǎng)成為一個(gè)巨人,1美元半導(dǎo)體產(chǎn)品可以撬動(dòng)100美元GDP。

上個(gè)月,美國(guó)兩黨參議院先后提出《為半導(dǎo)體生產(chǎn)建立有效激勵(lì)措施》《美國(guó)晶圓代工業(yè)法案》,呼吁投入370億美元以維護(hù)本土半導(dǎo)體戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

資本和研發(fā)投入對(duì)保持半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要。而中國(guó)要想爬上這個(gè)巨人的肩膀,眼前要邁過(guò)的坎不只是錢(qián)和研發(fā)這么簡(jiǎn)單。

中科院半導(dǎo)體研究所研究員、半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任駱軍委和中科院院士李樹(shù)深曾花了10個(gè)月的時(shí)間進(jìn)行調(diào)研,摸清了中國(guó)半導(dǎo)體科技發(fā)展的真實(shí)現(xiàn)狀,以詳實(shí)的數(shù)據(jù)和資料闡述了當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體科技面臨的八大困境。

困境1:歷史積累厚、技術(shù)更新快

2015年,作為全球手機(jī)芯片霸主的高通宣布進(jìn)軍服務(wù)器芯片市場(chǎng),并正式對(duì)外展示了其首款服務(wù)器芯片,不到3年就遭遇重重挫折而退出;從2010年到2019年,英特爾在移動(dòng)芯片努力了十年,但始終未能撼動(dòng)高通的地位,最終先后放棄了移動(dòng)處理器和手機(jī)基帶芯片兩大業(yè)務(wù),告別了移動(dòng)市場(chǎng)。

這兩個(gè)例子告訴我們,即使是財(cái)大氣粗的高通和英特爾,想要在半導(dǎo)體領(lǐng)域拓展新的市場(chǎng),都是九死一生。半導(dǎo)體并不是有錢(qián)就能干的。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的特點(diǎn)是性能為王、市場(chǎng)占有率為王。它一方面需要長(zhǎng)期的歷史積累,另一方面還要應(yīng)對(duì)技術(shù)的快速更迭。

常有人把半導(dǎo)體研究與兩彈一星作比較,認(rèn)為中國(guó)人能做出兩彈一星這樣的尖端科技,半導(dǎo)體也理應(yīng)如此。但人們忽視了,兩彈一星技術(shù)一旦掌握,自我更新速度較慢。半導(dǎo)體是按照摩爾定律高速發(fā)展的,單位芯片晶體管數(shù)量每18個(gè)月增長(zhǎng)一倍。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,落后一年都不行。一步慢,步步慢!

困境2:研發(fā)成本大、進(jìn)入門(mén)檻極高

國(guó)際半導(dǎo)體大公司的平均研發(fā)投入長(zhǎng)期保持在營(yíng)業(yè)額的20%。2016年,研發(fā)支出大于10億美元的全球半導(dǎo)體公司有13家,前十名的投入總計(jì)353.95億美元,其中英特爾高達(dá)127億美元,2019年增長(zhǎng)為314億美元。

困境3: 產(chǎn)業(yè)鏈條長(zhǎng),擁有最尖端的制造水平

在過(guò)去半個(gè)世紀(jì)里,以8個(gè)諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)12項(xiàng)發(fā)明為代表的研究成果奠定了半導(dǎo)體科技。要支撐半導(dǎo)體技術(shù)頂層應(yīng)用,從材料、結(jié)構(gòu)、器件到電路、架構(gòu)、算法、軟件,缺一不可。

從沙子到芯片,總共有6000多道工序,前5000道工序是從沙子到硅晶片。目前,中國(guó)12英寸硅晶片基本依賴(lài)進(jìn)口,無(wú)法自主生產(chǎn)。

有了硅晶片之后,集成電路產(chǎn)線(xiàn)中的芯片制造又有300多道工序,其中100道與光刻機(jī)相關(guān)。光刻工藝是半導(dǎo)體制程中的核心工藝,也是尖端制造水平的代表。一套最先進(jìn)的阿斯麥nxe3350B EUV光刻機(jī)售價(jià)為1.2億美元,并且是非賣(mài)品。

另外,半導(dǎo)體芯片制造涉及19種必須的材料,大多數(shù)材料具有極高的技術(shù)壁壘。日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域長(zhǎng)期保持著絕對(duì)的優(yōu)勢(shì),硅晶圓、化合物半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料等14種重要材料占了全球50%以上的份額。像光刻膠這樣的材料,有效期僅為三個(gè)月,中國(guó)企業(yè)想囤貨都不行。

