Tanner在物聯(lián)網(wǎng)邊緣智能器件設計中融合CMOS IC與MEMS
簡介
創(chuàng)建基于傳感器的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）邊緣器件會涉及多個設計領域，因此極具挑戰(zhàn)性（圖1）。但是，在同一硅片上創(chuàng)建一個既有采用傳統(tǒng)CMOS IC流程制作的電子器件，又有MEMS傳感器的邊緣器件似乎不大現(xiàn)實。實際上，許多IoT邊緣器件會在單個封裝中集成多個芯片，將電子器件與MEMS設計分開。Tanner AMS IC設計流程支持單芯片或多芯片技術，因而有助于成功實現(xiàn)IoT邊緣器件的設計和驗證。不過，本文將著重介紹在單個芯片上融合CMOS IC與MEMS設計的獨特挑戰(zhàn)。
圖1：一個典型IoT邊緣器件，涉及數(shù)字、模擬、射頻和MEMS領域
了解設計流程
Tanner設計流程（圖2）為AMS IC設計提供了一個完整的環(huán)境。
圖2：Tanner AMS設計流程
不過，多年以來，Tanner支持自上而下的MEMS IC流程（圖3），能讓客戶將MEMS設計融入這一流程中。
圖3：自上而下的IC/MEMS流程
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