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歷史原因是國(guó)內(nèi)TMR先天不足的根源

GLeX_murata_eet ? 來(lái)源:村田中文技術(shù)社區(qū) ? 作者:村田中文技術(shù)社區(qū) ? 2021-03-11 14:19 ? 次閱讀
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之前寫過(guò)一篇關(guān)于TMR技術(shù)功能和優(yōu)勢(shì)的內(nèi)容,因而也收到一些技術(shù)工程師的回應(yīng)和問(wèn)詢,主要關(guān)于國(guó)內(nèi)TMR的環(huán)境和目前現(xiàn)狀。

其實(shí)非常能夠理解終端或者集成商對(duì)于國(guó)內(nèi)技術(shù)的關(guān)切度,因?yàn)椴还軓?a target="_blank">元器件哪個(gè)分支去評(píng)估,國(guó)內(nèi)廠商對(duì)標(biāo)國(guó)外廠商,在元件產(chǎn)品檔位相當(dāng)?shù)那闆r下,往往都具有成本低、運(yùn)輸快、量產(chǎn)猛這些實(shí)打?qū)嵉膬?yōu)勢(shì)。而元器件廠商又是一個(gè)靠量產(chǎn)和出貨來(lái)謀求生存和發(fā)展的行業(yè),所以能否享受到這些優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的紅利,是至關(guān)重要的。但矛盾點(diǎn)也非常明顯,在于一些高精尖的前沿技術(shù),事實(shí)上國(guó)內(nèi)并沒(méi)有成熟配套的產(chǎn)品線,一直是處于追趕國(guó)外節(jié)奏中,而如果沒(méi)有達(dá)到國(guó)外技術(shù)的高端性,上述說(shuō)的這些實(shí)打?qū)嵉膬?yōu)勢(shì)也只不過(guò)是一種“低價(jià)買低端”的無(wú)奈之舉,依然無(wú)法從頂尖技術(shù)中獲得優(yōu)勢(shì)應(yīng)用的延展性。而TMR其實(shí)就屬于這種。今天就主要來(lái)說(shuō)一下,TMR技術(shù)在國(guó)內(nèi)的綜合現(xiàn)狀和技術(shù)壁壘性,以及未來(lái)的國(guó)內(nèi)破局點(diǎn)。

01

歷史原因是國(guó)內(nèi)TMR先天不足的根源

可能先天不足導(dǎo)致土壤匱乏是國(guó)內(nèi)眾多高精技術(shù)及其行業(yè)得不到有效發(fā)展的通病,而TMR的現(xiàn)狀可能是尤其顯著的一支。

從歷史去看,這個(gè)短板問(wèn)題會(huì)顯露得尤其尖銳和露骨。從1856年威廉·湯姆森發(fā)現(xiàn)磁阻效應(yīng),到1975年Michel Julliere發(fā)現(xiàn)低溫條件下TMR效應(yīng),國(guó)外科學(xué)家花了近120年。然后又用了20年,在1995年Terunobu Miyazaki 和Moodera才發(fā)現(xiàn)了室溫下的TMR,這才把TMR推向?qū)嵱没?dāng)然這個(gè)實(shí)用化依然是停留在極少數(shù)的工業(yè)級(jí)和學(xué)術(shù)級(jí)。之后的11年內(nèi),TMR技術(shù)在國(guó)外可以說(shuō)是迅猛崛起的11年,先是發(fā)現(xiàn)MgO作為新一代絕緣層材料(替代了原有材料鍺Ge),然后發(fā)現(xiàn)了CoFeB/MgO/CoFeB材料的高電阻率變化,接踵產(chǎn)生的連鎖反應(yīng)是第一批次專注于TMR技術(shù)研發(fā)的公司開(kāi)始冒頭,其中包括我之后會(huì)提及的專注TMR技術(shù)型公司Crocus,而從那時(shí)起TMR技術(shù)算是正式獲得業(yè)界重視并進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)開(kāi)發(fā)階段,這里劃個(gè)重點(diǎn),國(guó)外對(duì)于該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)現(xiàn)到商業(yè)化經(jīng)歷了整整150年,盡管這個(gè)時(shí)間里有很多冗余處在發(fā)現(xiàn)停滯狀態(tài),但對(duì)于技術(shù)的發(fā)明和探索依然存在100多年的積累,這保證了國(guó)外在該項(xiàng)技術(shù)上有著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)和相對(duì)壟斷性,這是無(wú)可辯駁的。那反觀國(guó)內(nèi)呢?有據(jù)可查的搜索資料里,國(guó)內(nèi)最早投入TMR技術(shù)研發(fā)的公司多維成立在10年前,并且先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品依然選擇從國(guó)外引進(jìn),這在早年的網(wǎng)絡(luò)wiki問(wèn)答里得到較為官方的回復(fù)。縱使?jié)M打滿算,國(guó)內(nèi)TMR技術(shù)的發(fā)展時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足國(guó)外的十分之一。

