2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。

日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能，計(jì)劃在2021下半年將產(chǎn)能翻倍，達(dá)到10萬(wàn)晶圓/月，產(chǎn)能占到全球份額的7%，力求縮短與國(guó)際公司的差距。

在這方面，三星是全球最大的閃存生產(chǎn)商，月產(chǎn)能達(dá)到48萬(wàn)片晶圓，美光每月的產(chǎn)能也有18萬(wàn)晶圓。

除了產(chǎn)能增長(zhǎng)，技術(shù)水平上也在追趕，知情人士稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存，該公司之前生產(chǎn)了64層、128層閃存。

三星、美光等閃存大廠目前正在開(kāi)發(fā)176層閃存，現(xiàn)在量產(chǎn)的最先進(jìn)的閃存則是128層堆棧的。

2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

按照長(zhǎng)存的說(shuō)法，這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

值得一提的是，此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存（X2-9060），單顆容量512Gb（64GB）。

性能方面，長(zhǎng)存透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫(xiě)性能，3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。

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