媒體消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅計(jì)劃大幅擴(kuò)產(chǎn)，并準(zhǔn)備加快技術(shù)開發(fā)進(jìn)程。

日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。

報(bào)道引述消息人士之言指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2020年第三季度以來一直忙于引進(jìn)和安裝必要的生產(chǎn)設(shè)備與擴(kuò)大生產(chǎn)。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)64層和128層3D NAND閃存芯片，日后將逐步增加后者的比例。

對(duì)于上述消息，全球半導(dǎo)體觀察向長(zhǎng)江存儲(chǔ)求證，長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面表示不予置評(píng)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND技術(shù)進(jìn)程

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)的發(fā)展歷程，其已在短短3年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。

2016年7月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)聯(lián)合大基金等共同出資成立，為國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的實(shí)施主體。2016年12月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工廠正式破土動(dòng)工；2017年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工廠實(shí)現(xiàn)提前封頂，同年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。

從技術(shù)開發(fā)的時(shí)間點(diǎn)來看，2017年7月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存設(shè)計(jì)完成；2017年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片。2018年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝，項(xiàng)目進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段；2018年第三季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

在量產(chǎn)32層3D NAND閃存的同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在加速64層3D NAND閃存開發(fā)進(jìn)度。2018年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片，同時(shí)推出其全新NAND架構(gòu)Xtacking?。

2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布正式量產(chǎn)基于Xtacking? 架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國(guó)首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。

2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證，還同時(shí)發(fā)布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片。

從64層越級(jí)跳過96層3D NAND技術(shù)，直接攻下128層3D NAND技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)迅速拉近其與三星、SK海力士、美光等國(guó)際大廠的距離，對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言是一個(gè)重大突破。
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