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上/下拉電阻詳解

GReq_mcu168 ? 來源:玩轉(zhuǎn)單片機(jī) ? 作者:玩轉(zhuǎn)單片機(jī) ? 2021-02-14 15:00 ? 次閱讀
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除了前一節(jié)討論的拉電阻基本使用方法外,上拉電阻也可以提升高電平的電壓閾值,以便于前后級(jí)信號(hào)相匹配,比如,TTL邏輯電平驅(qū)動(dòng)CMOS邏輯電平時(shí),我們通常會(huì)添加一個(gè)上拉電阻R1,如下圖所示:

579eabb4-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

But Why? 我們先來看看TTL電平標(biāo)準(zhǔn)圖與CMOS電平標(biāo)準(zhǔn)圖,如下圖所示:

57c94f22-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

可以看到,TTL邏輯輸出的低電平最大值VOLMAX(0.4V)小于CMOS邏輯輸入低電平最大值VILMAX(0.3×VCC=1.5V),因此,TTL低電平驅(qū)動(dòng)CMOS邏輯是完全沒有問題的,但是TTL邏輯輸出的高電平最小值VOHMIN(2.4V)卻低于CMOS邏輯輸入高電平的最小值VIHMIN(0.7×VCC=3.5V),換言之,CMOS邏輯可能不能夠識(shí)別TTL邏輯高電平(注意“可能”這兩個(gè)字)。

那為什么添加上拉電阻后就能夠使TTL邏輯可靠驅(qū)動(dòng)CMOS邏輯呢?我們看看TTL邏輯電路的輸出結(jié)構(gòu),如下圖的所示:(下圖來自TI公司六反相器7404數(shù)據(jù)手冊(cè))

5801ffca-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

事實(shí)上,所有TTL邏輯輸出結(jié)構(gòu)都是一致的,如下圖所示2輸入與門:(下圖來自TI公司四個(gè)兩輸入與門7408數(shù)據(jù)手冊(cè))。

582eb89e-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

如下圖所示2輸入或門:(下圖來自TI公司四個(gè)兩輸入或門7432數(shù)據(jù)手冊(cè))。

585f86b8-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

其它TTL邏輯輸出結(jié)構(gòu)也是類似的,此處不再贅述。TTL邏輯輸出為高電平時(shí)內(nèi)部狀態(tài)如下圖所示:

5893761c-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

按照TTL電平標(biāo)準(zhǔn),輸出高電平VOH至少2.4V(VOHMIN=2.4V),換言之,這個(gè)輸出電壓也可能高于或低于CMOS高電平輸入識(shí)別閾值最小值3.5V(不可靠),而添加上拉電阻后的TTL邏輯電路狀態(tài)如下圖所示:

58b0e4c2-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

由于上拉電阻R4的存在,使得三極管Q3與二極管D2都處于截止?fàn)顟B(tài),因此輸出電平被上拉至5V高電平,妥妥地超過了CMOS邏輯高電平判斷閾值的最小值( 3.5V),這樣CMOS邏輯電路就能夠可靠地進(jìn)行高電平判斷。

但是,反過來CMOS邏輯電平能夠可靠地驅(qū)動(dòng)TTL邏輯電平,讀者可自行對(duì)照兩者的邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)圖就真相大白了。

上拉電阻也可以提升單片機(jī)引腳的高電平驅(qū)動(dòng)能力。前面我們已經(jīng)介紹過,任何單片機(jī)的IO引腳的驅(qū)動(dòng)電流都是有限的(比如,STM32單片機(jī)引腳的驅(qū)動(dòng)能力為25mA),如下圖所示:

58fd8bba-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

3.3V單片機(jī)IO引腳最大可以驅(qū)動(dòng)約132歐姆的電阻(負(fù)載),如果驅(qū)動(dòng)的電阻小于132歐姆,輸出高電平“H”就因電流驅(qū)動(dòng)能力不足而使得輸出電壓下降,這時(shí)我們可以添加一個(gè)上拉電阻,如下圖所示:

592348b4-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

100歐姆負(fù)載需要約33mA的驅(qū)動(dòng)電流,但單片機(jī)IO引腳只有25mA可以提供,額外的8mA將由3.3V直流電源通過上拉電阻R1提供。

在高速數(shù)字設(shè)計(jì)電路中,信號(hào)的傳輸路徑可用傳輸線來表征,一般差分傳輸線阻抗約100歐姆左右,單端傳輸線的阻抗約為50歐姆左右,如果接收端的輸入阻抗與傳輸線阻抗不匹配(匹配就是相等的意思),則會(huì)引起信號(hào)反射,如下圖所示:

59389728-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

事實(shí)上,大多數(shù)接收端的輸入阻抗遠(yuǎn)大于傳輸線阻抗,將傳輸線出來的信號(hào)直接與接收端對(duì)接必定將產(chǎn)生反射,從而引起信號(hào)完整性(Signal Integrity, SI)問題,因此,我們通常都會(huì)使用各種端接手段進(jìn)行阻抗的匹配,添加下拉電阻就是其中一個(gè)手段,如下圖所示:

5969a3a4-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

也可以使用上下拉電阻配合的方式進(jìn)行阻抗的匹配(遠(yuǎn)端戴維南端接),如下圖所示:

5991d540-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

如果讀者有過DDRII SDRAM的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),會(huì)發(fā)現(xiàn)其中有一個(gè)VTT電壓,如下圖所示:

59b6f762-56fc-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

VTT就是端接電壓(termination voltage),它通常是VDDQ的一半。差分傳輸線的端接原理也是相似的,至于更多細(xì)節(jié)方面可參考系列文章《高速數(shù)字邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)之SSTL》及《高速PCB設(shè)計(jì)之端接》,此處不再贅述。

我們?cè)谡f某個(gè)電阻是上拉電阻或下拉電阻的時(shí)候,它其實(shí)還同時(shí)有限制電流的能力,只不過在使用拉電阻過程中,上拉或下拉的功能占主導(dǎo)地位,也因此而得名,你可以把端接電阻稱為上拉電阻或下拉電阻,但你總不會(huì)稱其為限流電阻吧?

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:上/下拉電阻

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原文標(biāo)題:上/下拉電阻

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