在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬。當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)芯片在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段，可成熟應(yīng)用各相關(guān)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少，全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場(chǎng)被韓國(guó)、日本、美國(guó)企業(yè)所占據(jù)。

行業(yè)起步較晚，技術(shù)基礎(chǔ)薄弱

中國(guó)存儲(chǔ)芯片發(fā)展較晚，2016年以前行業(yè)幾乎沒(méi)有生產(chǎn)能力，存儲(chǔ)芯片極度依賴于進(jìn)口。面對(duì)國(guó)外企業(yè)在存儲(chǔ)芯片行業(yè)所擁有的壟斷優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)中國(guó)開始在存儲(chǔ)芯片行業(yè)投入巨資，目前中國(guó)主要有長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華等存儲(chǔ)芯片企業(yè)介入這個(gè)行業(yè)，經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，它們開始逐漸取得一些成績(jī)。

目前中國(guó)大陸地區(qū)的企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的市場(chǎng)份額仍然較低，通過(guò)國(guó)家政府層面的大規(guī)模投資有機(jī)會(huì)快速切入相關(guān)領(lǐng)域，也是芯片國(guó)產(chǎn)化之路邁出的可靠而重要的一步。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗(yàn)累積。雖然中國(guó)本土長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福州晉華三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，但各家存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國(guó)外存儲(chǔ)芯片制造商相比，中國(guó)存儲(chǔ)芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，此為制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。

以3D NAND存儲(chǔ)器為例，三星、海力士通過(guò)不斷研發(fā)創(chuàng)新，改善數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)增加單位存儲(chǔ)容量，均已研發(fā)和生產(chǎn)出176層3DNAND。長(zhǎng)江存儲(chǔ)2020年推出128層QLC 3D NAND閃存，可見(jiàn)，與國(guó)外領(lǐng)先的3D NAND企業(yè)相比，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)與國(guó)外企業(yè)仍存在差距，中國(guó)3D NAND技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。

市場(chǎng)波動(dòng)上升，NAND Flash和DRAM為主要產(chǎn)品

在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機(jī)功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應(yīng)用領(lǐng)域，促使市場(chǎng)對(duì)智能手機(jī)的存儲(chǔ)空間要求不斷提高以滿足消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的使用體驗(yàn)。2016年后，中國(guó)智能手機(jī)等消費(fèi)電子應(yīng)用市場(chǎng)迅速擴(kuò)張促進(jìn)了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求快速釋放。

2014-2019年，中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模由1274億元增長(zhǎng)至2697億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到16．18%，預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)規(guī)模將突破3000億元。

目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)以NAND Flash和DRAM為主。2019年，中國(guó)NAND Flash產(chǎn)品銷售額占總市場(chǎng)規(guī)模比重約為42%，占全球NAND Flash市場(chǎng)銷售額37%;2019年中國(guó)DRAM產(chǎn)品銷售額占總市場(chǎng)規(guī)模比重約為55%，占全球DRAM市場(chǎng)34%。

市場(chǎng)由國(guó)外企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕

存儲(chǔ)芯片是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光，合計(jì)占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)95%左右的份額，NAND Flash經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場(chǎng)格局。

從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，市場(chǎng)主要由國(guó)外存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國(guó)外及臺(tái)灣廠商（如NOR Flash的旺宏/華邦等），但近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國(guó)外原廠的差距。

其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3DNAND存儲(chǔ)芯片，直接跳過(guò)96層，加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT），意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

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