大功率晶圓測(cè)試的終極解決方案

簡(jiǎn)介:適用于各種型號(hào)探針臺(tái)的ERS高壓大電流溫度卡盤Thermal Chuck

*圖1:公司logo

關(guān)于ERS electronic:

總部位于德國(guó)慕尼黑的ERS electronic公司專注于提供溫度測(cè)試解決方案50余年,公司在業(yè)界贏得了良好的聲譽(yù),特別是使用空氣作為冷卻劑且溫度變化既迅速又精確的卡盤系統(tǒng),可以做到從-65°C到550°C——在一個(gè)寬泛的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行分析,相關(guān)參數(shù)和制造測(cè)試。目前,由ERS研發(fā)的AC3, AirCool? PRIME和AirCool? 系列卡盤分別應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)各種大型晶圓探針測(cè)試臺(tái)。此外,ERS還支持eWLB和其它形式的扇出型晶圓/面板級(jí)封裝(FOWLP和FOPLP),其全自動(dòng)、手動(dòng)熱拆鍵合機(jī)和翹曲矯正機(jī)分別適用于200mm和300mm的eWLB封裝設(shè)備。

正文:

高電壓/電流市場(chǎng)是目前半導(dǎo)體應(yīng)用中增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域之一。在電動(dòng)化和可再生能源發(fā)展的推動(dòng)下,新一代電力電子器件也同時(shí)在推動(dòng)MOSFET和IGBT的發(fā)展,這也帶動(dòng)了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等其它新基質(zhì)的日益普及。

作為高電子遷移率晶體管(HEMT)之一的氮化鎵GaN。與其它基于硅的MOSFET器件相比,它的優(yōu)勢(shì)顯著體現(xiàn)在禁帶寬大、開(kāi)關(guān)切換時(shí)間極短、更高的功率密度和擊穿電壓,以及更好的熱導(dǎo)率。如今,它被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如手機(jī)快速充電器、軍用雷達(dá)設(shè)備、高速軌道交通和5G網(wǎng)絡(luò)等。

與GaN一樣,SiC也具備高電壓和高溫的特點(diǎn),但由于其壓敏電阻特點(diǎn),在600V或更高電壓上,與GaN相比則有更好的表現(xiàn)。作為第一個(gè)成功商業(yè)化的寬禁帶半導(dǎo)體SiC,從2018年被應(yīng)用到特斯拉汽車上以來(lái),混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車以及充電站便成為了SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/p>

隨著SiC/GaN 器件技術(shù)的成熟, 以及其成本的不斷降低,SiC/GaN 器件有望加速滲透。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè),2023 年 SiC、GaN 電力電子器件的市場(chǎng)規(guī)模將分別增長(zhǎng)至 14 億和 3.7 億美元,市場(chǎng)滲透率分別達(dá)到 3.75%和1%。GaN 射頻器件在 5G 宏基站建設(shè)和國(guó)防建設(shè)的旺盛需求下,疊加 GaN 射頻器件成本下降,需求有望快速放量,根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),2023 年 GaN 射頻器件需求量將達(dá)到 194.3 百萬(wàn)個(gè),19- 23 年 CAGR 達(dá)到 85.8%。

對(duì)晶圓針測(cè)業(yè)的挑戰(zhàn)

在科技迅猛發(fā)展的大背景下,電力電子世界一直被視為一個(gè)較為保守的領(lǐng)域,SiC和GaN的出現(xiàn),不僅開(kāi)啟了電力市場(chǎng)的新篇章,也為晶圓測(cè)試行業(yè)帶來(lái)了新的考驗(yàn)。如何在滿足大功率測(cè)試需求的同時(shí),保持溫度的穩(wěn)定和準(zhǔn)確性,以確保良率,是每個(gè)設(shè)計(jì)工程師都需要考慮的問(wèn)題。

半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)最重要的裝備之一就是探針臺(tái),在測(cè)試過(guò)程中,晶圓被輸送到溫度卡盤上,使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測(cè)試。經(jīng)過(guò)檢測(cè),探針臺(tái)將參數(shù)不符合要求的芯片記錄下來(lái),在進(jìn)入后序的工藝流程之前予以剔除。在這個(gè)過(guò)程中,對(duì)測(cè)試環(huán)境起到?jīng)Q定性作用的便是和晶圓親密接觸的溫度卡盤。

