經(jīng)過幾個月的等待，我們終于看到三星電子將極紫外（EUV）光刻技術(shù)應(yīng)用于D1z DRAM的大規(guī)模量產(chǎn)。這是對他們的DRAM內(nèi)存技術(shù)的重大變革，這種技術(shù)出現(xiàn)在他們最新的手機型號中，包括三星Galaxy S21 5G系列;S21 5G、S21+ 5G以及于2021年1月剛剛發(fā)布的S21 Ultra 5G。EUV光刻技術(shù)在規(guī)模化和加速生產(chǎn)以及性能產(chǎn)量方面顯示出了明顯優(yōu)勢。

我們在三星GalaxyS21 5G系列中找到了D1z 12 Gb和D1z 16Gb LPDDR5芯片。S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G剛剛于2021年1月發(fā)布。12 Gb LPDDR5芯片用于Samsung Galaxy S21 Ultra 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而16 Gb LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB DRAM存儲器組件。

與先前的D1y 12 Gb版本相比，三星D1z 12 Gb LPDDR5 DRAM中使用的極紫外（EUV）光刻工藝已證明其生產(chǎn)效率提高了15％。D / R（設(shè)計規(guī)則）從17.1 nm（D1y）減小到15.7 nm（D1z）。12 Gb裸片尺寸也從53.53 mm 2（D1y）減小到43.98 mm 2（D1z），從而使裸片尺寸更小，比以前的版本縮小了約18％。

三星D1y和D1z LPDDR5芯片8Gb、12Gb、16Gb DRAM規(guī)格比較

三星將其最先進的D1z技術(shù)與EUV光刻技術(shù)一起使用在12Gb裸片上，裸片標(biāo)記為K4L2E165YC。而采用DUV光刻技術(shù)的D1z 16Gb LPDDR5 DRAM裸片則標(biāo)記為K4L6E165YB。D1z LPDDR5產(chǎn)品最初采用ArF-I（氬氟激光浸泡）和EUV（極紫外光）光刻技術(shù)?，F(xiàn)在，他們采用EUV SNLP（存儲節(jié)點焊盤）和BLP（位線焊盤）光刻技術(shù)生產(chǎn)所有D1z LPDDR5產(chǎn)品。

美光D1z LPDDR4與三星D1z LPDDR5規(guī)格比較

制造商追求的競爭指標(biāo)是更高的位密度、更小的管芯尺寸、先進的技術(shù)節(jié)點。通過與EUV一起使用D1z技術(shù)節(jié)點，與下表中所示的業(yè)界同行美光相比，三星已達到領(lǐng)先指標(biāo)：

D1z DRAM 美光vs三星

*與美光D1z單元設(shè)計相比，三星進一步縮小了單元尺寸（三星0.00197 μ㎡與美光0.00204 μ㎡）和D/R（三星15.7 nm與美光15.9nm）。
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