2020年12月29日，韓國科學和信息通信技術部（MSIT）發(fā)布下一代智能半導體（器件）研發(fā)計劃2021年項目實施計劃。該研發(fā)計劃旨在克服現(xiàn)有半導體技術局限，致力于下一代超低功耗、高性能半導體器件核心技術的創(chuàng)新開發(fā)，為期10年（2020-2029年），金額達2405億韓元。

一、實施策略及內(nèi)容

避免論文式研究，促進早期成果商業(yè)化和IP核應用，具體包括：（1）引入競爭性研發(fā)模式，評估每個步驟，并確定持續(xù)支持的項目；（2）支持晶圓級集成和驗證（與下述研發(fā)協(xié)同進行）。

三類研發(fā)包括：（1）新概念型基礎技術（自由競爭模式）：該類研發(fā)旨在顛覆性創(chuàng)新，促進半導體范式改變。該類項目每年資助金額不超過2億韓元，3年后進行評估以確定后續(xù)支持。（2）新器件技術（目標型競爭模式）：該類研發(fā)旨在開發(fā)CMOS工藝兼容的各種新器件技術（如超低壓、3D集成、內(nèi)存計算、器件系統(tǒng)架構、布線融合、大腦模擬等），以實現(xiàn)超低功耗、高性能的目標。該類項目每年資助金額約10億韓元。（3）新器件集成和驗證技術（內(nèi)容明確型競爭模式）：該類研發(fā)旨在支持晶圓級集成和驗證（集成工藝和基于設計的技術開發(fā)等），以促進實驗室開發(fā)的元器件商業(yè)化。該類項目每年資助金額約30億韓元。

二、2020年資助情況

2020年，下一代智能半導體（器件）研發(fā)計劃選擇并支持了24個新項目，總金額達120億韓元。

其中新概念型基礎技術類項目7個，總金額為7億韓元；新器件技術類項目15個，總金額為77.5億韓元；新器件集成和驗證技術類項目2個，總金額為30億韓元。

三、2021年資助計劃

2021年，韓國將加大對下一代智能半導體器件研發(fā)計劃的投資力度，加強項目團隊及機構間的協(xié)作，加快創(chuàng)新步伐。

2021年的總預算為339.77億韓元，其中229億韓元用于繼續(xù)支持2020年選擇的項目，103.18億韓元用于支持19個新項目，7.59億億韓元用于項目運營管理。

2021年的19個新項目中，其中新概念型基礎技術類項目10個，總金額為20億韓元；新器件技術類項目8個，總金額為60.68億韓元；新器件集成和驗證技術類項目1個，總金額為22.5億韓元。2021韓國加大新器件技術的投資力度以盡早確保其在人工智能半導體器件的核心技術優(yōu)勢（例如，人腦模擬器件研究）。2021年新項目將于本年度4月開始執(zhí)行，目前尚未公布。

表1 2021年持續(xù)支持2020年選擇的項目（24）

原文標題：【政策規(guī)劃?微】韓國發(fā)布2021年度下一代智能半導體(器件)研發(fā)計劃

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