2020年12月，合肥晶合集成電路股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶合集成”）與矽成積體電路股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ISSI”）、成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“銳成芯微”）聯(lián)合推出110nm-AL MCU 全平臺(tái)解決方案（圖1）。該平臺(tái)為晶合集成“顯像微電”（顯示器驅(qū)動(dòng)、圖像傳感、微控制器、電源管理）四大特色工藝中重要的“微”一環(huán)。

嵌入式閃存（110LP-eFlash）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的嵌入式閃存平臺(tái)。面向容量介于16KB/32KB-256KB，擦寫(xiě)次數(shù)大于100K次的MCU應(yīng)用。采用ISSI第二代架構(gòu) 2T-pFlash （pFusion?） 的記憶體模塊，搭配銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案：

1）NVM IP：ISSI pFusion? 第二代架構(gòu)。在第一代架構(gòu)低功耗、高速度、高抗干擾能力及高可靠性的基礎(chǔ)上，顯著提升可靠性的工藝窗口（圖2），特別適用于高可靠性需求的工規(guī)及車(chē)規(guī)應(yīng)用；客制化的pFusion?模塊允許同時(shí)存在不同大小的擦除區(qū)塊，提升系統(tǒng)配置彈性，滿足客戶(hù)多種應(yīng)用場(chǎng)景需求。

2）模擬IP：銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案具有卓越的靜態(tài)功耗（nA級(jí)），極大降低了芯片在待機(jī)模式下的整體功耗。在功耗、性能和成本上實(shí)現(xiàn)極佳平衡，可以廣泛應(yīng)用於MCU、IoT， smart card，wireless、power meters以及車(chē)規(guī)系統(tǒng)。2020年晶合集成成功導(dǎo)入多家嵌入式閃存客戶(hù)產(chǎn)品驗(yàn)證并于12月進(jìn)入投片量產(chǎn)。

MTP（110LP-MTP）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的MTP（Multiple-Time Programming）平臺(tái)。面向容量1KB-16KB/32KB，擦寫(xiě)次數(shù)介于10次-10K次的MCU應(yīng)用。銳成芯微的LogicFlash? IP 提供業(yè)界最小的MTP IP。具有擦寫(xiě)次數(shù)大于10K次， 高溫?cái)?shù)據(jù)保存大于10年，高速讀寫(xiě)及低芯片測(cè)試成本等優(yōu)勢(shì)，滿足低成本高性能MCU的應(yīng)用需求，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)和家電類(lèi)產(chǎn)品，例如鋰電池供電的物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智能穿戴類(lèi)應(yīng)用。目前已經(jīng)成功導(dǎo)入客戶(hù)并進(jìn)入投片量產(chǎn)。

晶合集成的110nm全鋁后段12寸生產(chǎn)線可為客戶(hù)在MCU及低功耗SOC產(chǎn)品提供更具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的代工業(yè)務(wù)和更優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)。為了更好滿足客戶(hù)產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的更新迭代需求，到2022年，晶合集成還將在55nm邏輯工藝基礎(chǔ)上推出55nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)，進(jìn)一步為客戶(hù)提供128KB-1MB高性能MCU平臺(tái)解決方案。

關(guān)于合肥晶合集成電路股份有限公司

合肥晶合集成電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“晶合集成”）成立于2015年5月，專(zhuān)注于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)代工服務(wù)。截至2020年11月產(chǎn)能突破3萬(wàn)片/月，實(shí)現(xiàn)了在手機(jī)面板驅(qū)動(dòng)芯片代工領(lǐng)域領(lǐng)先的目標(biāo)。晶合集成初期的主要產(chǎn)品為面板驅(qū)動(dòng)芯片，后續(xù)將以客戶(hù)需求為導(dǎo)向，結(jié)合平板顯示、汽車(chē)電子、家用電器、工業(yè)控制、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，進(jìn)一步拓展微控制器（MCU）、CMOS圖像傳感器（CIS）、電源管理（PMIC） 、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）等不同應(yīng)用領(lǐng)域芯片代工，矢志成為中國(guó)最卓越的集成電路專(zhuān)業(yè)制造公司之一。

關(guān)于矽成積體電路股份有限公司

矽成積體電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“ISSI”）成立于1988年，是一家技術(shù)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。公司專(zhuān)注于汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工控醫(yī)療及數(shù)字消費(fèi)電子四個(gè)領(lǐng)域，為此設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)高性能IC芯片，主要產(chǎn)品包括DRAM、SRAM、FLASH及混合模擬信號(hào)產(chǎn)品。除此之外，矽成也擁有獨(dú)立自主研發(fā)的embedded flash（pFusion）智財(cái)權(quán)（IP），透過(guò)技術(shù)授權(quán)于各大芯片代工廠及設(shè)計(jì)公司，量產(chǎn)工藝從180nm到55nm，累計(jì)的出貨片數(shù)遠(yuǎn)大于一百萬(wàn)片晶圓；以第三方的e-flash IP 來(lái)說(shuō)，目前是屬于世界領(lǐng)先的供應(yīng)商之一。

關(guān)于成都銳成芯微科技股份有限公司

銳成芯微成立于2011年，是一家專(zhuān)注于集成電路IP核技術(shù)研發(fā)及服務(wù)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，總部位于成都，在國(guó)內(nèi)多地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)。銳成芯微是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的同時(shí)擁有超低功耗模擬IP技術(shù)、高可靠性嵌入式存儲(chǔ)IP技術(shù)、高性能RF技術(shù)和高速數(shù)據(jù)傳輸IP技術(shù)的企業(yè)，目前已與國(guó)內(nèi)外20多家晶圓代工廠開(kāi)展合作，產(chǎn)品覆蓋從14/16nm到180nm的CMOS， BiCMOS， BCD， SiGe， HV，F(xiàn)inFET，F(xiàn)D-SOI等幾十個(gè)工藝制程，累計(jì)開(kāi)發(fā)IP 500多項(xiàng)，國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)專(zhuān)利超200件，服務(wù)全球300多家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，產(chǎn)品廣 泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車(chē)電子、智慧電源、可穿戴、醫(yī)療電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
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