為減少開發(fā)航天器系統(tǒng)的時(shí)間、成本和風(fēng)險(xiǎn)，設(shè)計(jì)人員可以在初始階段使用商用現(xiàn)貨（COTS），隨后再將其替換為具有相同引腳分布、采用塑料或陶瓷封裝的宇航級(jí)等效耐輻射器件。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布推出一款耐輻射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash閃存器件，具有卓越的總電離劑量（TID）耐受能力，可在惡劣的太空輻射環(huán)境中實(shí)現(xiàn)最大的可靠性和耐用性。新產(chǎn)品是Microchip用于航天系統(tǒng)的單片機(jī)（MCU）、微處理器（MPU）和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的理想配件，為這種可擴(kuò)展的開發(fā)模型提供了構(gòu)建模塊。

Microchip航空航天和國(guó)防業(yè)務(wù)部副總裁Bob Vampola表示：“在使用我們的耐輻射或抗輻射微處理器和FPGA開發(fā)航天系統(tǒng)總體解決方案的過程中，SST38LF6401RT SuperFlash產(chǎn)品進(jìn)一步增強(qiáng)了擴(kuò)展性，航天系統(tǒng)需要配套的閃存來存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)整個(gè)系統(tǒng)的關(guān)鍵軟件代碼或比特流，對(duì)數(shù)字處理的可靠性要求非常之高，新產(chǎn)品為這一過程提供了關(guān)鍵的保護(hù)。”

即使在閃存仍處于供電和運(yùn)行狀態(tài)時(shí)，SST38LF6401RT器件的輻射耐受能力也高達(dá)50千拉德（Krad）TID，該產(chǎn)品能使系統(tǒng)在各種空間應(yīng)用中運(yùn)行。在這些應(yīng)用中，系統(tǒng)無法承受任何代碼執(zhí)行錯(cuò)誤，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重缺陷和系統(tǒng)崩潰。新產(chǎn)品是Microchip基于SAMRH71 Arm Cortex-M7的抗輻射SoC處理器的理想配件，也可與RT PolarFire FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統(tǒng)的重新配置。新產(chǎn)品與其工業(yè)版本具有兼容的引腳分布，以便在印刷電路板（PCB）上輕松替換為宇航級(jí)的塑料或陶瓷封裝版本。SST38LF6401RT的工作電壓范圍為3.0至3.6伏（V）。

開發(fā)工具和供貨

SST38LF6401RT SuperFlash器件現(xiàn)在提供陶瓷封裝的樣品，可根據(jù)要求提供評(píng)估板和演示軟件。此外，還可以根據(jù)要求提供FPGA飛行編程參考案例，演示如何將SuperFlash器件與FPGA和SAMRH71處理器通過支持軟件進(jìn)行集成。

Microchip從COTS到耐輻射產(chǎn)品的工藝

通過改進(jìn)旗下成熟可靠的汽車或工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品系列中相關(guān)器件的硅工藝，Microchip能為這些器件提供增強(qiáng)的保護(hù)，使它們免受重離子環(huán)境中的單粒子閂鎖影響。通過為每個(gè)功能塊提供專門的輻射報(bào)告，這些經(jīng)過少量修改的器件的輻射性能得到充分的表征。這些器件被廣泛應(yīng)用于運(yùn)載火箭、衛(wèi)星組網(wǎng)和空間站等各種應(yīng)用中。設(shè)計(jì)人員可以使用易于獲取的COTS器件開始系統(tǒng)部署，然后再將其替換為引腳兼容的宇航級(jí)器件，這些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封裝。

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