中國(guó)的化學(xué)很強(qiáng),化工卻很弱。目前,國(guó)內(nèi)芯片制造領(lǐng)域所有的化學(xué)材料、化工產(chǎn)品幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口。

困境4:受到世界主要發(fā)達(dá)國(guó)家的技術(shù)限制

1美元半導(dǎo)體產(chǎn)品可以撬動(dòng)100美元GDP,任何國(guó)家都想牢牢抓住這一產(chǎn)業(yè)。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)的預(yù)測(cè),增加1美元半導(dǎo)體科研經(jīng)費(fèi),可以使GDP提高16.5美元,這樣的投入很“劃算”。

1986年,日本超越美國(guó)成為世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó),美國(guó)為了打壓日本,一方面出臺(tái)各種政策鼓勵(lì)其國(guó)內(nèi)企業(yè)研發(fā)制造,另一方面在1986年簽訂了《美日半導(dǎo)體協(xié)議》,限制日本半導(dǎo)體對(duì)美國(guó)的出口,同時(shí)要求日本必須進(jìn)口20%的半導(dǎo)體產(chǎn)品,從而在1992年重新奪回世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)的地位。

如今,美國(guó)面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)者同樣是步步緊逼。

2017年,白宮出臺(tái)《確保美國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期領(lǐng)先地位》的報(bào)告,包括美國(guó)總統(tǒng)科技和政策辦公室主任以及各大半導(dǎo)體企業(yè)、投資機(jī)構(gòu)、咨詢(xún)公司CEO和科研機(jī)構(gòu)頂級(jí)專(zhuān)家組成的工作組,提出了一系列建議和措施。

其中就包括:建立新的機(jī)制,讓企業(yè)的專(zhuān)家參與半導(dǎo)體政策和挑戰(zhàn);成倍增加政府投入半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究經(jīng)費(fèi);實(shí)施企業(yè)稅收政策改革;實(shí)施包括通用量子計(jì)算機(jī)、全球天氣預(yù)測(cè)網(wǎng)、實(shí)時(shí)生化恐怖襲擊探測(cè)網(wǎng)等一些列“登月”挑戰(zhàn)計(jì)劃來(lái)促使半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新。

尤其值得注意的是,報(bào)告還提到,要?jiǎng)佑脟?guó)家安全工具應(yīng)對(duì)中國(guó)的企業(yè)政策;加強(qiáng)全球出口控制和內(nèi)部投資安全(防止中國(guó)產(chǎn)生獨(dú)有技術(shù))。

困境5:人才短缺嚴(yán)重、學(xué)科發(fā)展不平衡

迄今為止,半導(dǎo)體領(lǐng)域的8個(gè)諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)12項(xiàng)發(fā)明絕大部分來(lái)自美國(guó)。美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)的特點(diǎn)是自下而上,從半導(dǎo)體物理、材料、結(jié)構(gòu)、器件逐步上升到應(yīng)用層面,專(zhuān)業(yè)設(shè)置和人才隊(duì)伍非常完整。

中國(guó)則恰恰相反,是自上而下。優(yōu)先關(guān)注應(yīng)用層面,比如集成電路、人工智能,然后才開(kāi)始局部往下延伸。它帶來(lái)的根本問(wèn)題是,投資和研發(fā)經(jīng)費(fèi)層層截留,越往底層的基礎(chǔ)研究越拿不到經(jīng)費(fèi),人才蓄水池很小,于是造成了嚴(yán)重的學(xué)科發(fā)展不平衡。

我們通過(guò)中美高校專(zhuān)業(yè)設(shè)置對(duì)比便可以清楚地看到這一深層問(wèn)題。

1997年,教育部取消了半導(dǎo)體物理專(zhuān)業(yè)。在美國(guó),材料與器件專(zhuān)業(yè)是整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心專(zhuān)業(yè),而我國(guó)甚至沒(méi)有設(shè)置該專(zhuān)業(yè)。目前,國(guó)內(nèi)只有少量研究組在從事半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)研究。