與普通的測(cè)試環(huán)境相比,除了需要保證寬泛的測(cè)試溫度范圍、卡盤溫度的均勻性和穩(wěn)定性等,高電壓/電流的特殊測(cè)試環(huán)境也為卡盤的設(shè)計(jì)增加了更多新的挑戰(zhàn)。例如,在大電流的測(cè)試環(huán)境下,較大的接觸電阻會(huì)加速晶圓溫度升高,如果熱量不能得到及時(shí)分散,晶圓就有被損壞的危險(xiǎn),那么在設(shè)計(jì)溫度卡盤的時(shí)候就必須首先要考慮如何最小化接觸電阻,保證RDS(on)的精準(zhǔn)測(cè)量。其次還需要確保在高壓環(huán)境下低漏電,以避免擊穿的發(fā)生。另外,卡盤還需靈活應(yīng)對(duì)一些特殊類型的晶圓, 如薄晶圓、Taiko等。

ERS的解決方案——高壓大電流溫度卡盤

在高電壓測(cè)試和超低噪聲晶圓針測(cè)方面積累了超過(guò)15年經(jīng)驗(yàn)的ERS electronic,針對(duì)高電壓/電流的測(cè)試環(huán)境,設(shè)計(jì)了一款可以保證在高達(dá)10kV的高壓下超低漏電、避免擊穿,并同時(shí)兼具寬泛的溫度測(cè)試范圍(-55°C到+300°C)的卡盤。它的問(wèn)世,很好的解決了高電壓/電流的背景下,晶圓測(cè)試領(lǐng)域所面臨的諸多難題。

在高電壓的情況下保證超低漏電

通過(guò)對(duì)上百種絕緣材料在不同的溫度環(huán)境下的反復(fù)實(shí)驗(yàn),并綜合考量生產(chǎn)成本等因素,ERS electronic 的工程師們選擇出了最適合的絕緣材料,來(lái)將接觸電阻(Rc)減小到最小,以保證在高壓環(huán)境下超低漏電流。目前,該卡盤支持最大電流600安培,電壓從1.5千伏到10千伏不等,具體漏電測(cè)試參數(shù)如下:

*表1:ERS electronic高壓大電流溫度卡盤漏電測(cè)試參數(shù)

其中,3 kV Triaxial 和3 kV ULN(3 kV超低噪聲)可以在最高300攝氏度的測(cè)試溫度下,通過(guò)三軸的連接方式,達(dá)到3kV電壓。對(duì)于高壓測(cè)試當(dāng)中漏電流的測(cè)量,目前常用的測(cè)試工具有Keysight以及Keithley公司的系列漏電流檢測(cè)儀器等。

*圖2-4:Keysight,Keithley公司的系列漏電流檢測(cè)儀器

10kV Coaxial (兼容3 kV ULN ):當(dāng)測(cè)試電壓為10kV時(shí),選用同軸的連接方式可以阻隔高達(dá)10kV的電壓。另外,卡盤頂部另配有直接連接電纜,以支持晶圓測(cè)試高電壓/電流偏置,其余部分則通過(guò)接地的設(shè)置來(lái)起到保護(hù)作用。

最小化接觸電阻,實(shí)現(xiàn)RDS(on)的精準(zhǔn)測(cè)量

最小化接觸電阻,即將晶圓與卡盤之間的接觸電阻最小化。廣義上說(shuō),接觸電阻指的導(dǎo)體間呈現(xiàn)的電阻,真正的接觸電阻是由集中電阻、膜層電阻以及導(dǎo)體電阻組成的。影響接觸電阻的因素有很多,例如接觸件的材料、接觸的表面產(chǎn)生并垂直于接觸表面的力、接觸件表面的狀態(tài)、以及施加的電壓/電流大小等。

綜合考慮上述影響因素,并結(jié)合多年探針臺(tái)密封集成的經(jīng)驗(yàn),ERS electronic的卡盤工程師在研發(fā)高壓大電流卡盤之時(shí)嚴(yán)格把控卡盤內(nèi)外部細(xì)節(jié),從電學(xué)性能到外觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。在生產(chǎn)過(guò)程中,通過(guò)采用ERS electronic的先進(jìn)鍍層工藝技術(shù),保證卡盤盤面絕佳的硬度、粗糙度和平整度,在降低接觸電阻的同時(shí),確保了整個(gè)盤面接觸電阻的一致性,最終實(shí)現(xiàn)對(duì)RDS(on)的精確測(cè)量。