(內(nèi)容選自網(wǎng)絡(luò))

至此,拋開(kāi)國(guó)家屬性和關(guān)系這些復(fù)雜因素,就技術(shù)論技術(shù)而言,對(duì)于TMR國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀應(yīng)該可以產(chǎn)生比較明晰的認(rèn)識(shí),我國(guó)在TMR技術(shù)領(lǐng)域確實(shí)存在落后先進(jìn)國(guó)家的情況,當(dāng)然百余年的積淀差距一定在迅速縮小,但也遠(yuǎn)非幾年之功可以趕上。

02

TMR的技術(shù)壁壘不只是技術(shù),也是行業(yè)頑疾

很多人一定會(huì)存在不解或者不服,我們國(guó)家是舉世公認(rèn)的工業(yè)生產(chǎn)和制作大國(guó),工業(yè)GDP萬(wàn)億級(jí),為何會(huì)追趕不上國(guó)外先進(jìn)技術(shù),TMR的技術(shù)壁壘到底在哪里?從筆者的角度看,這個(gè)壁壘性是技術(shù)和行業(yè)環(huán)境共同構(gòu)筑的,并非短期內(nèi)可以改變。

一方面是技術(shù),事實(shí)上對(duì)于TMR來(lái)說(shuō),核心技術(shù)唯有兩類,材料和制造。在當(dāng)下,TMR的技術(shù)原理其實(shí)已經(jīng)沒(méi)有那么神秘不可知了。但是在商業(yè)化和工業(yè)化使用時(shí),對(duì)于使用隧穿磁阻效應(yīng)的模塊,如何在封裝大小、線性度、敏感度、測(cè)量范圍、測(cè)量精度、接觸形態(tài),包括成本上產(chǎn)生差異和優(yōu)勢(shì),這是全新命題。而這個(gè)命題里,材料,尤其是絕緣體材料,可能是重中之重。所以對(duì)于TMR技術(shù)公司來(lái)說(shuō),爭(zhēng)的向來(lái)不是某一個(gè)新配件或者新產(chǎn)品的發(fā)明,爭(zhēng)的是專利,更準(zhǔn)確地說(shuō)是材料專利和制造專利,材料決定了TMR技術(shù)的先進(jìn)性,而制造決定了TMR先進(jìn)性的實(shí)現(xiàn)度和產(chǎn)能。也正是這兩方面,基于專利的保護(hù)性,讓國(guó)外技術(shù)企業(yè)在面向國(guó)內(nèi)企業(yè)時(shí),無(wú)論是哪種形式的技術(shù)引出或者輸出依然處在一個(gè)技術(shù)封鎖的狀態(tài)之下。這是第一層壁壘。這里可以順勢(shì)提一下對(duì)于選擇TMR技術(shù)供應(yīng)商的甄別,因?yàn)檫@里面有一個(gè)比較有趣的現(xiàn)象,有些技術(shù)公司對(duì)外展示了諸多專利,但細(xì)數(shù)材料和制造專利很少,而有些公司專利量不多甚至官網(wǎng)不可查,對(duì)于材料和制造專利也模糊露出,生怕被業(yè)內(nèi)找到進(jìn)一步研發(fā)的線索,而實(shí)際上卻是個(gè)隱藏大佬,所以基于排雷原則,請(qǐng)務(wù)必好好咨詢和檢索TMR材料和制造上的能力是甄別TMR供應(yīng)商技術(shù)實(shí)力的硬道理。

