DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實控企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等機構入股長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司，融資價款達到156.50億元。

根據(jù)兆易創(chuàng)新公告，長鑫存儲是睿力集成的全資子公司，也是目前國內(nèi)唯一量產(chǎn)國產(chǎn)DRAM內(nèi)存的廠商，其第一大股東石溪集電的執(zhí)行事務合伙人為石溪長鑫,石溪長鑫的實際控制人即兆易創(chuàng)新實控人朱一明。

自研內(nèi)存芯片項目獲資金支持

中國的存儲制造在過去一年取得突破性進展。NAND Flash方面，4月13日，紫光集團旗下的長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功。 長鑫存儲主攻DRAM，今年2月，長鑫存儲宣布研發(fā)出DDR4及LPDDR4X兩種存儲器，采用19納米制程，這也是我國第1顆自研DRAM芯片。5月，多款搭載長鑫存儲10納米級DDR4芯片的內(nèi)存條上市，真正掀開國產(chǎn)內(nèi)存新篇章。

長鑫存儲從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。資料顯示，長鑫存儲集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，其中，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目也是中國大陸第一個投入量產(chǎn)的DRAM設計制造一體化項目。

此輪融資中，大基金二期、安徽省國資旗下三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金各自向睿力集成投資50億元，老股東、合肥國資注資成立的長鑫集成投資8.5億元，小米長江產(chǎn)業(yè)基金在內(nèi)的12家跟進投資人總共投資40億元，合肥集鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)投資5億元，兆易創(chuàng)新進行3億元可轉股債券投資。 本次增資完成后，兆易創(chuàng)新將持有睿力集成約0.85%股權。在業(yè)務合作層面，公司與睿力集成全資子公司長鑫存儲技術有限公司簽署了《框架采購協(xié)議》、《代工服務協(xié)議》、《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作協(xié)議》及與此相關的補充協(xié)議，將與長鑫存儲在產(chǎn)品代銷、代工服務、產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)層面開展業(yè)務合作。 針對此次大基金二期入股，有業(yè)內(nèi)人士評論，長鑫存儲的存儲器產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化預計會進入快速發(fā)展階段。

沖擊全球第四大DRAM廠商，長鑫存儲還有這些助力

根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的2020年二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據(jù)了全球市場約95%的份額。

集邦咨詢分析師預估，明年四季度長鑫存儲的投片量將增長到8.5萬片/月，并超過南亞科技成為全球第四大DRAM廠商。目前長鑫存儲DRAM工藝以19nm工藝為主，有望在明年年中將更新一代的17nm工藝導入量產(chǎn)階段。展露頭角后，不管是在產(chǎn)能還是技術方面，長鑫存儲都有望提升其在高度集中的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)內(nèi)的影響力。 除了自主研發(fā)，長鑫存儲一直借助收購的方式提升技術。2019年12月，長鑫存儲和加拿大公司W(wǎng)i-LANInc.。這家從英飛凌手上收購大筆奇夢達專利的公司達成協(xié)議，長鑫獲得了1000多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數(shù)據(jù)依據(jù)專利許可協(xié)議。 今年4月，據(jù)長鑫存儲微信公眾號消息，長鑫存儲技術有限公司與美國半導體公司Rambus簽署了專利許可協(xié)議。

依據(jù)此協(xié)議，長鑫存儲從Rambus獲得了大量DRAM技術專利的實施許可。

半導體產(chǎn)業(yè)政策不斷加碼，并提出重點補齊短板的訴求。當前圍繞內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)的政策支持，也在為國內(nèi)首個自研內(nèi)存芯片項目的產(chǎn)業(yè)進程增添助力。 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行。

其中，長三角地區(qū)擬支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設，提升長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力。長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務合作協(xié)議，由長鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約。

7月初，安徽省發(fā)布《重點領域補短板產(chǎn)品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件，希望2-3年內(nèi)解決一些關鍵技術瓶，即指向長鑫存儲的芯片項目。 在內(nèi)存技術方面，方案要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化等。

來源：全球半導體觀察 集邦咨詢

原文標題：動態(tài) | 長鑫存儲完成156億元融資，國產(chǎn)內(nèi)存加速跑！

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