再看高校人才培養(yǎng)數(shù)量的比較。

我國(guó)微電子專(zhuān)業(yè)的本科生、碩士生、博士生與美國(guó)電子工程專(zhuān)業(yè)的學(xué)生數(shù)量完全不在一個(gè)量級(jí)。值得注意的是,2015年,美國(guó)電子工程專(zhuān)業(yè)有52940名碩士生入學(xué),拿到碩士學(xué)位的只有15763名,也就是說(shuō)它淘汰了大量“低水平”學(xué)生。而在中國(guó),入學(xué)人數(shù)本就少,淘汰也少。

總體來(lái)看,高校培養(yǎng)半導(dǎo)體學(xué)科人才的中美對(duì)比是1比6。美國(guó)經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,已經(jīng)積累起了上百萬(wàn)的半導(dǎo)體人才,而我們可以說(shuō)是人才凋零,僅有的人才大部分集中在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,真正能夠從事半導(dǎo)體材料和器件研究的是稀缺品。

困境6:科研評(píng)價(jià)機(jī)制不利于半導(dǎo)體等核心技術(shù)的發(fā)展

半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究尤其獨(dú)特的地方在于,半導(dǎo)體雖然離應(yīng)用近,能支撐人類(lèi)社會(huì)和國(guó)家安全,但是課題繁多、研究分散,設(shè)備依賴(lài)大、研究成本高、進(jìn)入門(mén)檻極高,研發(fā)周期長(zhǎng),得坐上十年甚至二十年的冷板凳。以至于在中國(guó)很少有人愿意投身這個(gè)領(lǐng)域。

半導(dǎo)體研究還有一個(gè)隱蔽性。目前國(guó)內(nèi)工業(yè)界普遍以為,不需要基礎(chǔ)研究也能發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這是因?yàn)橐糟~替換鋁、高K絕緣層、絕緣襯底SOI、應(yīng)變硅技術(shù)、鰭式3D晶體管、環(huán)繞柵級(jí)晶體管等延續(xù)摩爾定律的重大發(fā)明為代表的大量基礎(chǔ)研究成果,全部匯集在美國(guó)公司提供的EDA軟件和工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)里。然而,會(huì)設(shè)計(jì)根本不代表掌握了核心技術(shù)。一旦受到設(shè)備、軟件、材料等封鎖,就立刻陷入被動(dòng)。

我們從來(lái)沒(méi)有建立起獨(dú)立的半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)體系,如今卻有很多新興學(xué)科聲稱(chēng)與半導(dǎo)體相關(guān),實(shí)際上無(wú)法支撐半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究。

在新型熱門(mén)材料領(lǐng)域,研究論文可以在Science、Nature及其子刊、AM(IF》25)發(fā)表,但在傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域,一臺(tái)800萬(wàn)的必備研發(fā)設(shè)備MBE,一年的運(yùn)行費(fèi)用就高達(dá)150萬(wàn),相應(yīng)的論文產(chǎn)出也許只是每年一篇APL(IF=3.5)。

如果沒(méi)有國(guó)家的引導(dǎo)、激勵(lì),任由科研人員做選擇,結(jié)果是顯而易見(jiàn)的。

困境7:研發(fā)投入不足、創(chuàng)新鏈條斷裂

美國(guó)長(zhǎng)期以來(lái)在半導(dǎo)體研發(fā)中投入了巨額資金。1978年,美國(guó)政府投入半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)費(fèi)是10億美元,企業(yè)投入4億美元,現(xiàn)在每年聯(lián)邦政府投入17億美元,而企業(yè)投入則高達(dá)400億美元。

美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)目前仍在積極游說(shuō)政府加大半導(dǎo)體研發(fā)投入。它建議:聯(lián)邦政府對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)的資助將在未來(lái)五年內(nèi)增加2倍達(dá)到51億美元,聯(lián)邦政府對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)研究的資助將在未來(lái)五年內(nèi)增加一倍達(dá)到86億美元。如此,便可以增加1610億美元的GDP,創(chuàng)造近50萬(wàn)個(gè)新就業(yè)崗位,加強(qiáng)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)地位。

通過(guò)中美半導(dǎo)體研發(fā)投入的比較,差距十分顯著。2015年,僅美國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)投入(554億美元)就超過(guò)了我國(guó)中央財(cái)政全部的科技研發(fā)支出(2899.2億元,其中基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)670.6億元)。