先進(jìn)的鍍層工藝:保證卡盤經(jīng)久耐用

*圖5:ERS electronic高壓大電流溫度卡盤

憑借先進(jìn)的鍍層工藝,在重復(fù)使用后,ERS electronic的高壓大電流溫度卡盤不會(huì)發(fā)生起皮、變形、氧化發(fā)黑等現(xiàn)象。

獨(dú)特的可更換卡盤頂盤服務(wù):理想的薄晶圓/Taiko晶圓解決方案

*圖6:可用于Taiko的ERS卡盤

隨著芯片應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展,芯片設(shè)計(jì)也趨于多樣化和定制化,基于不同的測(cè)試類型和晶圓種類,對(duì)應(yīng)的測(cè)試方案也千差萬(wàn)別。與客戶長(zhǎng)期接觸的過(guò)程中,ERS electronic發(fā)現(xiàn)通過(guò)僅更換卡盤頂盤的方法就可以滿足一些測(cè)試需求,例如,如果需要對(duì)Taiko晶圓進(jìn)行測(cè)試,不必重新購(gòu)買卡盤,僅更換適合Taiko晶圓測(cè)試的卡盤頂盤,就可以在大幅節(jié)約成本的同時(shí),滿足用戶的測(cè)試需要。ERS electronic提供的現(xiàn)場(chǎng)更換卡盤頂盤服務(wù),旨在不影響企業(yè)生產(chǎn)效率的同時(shí),應(yīng)對(duì)當(dāng)今對(duì)測(cè)試需求不斷的升級(jí)變化。該服務(wù)一經(jīng)推出便受到業(yè)界的廣泛好評(píng),它也成為了目前晶圓封測(cè)行業(yè)獨(dú)具特色的優(yōu)質(zhì)解決方案。

選擇ERS高壓大電流卡盤七大理由

憑借多年“以客戶為中心”的經(jīng)營(yíng)理念和對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的嚴(yán)格控制,除了多種可供選擇的測(cè)試電壓/電流和三軸/同軸的連接方式以外,能夠讓ERS electronic的高電壓/電流卡盤在眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手里脫穎而出的是高壓兼具高溫的性能,旨在確保高電壓,超低漏電,防擊穿的同時(shí),仍能滿足客戶對(duì)高溫(高達(dá)300℃)的測(cè)試需求,這也成為了ERS electronic高壓大電流卡盤最大的技術(shù)亮點(diǎn)之一。

除此之外,ERS electronic獨(dú)特的探針臺(tái)載物臺(tái)定制化服務(wù),讓處理薄晶圓、Taiko晶圓等特殊形態(tài)的晶圓變成可能?？蛻舨粌H可以根據(jù)自己的需要選擇卡盤的類型,還可以選擇“僅更換卡盤頂盤”的服務(wù),以應(yīng)對(duì)測(cè)試需求不斷升級(jí)的半導(dǎo)體市場(chǎng)。

作為ERS大中國(guó)區(qū)技術(shù)合作的第三方——上海晶毅電子科技有限公司CEO彭先生認(rèn)為, “ERS electronic推出的高壓卡盤恰好彌補(bǔ)了高電壓/電流晶圓測(cè)試領(lǐng)域的不足高溫與高壓測(cè)試兼具、一流的鍍金表面以及可更換的卡盤頂盤服務(wù),為客戶提供更多的靈活性,同時(shí)還讓我們看到了晶圓測(cè)試行業(yè)未來(lái)技術(shù)發(fā)展的無(wú)限可能。 “

*圖7:選擇ERS 高壓大電流卡盤的七大理由

該高壓大電流卡盤屬于ERS推出的定制化卡盤服務(wù),該系列產(chǎn)品里還有針對(duì)晶圓翹曲的強(qiáng)真空卡盤、適用于溫度濕度等傳感器的溫度高均勻性卡盤、免磁性卡盤,以及超低噪聲卡盤等。如果您想了解更多關(guān)于晶圓溫度測(cè)試的技術(shù)信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)ERS中文官方網(wǎng)站https://www.ers-gmbh.com/zh-hans

另外,ERS electronic還將出席于5月6日到8日在重慶國(guó)際博覽中心召開(kāi)的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)。此次展覽將攜手深圳森美協(xié)爾科技SEMISHARE,全方位展示晶圓測(cè)試設(shè)備,一同為先進(jìn)探針臺(tái)賦能,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。歡迎您前來(lái)展臺(tái)N8-T18,與ERS的工作人員交流、洽談。