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汽車芯片迎來(lái)發(fā)展高峰

旺材芯片 ? 來(lái)源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2021-03-05 11:37 ? 次閱讀
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隨著汽車電動(dòng)化、智能化的發(fā)展,汽車芯片迎來(lái)發(fā)展高峰。

相對(duì)于對(duì)消費(fèi)級(jí)電子芯片,車用芯片對(duì)環(huán)境、振動(dòng),沖擊、可靠性、一致性都提出了較高的要求。一般的汽車芯片設(shè)計(jì)壽命都在 15 年 20 萬(wàn)公里左右,遠(yuǎn)大于消費(fèi)電子產(chǎn)品壽命要求,可靠性要求之高可以想象。

半導(dǎo)體在汽車中的應(yīng)用集中為傳感器、微控制器和功率半導(dǎo)體。其中,隨著汽車電子化率的提高,功率半導(dǎo)體增加量最為明顯。

因?yàn)榕c傳統(tǒng)燃油車和弱混動(dòng)力車相比,電動(dòng)汽車少了發(fā)動(dòng)機(jī)和啟停系統(tǒng),但多出了電池、電機(jī)、電控核心部件以及車載DCDC、電空調(diào)驅(qū)動(dòng)、車載充電器(OBC)等電力電子裝置。它們將動(dòng)力電池所存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)化為驅(qū)動(dòng)電機(jī)、車載低壓用電設(shè)備、空調(diào)電機(jī)所需的電能。這都離不開能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的功率半導(dǎo)體。

汽車自動(dòng)化程度越高,對(duì)功率器件的使用數(shù)量及安全性要求越高。因此,可對(duì)功率器件的檢測(cè)設(shè)備的重要性逐步凸顯。

當(dāng)前,功率器件從生產(chǎn)到銷售的各個(gè)環(huán)節(jié)均有檢測(cè)的需求,如靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、極限能力測(cè)試、老化可靠性壽命測(cè)試、失效分析等。

據(jù)悉,功率器件IGBT的壽命相關(guān)測(cè)試可以分成兩部分,一部分是對(duì)于芯片本身壽命的考核,另一部分是對(duì)機(jī)械連接的考核。其中對(duì)芯片本身壽命的考核有如下內(nèi)容:

HTRB,高溫高壓反偏測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片的耐高壓的可靠性。

HTGB,高溫門極應(yīng)力測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片門極的耐壓可靠性。

H3TRB,高溫高濕反偏測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片在高濕環(huán)境的可靠性。

HV-H3TRB,高壓高溫高濕反偏測(cè)試,這是H3TRB的更嚴(yán)苛版本,因?yàn)楦邼竦谋举|(zhì)是對(duì)芯片鈍化層的一種腐蝕,而高壓會(huì)加速這種腐蝕。

上述幾條主要是評(píng)估芯片的耐久性,在這些測(cè)試條件下,只要時(shí)間足夠長(zhǎng),芯片肯定會(huì)壞的。

對(duì)于IGBT模塊來(lái)說(shuō),模塊外部是外殼和金屬端子,內(nèi)部不僅有芯片,還有綁定線,還有絕緣陶瓷襯底,還有焊接層,我們統(tǒng)稱機(jī)械連接。那如何評(píng)估這些機(jī)械連接的耐久性呢?這就是功率循環(huán),熱循環(huán),熱沖擊,以及振動(dòng)測(cè)試。

什么是功率循環(huán)?

功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。與溫度循環(huán)測(cè)試相比,功率循環(huán)是通過(guò)器件內(nèi)部工作的芯片產(chǎn)生熱量,使得器件達(dá)到既定的溫度;而溫度循環(huán)則是通過(guò)外部環(huán)境強(qiáng)制被測(cè)試器件達(dá)到測(cè)試溫度。

簡(jiǎn)而言之,一個(gè)是運(yùn)動(dòng)發(fā)熱,一個(gè)是高溫中暑。

由于在功率循環(huán)測(cè)試中的被測(cè)試器件的發(fā)熱部分集中在器件工作區(qū)域,其封裝老化(aging)模式與正常工作下的器件相類似,故功率循環(huán)測(cè)試被認(rèn)可為最接近于實(shí)際應(yīng)用的功率器件可靠性測(cè)試而受到廣泛的關(guān)注。