第二層壁壘來(lái)自于行業(yè)內(nèi)部競(jìng)爭(zhēng)和戰(zhàn)略定位,更準(zhǔn)確的說(shuō)是工業(yè)技術(shù)研發(fā)和制造企業(yè)所在的行業(yè)。我國(guó)的工業(yè)化研發(fā)和制造處在一個(gè)非常高速的增長(zhǎng)期,這其中的本質(zhì)原因在于在世界舞臺(tái)上,我國(guó)的工業(yè)市場(chǎng)格局是一個(gè)典型的買方市場(chǎng)。某種程度上,客戶決定了行業(yè)的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)、產(chǎn)量、形態(tài),甚至是國(guó)內(nèi)的內(nèi)部競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。而在國(guó)內(nèi)低成本優(yōu)勢(shì)戰(zhàn)略的巨大紅利之下,行業(yè)內(nèi)的企業(yè)們是選擇迎合適配還是選擇挑戰(zhàn)突破是一個(gè)昭然若揭的選擇題。這也造就了國(guó)內(nèi)工業(yè)企業(yè)的戰(zhàn)略定位大環(huán)境,普遍會(huì)把自己定義為世界舞臺(tái)上的領(lǐng)先者或者不可或缺人,少數(shù)才會(huì)把自身戰(zhàn)略定位到跟隨派或者稀有技術(shù)補(bǔ)缺人。這個(gè)定位的差異并不是簡(jiǎn)單的口號(hào)差異,這直接關(guān)系到企業(yè),乃至整個(gè)大行業(yè),在資源配置、技術(shù)重心、未來(lái)布局等諸多方面的長(zhǎng)期計(jì)劃。同時(shí),這也意味著在這樣的大環(huán)境之下,TMR技術(shù)作為眾多新型技術(shù)里的一支,要在國(guó)內(nèi)得到自主性地重點(diǎn)培育,是非常困難的。但在國(guó)外,這個(gè)狀態(tài)幾乎可以說(shuō)是截然相反。西方工業(yè)化早就進(jìn)入了成熟階段,甚至有些已經(jīng)進(jìn)入了衰退階段。這讓西方的工業(yè)企業(yè)養(yǎng)成了更“惜命”的戰(zhàn)略思考,在大環(huán)境不景氣的時(shí)候,沒(méi)有理由維持增長(zhǎng)型的戰(zhàn)略態(tài)勢(shì),戰(zhàn)略緊縮才是生存之道,把自己定位成“領(lǐng)先者”的企業(yè)只有那鳳毛菱角的幾個(gè)“金剛鉆”。而在這種格局之下,多元領(lǐng)域下的技術(shù)壁壘只會(huì)更穩(wěn)固,這保證了在他們的賣方市場(chǎng)下,他們可以前進(jìn)的更扎實(shí)。

03

TMR的性能差距到底有多大?

說(shuō)了那么多環(huán)境和技術(shù)方面的現(xiàn)狀,我們不妨聚焦下具體產(chǎn)品,這無(wú)疑可以對(duì)TMR性能差異有更直觀的了解。結(jié)合我上一篇《隧穿磁阻技術(shù),磁傳感器的領(lǐng)軍者》提到的TMR的應(yīng)用分支,我選擇分別聚焦在電流檢測(cè)向、線性檢測(cè)向以及旋轉(zhuǎn)角度檢測(cè)向的不同TMR模塊產(chǎn)品性能進(jìn)行對(duì)比。而在品牌上,我選擇了Dowaytech(多維)、Sinomags、TDK以及Crocus(Murata)四個(gè)企業(yè)的產(chǎn)品,其中Crocus就是上文提到的第一批專注TMR技術(shù)的公司,它代表了TMR技術(shù)在世界范圍的當(dāng)下制高區(qū)之一,同時(shí)也代表了在國(guó)內(nèi)目前可獲取渠道上TMR技術(shù)的先進(jìn)上限,由于在亞太地區(qū)運(yùn)作問(wèn)題,Crocus是由Murata村田制作所進(jìn)行獨(dú)家授權(quán)代理,所以記為Crocus(Murata)。

