碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國(guó)際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開(kāi)始布局。

據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。

提到SiC大家可能有些陌生，碳化硅（SiC）其實(shí)是一種廣泛使用的老牌工業(yè)材料，1893年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，至今一直在使用。不過(guò)自然界中很難找到碳化硅。

而在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅主要用于動(dòng)力控制單元。目前主流車廠仍然使用IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片），但特斯拉、比亞迪已經(jīng)在 Model 3、漢EV車型上開(kāi)始使用Sic MOSFET（碳化硅功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

值得一提的是，漢EV也是國(guó)內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。

相比于IGBT，碳化硅（SiC）是一個(gè)更先進(jìn)的做控制器的電力電子芯片，頻率、效率可以做到很高，體積可以非常小。

研究顯示，SiC的功率損耗較IGBT下降了87%。結(jié)合功率半導(dǎo)體在整車中的能量損耗占比數(shù)據(jù)可以得出，僅僅是將IGBT替換為SiC，就可提高整車?yán)m(xù)航里程10%左右，這對(duì)于極其在意續(xù)航能力的電動(dòng)車來(lái)說(shuō)受益匪淺。

比亞迪在半導(dǎo)體行業(yè)布局較早，早在2005年就成立了IGBT團(tuán)隊(duì)，并于2009年推出首款自主研發(fā)IGBT芯片，打破國(guó)外企業(yè)的技術(shù)壟斷。

目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。按照計(jì)劃比亞迪公布的計(jì)劃，預(yù)計(jì)到2023年，其旗下電動(dòng)車將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10％。
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