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SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解

h1654155282.3538 ? 來源:半導(dǎo)體技術(shù)人 ? 作者:半導(dǎo)體技術(shù)人 ? 2021-05-08 17:47 ? 次閱讀
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SGT-MOS結(jié)構(gòu)

屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度:0.7um

屏蔽柵底部氧化層厚度:0.5um

屏蔽柵隔離氧化層厚度:0.3um

屏蔽柵寬度:0.4um

屏蔽柵縱向長(zhǎng)度:3.4um

o4YBAGCWXnCAfWb2AAJRRGig5dc562.png

(2)SGTMOS轉(zhuǎn)移特性

o4YBAGCWXneAGHsEAAHC_65fCKs474.png

SGT(split-gate-trench,分裂柵極溝槽)結(jié)構(gòu)因其具有電荷耦合效應(yīng),在傳統(tǒng)溝槽mosfet垂直耗盡(p-body/n-epi結(jié))基礎(chǔ)上引入了水平耗盡,將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?。在采用同樣摻雜濃度的外延規(guī)格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓,該結(jié)構(gòu)在中低壓功率器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

MOS器件第一個(gè)深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場(chǎng)板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP)和柵極電荷(Qg)。
責(zé)任編輯人:CC

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