首先在電流檢測(cè)和線性檢測(cè)領(lǐng)域,我在上一篇《隧穿磁阻技術(shù),磁傳感器的領(lǐng)軍者》有提到,電流和線性測(cè)量,可能是TMR傳感器最大最有價(jià)值的應(yīng)用方向之一了。原因是,無(wú)論對(duì)于液位計(jì)測(cè)量還是超大電流檢測(cè),磁傳感器有著先天優(yōu)勢(shì),而TMR的高精度、小體積和穩(wěn)定性又是眾多磁傳感器優(yōu)勢(shì)中的戰(zhàn)斗機(jī)。

(點(diǎn)擊可查看大圖)

通過(guò)比較不難看出,在電流測(cè)量范圍內(nèi)大于±1000A可能是行業(yè)高點(diǎn),而對(duì)于線性測(cè)量來(lái)說(shuō),±20mT的范圍區(qū)間也是一個(gè)高基準(zhǔn)值,在這2個(gè)區(qū)間內(nèi),基本上也可以覆蓋到了當(dāng)下對(duì)應(yīng)領(lǐng)域內(nèi)的全應(yīng)用層。但在這個(gè)層面之后,性能的差異就變得明顯起來(lái)。

首先是封裝尺寸,Crocus(Murata)最小的CT100(DFN),大概只有Sinomags的STK-GB的1/4758,螞蟻和大象的尺寸差距,同比也只有Dowaytech的1/12.8,這個(gè)大小差別不可謂不駭人。我舉個(gè)例子,或許更能解釋為什么小型化那么重要了。伴隨著物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)的下階段布局,智能開(kāi)關(guān)和電流檢測(cè)系統(tǒng)已經(jīng)開(kāi)始走入視線,而在這個(gè)技術(shù)應(yīng)用下,磁傳感技術(shù)一定是當(dāng)仁不讓的首選,當(dāng)然嚴(yán)謹(jǐn)一點(diǎn)說(shuō),不能保證TMR是唯一之選,但是在TMR模塊的選擇范圍內(nèi),小型化的極限直接決定了下一代的物聯(lián)開(kāi)關(guān)系統(tǒng),乃至生態(tài)衍生產(chǎn)品存在或者不存在兩種可能性,這也是為什么越是先進(jìn)的元件模塊越往小型化去制作,RFID是這樣,TMR也是這樣。第二個(gè)重要性能差異在于線性度,線性度是TMR傳感器體現(xiàn)其精度的重要指標(biāo)。線性度上下幅度越小,說(shuō)明測(cè)量數(shù)據(jù)的基本誤差極限和影響量引起的改變量極限越小,這里的影響量指的是類似于溫度、濕度、光線等環(huán)境干擾元素,更簡(jiǎn)單地說(shuō)也就是測(cè)量越精準(zhǔn)。在數(shù)據(jù)來(lái)看,±0.5%(MAX)表示最多產(chǎn)生±0.5%的線性誤差極限,±1%(TYP)表示普遍典型產(chǎn)品會(huì)存在有±1%的線性誤差極限,這樣去看,其實(shí)不存在什么可比較性,這里反而值得一說(shuō)的是Dowaytech的±1.2%(TYP),從有干擾因素的環(huán)境下的應(yīng)用產(chǎn)品端去審視這個(gè)性能,都是一個(gè)巨大的短板。因?yàn)槭聦?shí)上來(lái)說(shuō),TMR技術(shù)所在的領(lǐng)域要脫離干擾因素從目前看是相對(duì)比較難的,無(wú)論是電表水表的液位計(jì)、充電樁、光伏太陽(yáng)能板,一定會(huì)需要面對(duì)干擾環(huán)境,較高的線性誤差極限就很有可能會(huì)帶來(lái)較高的次品率和不良率。第三個(gè)重要性能差異在于靈敏度。其實(shí)靈敏度的差異是一個(gè)根據(jù)產(chǎn)品和應(yīng)用需求來(lái)決定好壞的標(biāo)準(zhǔn)。有些應(yīng)用需求需要高靈敏度來(lái)極限化響應(yīng)時(shí)間,而有些應(yīng)用需求需要不高的靈敏度去增強(qiáng)測(cè)量數(shù)據(jù)時(shí)的穩(wěn)定性。所以這是一個(gè)應(yīng)需決定的性能。