以中國(guó)自然基金委的資助為例,其信息科學(xué)部2019年面上項(xiàng)目、青年科學(xué)基金項(xiàng)目、重點(diǎn)基金項(xiàng)目、優(yōu)青基金項(xiàng)目中,半導(dǎo)體科學(xué)、光學(xué)光電子學(xué)資助占比在2~4.6%之間,半導(dǎo)體總計(jì)投入5億元左右,占整個(gè)基金委經(jīng)費(fèi)投入的2~3%。

由于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)普遍比較弱小,因此研發(fā)支出也是捉襟見(jiàn)肘。

令人擔(dān)憂(yōu)的是,一直以來(lái)我國(guó)大型企業(yè)投入研發(fā)的意愿是非常薄弱的。據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì),2014年世界2500強(qiáng)企業(yè),研發(fā)投入總計(jì)5385億歐元,美國(guó)占比是36%,歐盟是30.1%,日本是15.9%,而我國(guó)企業(yè)只占3.7%。在2014年,中國(guó)有100家企業(yè)入圍世界500強(qiáng),研發(fā)投入占比應(yīng)該達(dá)到20%。

目前,我國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)投入不及美國(guó)的5%,這一現(xiàn)狀背后還要謹(jǐn)防一個(gè)陷進(jìn)。

美國(guó)政府在非國(guó)防研發(fā)的投入從上世紀(jì)60年代占GDP1.8%,下降到2008年的0.8%,2012年的0.7%。一方面,美國(guó)政府的大量半導(dǎo)體研發(fā)投入不在這一比例之內(nèi),另一方面,美國(guó)已經(jīng)完成了從高校和科研機(jī)構(gòu)到企業(yè)的研發(fā)轉(zhuǎn)移,前者以前沿基礎(chǔ)探索研究為主。因此,在我國(guó)企業(yè)研發(fā)還非常薄弱的階段,就不能對(duì)照美國(guó)政府的科技支出進(jìn)行分配。

困境8:缺乏知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)

除了產(chǎn)品山寨,半導(dǎo)體行業(yè)離職創(chuàng)業(yè)進(jìn)行同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的現(xiàn)象普遍存在,以至于誰(shuí)都得不到利潤(rùn),更沒(méi)有機(jī)會(huì)向高端技術(shù)領(lǐng)域拓展。

有些大企業(yè)看重科研機(jī)構(gòu)的研發(fā)技術(shù),就通過(guò)招聘畢業(yè)生的方式“得到”技術(shù)。這種竭澤而漁的做法,無(wú)法反哺基礎(chǔ)研究,實(shí)際上也阻礙了真正的成果轉(zhuǎn)化。

上世紀(jì),美國(guó)半導(dǎo)體物理研究占凝聚態(tài)研究50%以上的課題,美國(guó)物理學(xué)會(huì)期刊PHYSICAL REVIEW B四個(gè)大類(lèi)中一半是半導(dǎo)體方向,到了2019年則取消了半導(dǎo)體方向,半導(dǎo)體論文大幅削減,因?yàn)榘雽?dǎo)體研究已經(jīng)十分成熟,該領(lǐng)域論文很難再獲得較高的引用。

如果中國(guó)照樣模仿,以為半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究不再重要,那就大錯(cuò)特錯(cuò)了。

我們?cè)?019年以前,數(shù)理學(xué)部幾十個(gè)研究方向中沒(méi)有“半導(dǎo)體”三個(gè)字,2020年開(kāi)始才把半導(dǎo)體基礎(chǔ)物理納入了聚凝態(tài)物理學(xué)部的14個(gè)方向之一。

中國(guó)要發(fā)展半導(dǎo)體,沒(méi)有捷徑可走。必須把歷史的欠賬還上,逆世界科技潮流,發(fā)展半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究。這需要各行各業(yè)的理解和支持,特別是學(xué)科設(shè)置、人才培養(yǎng)、經(jīng)費(fèi)投入和評(píng)價(jià)機(jī)制的改善。

能夠支撐未來(lái)人工智能、量子計(jì)算、先進(jìn)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)這些頂層應(yīng)用的,是一個(gè)完整的半導(dǎo)體技術(shù)層級(jí)體系。我們只有夯實(shí)基礎(chǔ),掌握了半導(dǎo)體現(xiàn)有的技術(shù)體系,并在有潛力的環(huán)節(jié)奮起攻關(guān),形成自己的技術(shù)突破,獲得一定的技術(shù)話(huà)語(yǔ)權(quán),才可能在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中有立足之地。

