延遲、高吞吐量的需求。低功耗設(shè)計l 采用英特爾先進(jìn)的20nm或14nm工藝(具體取決于子型號),動態(tài)功耗優(yōu)化技術(shù)顯著降低能耗。l 核心電壓僅0.87V~0.93V,適合電池供電或能效敏感型應(yīng)用。高可靠性
發(fā)表于 02-27 09:31
深圳、南沙接連出臺政策,分別聚焦 14nm 及以下車規(guī)智駕芯片研發(fā)與設(shè)備、流片等全鏈條補(bǔ)貼,為國產(chǎn)芯片注入動力。但政策只能解決研發(fā)資金,量產(chǎn)期的穩(wěn)定性、可靠性難題仍待突破,測試驗證、燒錄等后端環(huán)節(jié)成為國產(chǎn)芯片量產(chǎn) “最后一公里” 的關(guān)鍵,其精度與穩(wěn)定性直接決定替代成敗。
發(fā)表于 02-24 10:57
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我有 StarFive VisionFive,我試圖獲得 cpu 頻率,但我失敗了
為什么要以 GHz 為單位獲得 CPU 頻率,以及如何超頻它,因為我有風(fēng)扇,我構(gòu)建了 rust 項目,并且
發(fā)表于 02-05 06:11
· ? 3A6000 ?:采用LA464架構(gòu),4核8線程設(shè)計,實測單核性能與英特爾10代酷睿i3-10100F持平,多核性能提升60%以上其每GHz性能表現(xiàn)甚至超越AMD Zen3架
發(fā)表于 12-03 13:42
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的控制芯片,甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器,都能看到它的身影。
之前總擔(dān)心國產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”,但查了下中芯國際的最新動態(tài):2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%,良率穩(wěn)定
發(fā)表于 11-25 21:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 LTE 頻段 13/14 (777 MHz–798 MHz) 的功率放大器模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于 LTE 頻段 13/14 (777
發(fā)表于 09-24 18:32
現(xiàn)代AI智能眼鏡的技術(shù)發(fā)展,得益于先進(jìn)芯片工藝的推動。以聯(lián)發(fā)科12nm制程工藝為例,相較于傳統(tǒng)的14nm制程,其在功耗控制上表現(xiàn)卓越,最高可節(jié)省15%的電量。這一改進(jìn)對于AI智能眼鏡這種高續(xù)航需求的設(shè)備來說尤為重要,能夠顯著提升設(shè)備在長時間運行中的穩(wěn)定性與可靠性。
發(fā)表于 09-18 20:03
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Texas Instruments ADC34RF55 14位RF采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)是一款單核14位、3GSPS、四通道ADC,支持RF采樣,輸入頻率高達(dá)
發(fā)表于 08-14 15:37
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)2025年,全球AI芯片市場正迎來一場結(jié)構(gòu)性變革。在英偉達(dá)GPU占據(jù)主導(dǎo)地位的大格局下,ASIC(專用集成電路)憑借針對AI任務(wù)的定制化設(shè)計,成為推動算力革命的新動力引擎。數(shù)據(jù)顯示,中國AI芯片市場規(guī)模預(yù)計將從2024年的1425億元迅猛增長至2029年的1.34萬億元,其中,ASIC架構(gòu)產(chǎn)品將在國內(nèi)市場占據(jù)主導(dǎo)地位。 ? AI ASIC是專為人工智能算法打造的專用集成電路。其核心特征在于,通過硬件層面的深度定制,在特定場景下實現(xiàn)極
發(fā)表于 07-26 07:22
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面對近來全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來的巨大供應(yīng)短缺,芯動科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開發(fā)能力,服務(wù)客戶痛點,率先在全球多個主流28nm和22nm工藝節(jié)
發(fā)表于 07-08 14:41
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單核CPU網(wǎng)關(guān)與雙核CPU網(wǎng)關(guān)的核心區(qū)別在于處理能力、多任務(wù)效率、性能表現(xiàn)及適用場景,雙核CPU網(wǎng)關(guān)在多任務(wù)處理、復(fù)雜計算和響應(yīng)速度上具有顯著優(yōu)勢,而
發(fā)表于 07-05 14:37
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在半導(dǎo)體制造中,清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程,并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點。
發(fā)表于 04-24 14:27
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三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
發(fā)表于 04-03 17:52
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TB2000已正式通過廠內(nèi)驗證,將于SEMICON 2025展會天準(zhǔn)展臺(T0-117)現(xiàn)場正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)?;慨a(chǎn)檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點后,天準(zhǔn)在高端檢測裝備國產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)
發(fā)表于 03-26 14:40
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