綜上去看,電流檢測(cè)和線性檢測(cè)向的TMR技術(shù)Crocus(Murata)的優(yōu)勢(shì)非常明顯。

我們?cè)賮?lái)看旋轉(zhuǎn)角度檢測(cè)的TMR相關(guān)模塊性能。同樣在360度無(wú)接觸標(biāo)準(zhǔn)下,3塊TMR模塊的性能差別也有了些微的體現(xiàn)。首先依然是封裝尺寸上,Crocus(Murata)的CT310(DFN)僅是Dowaytech TMR3005的1/4.5,TDK TAS2143-AAAA的1/10.7。而在精確度方面,最高0.6°的精細(xì)基準(zhǔn)也確實(shí)會(huì)比0.6°(TYP)下的不確定性來(lái)的更有技術(shù)保障,更遙遙領(lǐng)先0.8°的上限精度。自此,Crocus(Murata)的優(yōu)勢(shì)已無(wú)需過(guò)多標(biāo)榜,屬于有目共睹的技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)。

那這么來(lái)看,我國(guó)的TMR發(fā)展豈不是遙遙無(wú)期?也并非沒(méi)有破局點(diǎn)。從發(fā)展來(lái)說(shuō),TMR對(duì)于未來(lái)各領(lǐng)域的應(yīng)用幫助是劃時(shí)代意義的。當(dāng)我們放下國(guó)別,從技術(shù)務(wù)實(shí)出發(fā),重新尋求國(guó)內(nèi)技術(shù)和應(yīng)用的增長(zhǎng)方式,可能才有機(jī)會(huì)在未來(lái)真正把我國(guó)的領(lǐng)先技術(shù)帶到世界舞臺(tái)上和西方分庭抗禮。而眼下,從需求培育端出發(fā),無(wú)論是引進(jìn)和采購(gòu),盡可能靠攏國(guó)際化最新型技術(shù)優(yōu)勢(shì),讓更多有價(jià)值的應(yīng)用和領(lǐng)域發(fā)展起來(lái),維系住TMR等先進(jìn)技術(shù)的市場(chǎng)需求,倒逼買方市場(chǎng)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)需求的釋放,這樣才能良性驅(qū)動(dòng)先進(jìn)技術(shù)在國(guó)內(nèi)環(huán)境下的蓬勃發(fā)展。

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原文標(biāo)題:從TMR的國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀、壁壘解析未來(lái)破局點(diǎn)

文章出處:【微信號(hào):murata-eetrend,微信公眾號(hào):murata-eetrend】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    TDK TMR角度傳感器的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

    上周我們討論了電動(dòng)汽車電機(jī)控制技術(shù)和角度傳感器挑戰(zhàn),本周將繼續(xù)深入解析TMR角度傳感器相較于其他傳感器技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)詳細(xì)的對(duì)比表,我們將展示TMR角度傳感器如何在成本、尺寸、精度和抗干擾能力等方面超越傳統(tǒng)技術(shù),成為電動(dòng)汽車領(lǐng)域的優(yōu)選解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 07-17 16:29 ?2149次閱讀

    新品發(fā)布 | 多維科技推出超小型 TMR 線性傳感器TMR2531和TMR2539用于智能手機(jī)攝像頭馬達(dá)光學(xué)圖像防抖(OIS)

    2025年7月10日消息,多維科技(Dowaytech)推出用于智能手機(jī)攝像頭馬達(dá)光學(xué)圖像防抖(OIS)的超小尺寸TMR2531和TMR2539線性磁場(chǎng)傳感器芯片,可向智能手機(jī)市場(chǎng)批量供貨。多維
    的頭像 發(fā)表于 07-10 20:04 ?1472次閱讀
    新品發(fā)布 | 多維科技推出超小型 <b class='flag-5'>TMR</b> 線性傳感器<b class='flag-5'>TMR</b>2531和<b class='flag-5'>TMR</b>2539用于智能手機(jī)攝像頭馬達(dá)光學(xué)圖像防抖(OIS)

    多維科技TMR磁開(kāi)關(guān)傳感器選型攻略

    多維科技TMR磁開(kāi)關(guān)傳感器以低功耗(1~2μA)、高頻響應(yīng)(>5000Hz)、可編程開(kāi)關(guān)點(diǎn)和優(yōu)異的溫度特性,受到多家頭部廠商青睞。作為工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子、智能表計(jì)等領(lǐng)域的核心元件之一,其選型
    的頭像 發(fā)表于 06-10 20:03 ?1799次閱讀
    多維科技<b class='flag-5'>TMR</b>磁開(kāi)關(guān)傳感器選型攻略