于此同時(shí),我們可以投入一定比例為將來(lái)的技術(shù)做儲(chǔ)備,但如果我們避重就輕,對(duì)準(zhǔn)將來(lái)的技術(shù)和應(yīng)用蜂擁而上,放棄成熟的技術(shù)體系而不顧,這是一種賭博,因?yàn)閷?lái)的技術(shù)通常要經(jīng)歷很多失敗。
責(zé)任編輯:tzh

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    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開(kāi)啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展
    發(fā)表于 01-31 08:46

    【「芯片設(shè)計(jì)基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來(lái)展望」閱讀體驗(yàn)】--中國(guó)EDA的發(fā)展

    階段 國(guó)產(chǎn)EDA沉寂期(1994 ~ 2008)。一方面,“熊貓系統(tǒng)”推廣上有所欠缺,難以獲得廣泛應(yīng)用。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展緩慢,無(wú)法為國(guó)產(chǎn)EDA提供有力的產(chǎn)業(yè)支撐。另一方面,國(guó)際技術(shù)和貿(mào)易障礙清除,國(guó)際
    發(fā)表于 01-20 23:22

    揚(yáng)杰科技連續(xù)十年蟬聯(lián)中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)前三

    2025 年7月25日-27日,第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 07-28 18:30 ?1778次閱讀

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    京微齊力榮登中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單

    近日,中國(guó) IC 獨(dú)角獸聯(lián)盟今日正式揭曉 "中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果征集" 活動(dòng)獲評(píng)榜單,涵蓋領(lǐng)軍人物、領(lǐng)軍企業(yè)、優(yōu)秀解決方案/產(chǎn)品三大類(lèi)別,全面展現(xiàn)國(guó)內(nèi)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:03 ?1446次閱讀

    中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)蒞臨東海半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)

    近日,中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)考察團(tuán)一行蒞臨江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東海半導(dǎo)體”)參觀指導(dǎo)。考察團(tuán)由中國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 06-27 18:07 ?1372次閱讀

    我國(guó)為什么要發(fā)展半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈

    我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心目的,可綜合政策導(dǎo)向、產(chǎn)業(yè)需求及國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),從以下四個(gè)維度進(jìn)行結(jié)構(gòu)化分析:一、突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控1.應(yīng)對(duì)外部技術(shù)封鎖美國(guó)對(duì)華實(shí)施光刻機(jī)等核心設(shè)備出口管制
    的頭像 發(fā)表于 06-09 13:27 ?1753次閱讀
    我國(guó)為什么要<b class='flag-5'>發(fā)展</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>全產(chǎn)業(yè)鏈

    蘇州芯矽科技:半導(dǎo)體清洗機(jī)的堅(jiān)實(shí)力量

    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中,蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔,雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒,尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域,以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù),為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。 芯矽科技扎根于
    發(fā)表于 06-05 15:31

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難,且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線(xiàn),就可以免去調(diào)焦過(guò)程,本文將介紹一種能把
    發(fā)表于 05-10 22:32

    中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將大規(guī)格重組

    中國(guó)正在推動(dòng)一項(xiàng)政策,計(jì)劃將200多家半導(dǎo)體設(shè)備公司整合為10家大型企業(yè)。這項(xiàng)政策旨在提升中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力,以應(yīng)對(duì)美國(guó)的制裁壓力。 中國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 15:52 ?1096次閱讀

    半導(dǎo)體制造AI大腦:從CIM1.0到CIM 3.0的中國(guó)式躍遷

    (文章轉(zhuǎn)載自半導(dǎo)體行業(yè)觀察) 編者按:在半導(dǎo)體制造智能化轉(zhuǎn)型中,通用大模型如何跨越行業(yè)的巨大鴻溝?傳統(tǒng)CIM系統(tǒng)如何突破數(shù)據(jù)孤島與“靠人串接”的多重桎梏?未來(lái)CIM系統(tǒng)的發(fā)展將以怎樣
    的頭像 發(fā)表于 04-17 09:36 ?1477次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造AI大腦:從CIM1.0到CIM 3.0的<b class='flag-5'>中國(guó)</b>式躍遷

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學(xué)機(jī)械平坦化 第19章 硅片測(cè)試 第20章 裝配與封裝 本書(shū)詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料,學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對(duì)《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評(píng)價(jià)都很高。
    發(fā)表于 04-15 13:52