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快充專用60V低壓mos 40A封裝DFN3*3低結(jié)電容低Qg

100V耐壓MOS管 ? 來源:惠海半導體 ? 作者:100V耐壓MOS管 ? 2021-02-03 11:37 ? 次閱讀
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★MOS管主要參數(shù)★

MOS管型號:HG5511D

參數(shù):60V 40A

封裝:DFN3333

內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V)14mR(Vgs=4.5V)

結(jié)電容:550pF

開啟電壓:1.8V

應用領(lǐng)域:車燈照明、車載電子、電動車應用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關(guān)應用。

【高頻率 大電流 SGT工藝 開關(guān)損耗小】

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    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:35 ?963次閱讀
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    發(fā)表于 03-27 17:13