    高溫環(huán)境性能驟降?聚徽分享安卓工控機(jī)散熱系統(tǒng)失效的5大根源與修復(fù)方案

    提升設(shè)備可靠性。 一、散熱失效的5大根源 1. 散熱風(fēng)扇故障 風(fēng)扇是工控機(jī)散熱的核心部件,其故障會(huì)直接導(dǎo)致散熱失效。常見(jiàn)問(wèn)題包括: 軸承磨損 :長(zhǎng)期運(yùn)行導(dǎo)致軸承潤(rùn)滑不足,風(fēng)扇轉(zhuǎn)速下降或停轉(zhuǎn)。例如,某鋼鐵廠工控機(jī)風(fēng)扇因軸承
    的頭像 發(fā)表于 06-10 10:36 ?1070次閱讀

    多維科技推出TMR8112系列高瞬態(tài)響應(yīng)磁傳感器 — 以高精度TMR磁傳感技術(shù)打造安檢新體驗(yàn)

    在安檢技術(shù)不斷革新的今天,如何在確保安全性的同時(shí)兼顧效率與隱私,成為行業(yè)亟待突破的難點(diǎn)。多維科技(Dowaytech)推出的TMR8112系列單軸、低噪聲、高瞬態(tài)響應(yīng)磁傳感器,具有強(qiáng)低頻動(dòng)態(tài)微弱磁場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 20:03 ?1385次閱讀
    多維科技推出<b class='flag-5'>TMR</b>8112系列高瞬態(tài)響應(yīng)磁傳感器 — 以高精度<b class='flag-5'>TMR</b>磁傳感技術(shù)打造安檢新體驗(yàn)

    TMR的MT9523傳感芯片在工業(yè)伺服系統(tǒng)動(dòng)態(tài)精度補(bǔ)償中應(yīng)用

    在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,伺服系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)精度直接決定了設(shè)備性能的上限。隨著工業(yè)4.0時(shí)代的深入發(fā)展,傳統(tǒng)的光電編碼器和磁編碼器在高速、高精度場(chǎng)景中逐漸暴露出響應(yīng)延遲和抗干擾不足的瓶頸。而基于隧道磁阻效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 17:25 ?1022次閱讀

    多維科技TMR136x開(kāi)關(guān)芯片讓CGM設(shè)備更智能、更省電

    江蘇多維科技(Dowaytech)憑借專研多年的隧道磁阻(TMR)技術(shù),推出可用于連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)設(shè)備(CGM)的TMR136x系列開(kāi)關(guān)傳感器芯片,擁有超低功耗、超小封裝、寬電壓兼容三大技術(shù)特性,為新一代智能健康終端提供非接觸式喚醒解決方案,助力工程師攻克設(shè)計(jì)瓶頸。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 20:03 ?1266次閱讀
    多維科技<b class='flag-5'>TMR</b>136x開(kāi)關(guān)芯片讓CGM設(shè)備更智能、更省電

    多維科技推出Z軸感應(yīng)TMR線性傳感器芯片TMR2617S

    近日,專注于磁傳感器(TMR/GMR/AMR)的制造商江蘇多維科技有限公司(MultiDimension Technology Co., LTD. ,英文簡(jiǎn)稱“MDT”)今日正式發(fā)布專為三模磁軸鍵盤
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:29 ?1871次閱讀
    多維科技推出Z軸感應(yīng)<b class='flag-5'>TMR</b>線性傳感器芯片<b class='flag-5'>TMR</b>2617S

    江蘇多維科技推出用于機(jī)器人關(guān)節(jié)的基于TMR磁阻芯片的磁編碼器方案

    對(duì)軸磁編碼器方案常規(guī)用于直流電機(jī)軸端角度檢測(cè),配合單對(duì)極充磁磁鐵和一顆TMR3110或TMR3111來(lái)實(shí)現(xiàn)。 TMR3110、TMR3111具有自校準(zhǔn)功能,配合單對(duì)極充磁磁鐵,可
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:09 ?3089次閱讀
    江蘇多維科技推出用于機(jī)器人關(guān)節(jié)的基于<b class='flag-5'>TMR</b>磁阻芯片的磁編碼器方案