功率循環(huán)測(cè)試是用于驗(yàn)證器件內(nèi)部鍵合線與焊料層可靠性的最佳測(cè)試方法。廣東能芯現(xiàn)有6臺(tái)國(guó)內(nèi)外品牌的功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備配套支持Infineon-HPD模塊的直接水冷系統(tǒng),并計(jì)劃于2021年將設(shè)備數(shù)量增加至15臺(tái),致力于打造國(guó)內(nèi)參數(shù)范圍最廣,容量最大,響應(yīng)速度最快、技術(shù)最先進(jìn)的功率循環(huán)測(cè)試平臺(tái),幫助客戶在最短時(shí)間內(nèi)建立產(chǎn)品的功率循環(huán)測(cè)試壽命模型。

作為第三方功率半導(dǎo)體器件的知名檢測(cè)服務(wù)平臺(tái),廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司2019年6月成立于廣東省佛山市,是由廣東省科學(xué)院控股的第三方功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)服務(wù)平臺(tái)。

廣東能芯現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室面積900余平米,擁有種類齊全的可靠性測(cè)試設(shè)備與分析儀器,可以完整支持-AQG-324功率半導(dǎo)體模塊與部分AEC-Q101功率半導(dǎo)體單管的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),包括高低溫沖擊、機(jī)械振動(dòng)等環(huán)境老化測(cè)試、HTRB/HTGB/H3TRB等帶電老化測(cè)試、功率循環(huán)測(cè)試、動(dòng)靜態(tài)/絕緣耐壓/熱阻等器件參數(shù)測(cè)試,以及超聲波掃描檢測(cè)等。

測(cè)試項(xiàng)目與設(shè)備展示

(1)功率循環(huán)測(cè)試

功率循環(huán)測(cè)試是用于驗(yàn)證器件內(nèi)部鍵合線與焊料層可靠性的最佳測(cè)試方法。廣東能芯現(xiàn)有6臺(tái)國(guó)內(nèi)外品牌的功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備配套支持Infineon-HPD模塊的直接水冷系統(tǒng),并計(jì)劃于2021年將設(shè)備數(shù)量增加至15臺(tái),致力于打造國(guó)內(nèi)參數(shù)范圍最廣,容量最大,響應(yīng)速度最快、技術(shù)最先進(jìn)的功率循環(huán)測(cè)試平臺(tái),幫助客戶在最短時(shí)間內(nèi)建立產(chǎn)品的功率循環(huán)測(cè)試壽命模型。

(2)HTRB/HTGB/H3TRB

HTRB/HTGB/H3TRB是用于驗(yàn)證功率器件在高溫/高濕/高電壓可靠性的最佳測(cè)試方案組合。廣東能芯具有2000V電壓范圍以內(nèi)的全套模塊與單管的HTRB/HTGB/H3TRB測(cè)試設(shè)備,并具有多種封裝形式的老化夾具,可以及時(shí)響應(yīng)測(cè)試需求。

(3)超聲波掃描顯微分析(SAM)

超聲波掃描顯微分析(SAM)可以在可靠性測(cè)試前后對(duì)比器件內(nèi)部焊料層與陶瓷基板的損壞情況。廣東能芯所采購(gòu)的超聲波掃描設(shè)備的透射掃描探頭支持對(duì)帶有pin-fin基板結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體模塊進(jìn)行失效分析。

(4)熱阻測(cè)試(Rth)

熱瞬態(tài)測(cè)試儀采用JEDEC靜態(tài)測(cè)量法,以1us的高速采樣率實(shí)時(shí)記錄溫度隨著時(shí)間的瞬態(tài)響應(yīng)曲線,通過(guò)結(jié)構(gòu)函數(shù)分析方法,獲得器件熱流傳導(dǎo)路徑上的各層結(jié)構(gòu)熱阻數(shù)據(jù)。廣東能芯所采購(gòu)的T3ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)以及MicRed PwT 1500A 功率循環(huán)系統(tǒng)可以支持單管與模塊的瞬態(tài)熱阻及結(jié)構(gòu)分析。

(5)半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀是用于檢測(cè)IGBT/MOSFET/Diode等多種功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)電學(xué)參數(shù)的測(cè)試系統(tǒng)。廣東能芯與深圳華科智源協(xié)同設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀具有量程寬、精度高、數(shù)據(jù)庫(kù)自動(dòng)歸檔等特點(diǎn),配套各類測(cè)試夾具可以在1600A/5000V范圍內(nèi)支持從單管到模塊的靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:如何考核一塊芯片的壽命?

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