專注ALD創(chuàng)新，助力超越摩爾

據麥姆斯咨詢報道，2021年5月25日，思銳智能（SRII）與國家智能傳感器創(chuàng)新中心戰(zhàn)略合作簽約儀式暨SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產品技術路演在上海嘉定隆重舉行。思銳智能總經理聶翔先生在戰(zhàn)略合作簽約儀式致辭中表示：“與國家智能傳感器創(chuàng)新中心的全面戰(zhàn)略合作是思銳智能深化在超越摩爾領域布局最重要的戰(zhàn)略舉措。雙方建立了聯合研發(fā)實驗室，并已全面投入使用之中。未來雙方將重點開展面向MEMS和CMOS圖像傳感器等重要領域的聯合研發(fā)工作，以開放包容的機制為超越摩爾行業(yè)提供全面系統的技術解決方案！”

“國家智能傳感器創(chuàng)新中心和思銳智能都青睞‘智能’兩個字，都對超越摩爾產業(yè)情有獨鐘，雙方就以原子層沉積（ALD）設備及技術作為起點，建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，未來將在制造工藝設備的國產化，以及新材料、新工藝、新器件、新應用等方面展開合作研究，非常值得期待?！眹抑悄軅鞲衅鲃?chuàng)新中心副總裁焦繼偉博士表示，“此次戰(zhàn)略合作協議的簽訂，標志著我們雙方合作跨上了一個新的臺階！”

在SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產品技術路演環(huán)節(jié)，思銳智能聶總首先介紹公司情況：“思銳智能成立于2018年，對標國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展方向，針對半導體裝備關鍵核心技術，全資收購了芬蘭的BENEQ公司——擁有近40年的ALD技術經驗。現在，BENEQ公司是我們海外技術研發(fā)中心，同時正在組建國內技術中心和產業(yè)化中心。思銳智能致力于成為世界一流的ALD設備和服務提供商。”

隨后，聶總闡述了思銳智能發(fā)展歷程、ALD技術特點、鍍膜工藝過程、業(yè)務布局（包括開發(fā)服務、ALD設備、鍍膜服務）等內容，并推薦了Transform系列產品——面向超越摩爾、集成電路和泛半導體的系列化ALD解決方案，支持Thermal batch ALD和PE-ALD，適用于Al?O?、SiO?、HfO?、Ta?O?、TiO?、TiN、AlN、SiN等典型鍍膜工藝。目前，8英寸ALD設備獲得來自歐、美、日和國內知名半導體客戶訂單，第二代12英寸ALD設備預計2021年底推出，已有多個高度意向訂單。

在產品技術詳解環(huán)節(jié)，兩位BENEQ芬蘭專家通過云端聯線方式作了主題為“BENEQ ALD和Semi ALD產品”和“ALD技術在功率氮化鎵和碳化硅、射頻和CMOS圖像傳感器等領域的應用”兩個精彩報告。BENEQ半導體業(yè)務負責人Patrick Rabinzohn表示：“從研發(fā)階段到批量生產，BENEQ ALD設備都可提供靈活的解決方案。我們已將單片、批量、熱法及等離子體增強功能集成在同一平臺上，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求。在批量生產方面，BENEQ Transform系列憑借多功能性和靈活性，制造了全新的ALD集群工具設備，既能滿足特定的晶圓產能要求，也可為應對不斷增長的產量或新的ALD應用而進行升級，因此可適用于廣泛的應用場景。Transform系列擁有非常高的產能和性能，使得單片晶圓加工成本非常低?！?/p>

BENEQ半導體業(yè)務技術總監(jiān)Alexander Perros針對ALD技術的超越摩爾應用案例進行介紹：“在功率器件方面：ALD技術適用于氮化鎵、碳化硅以及傳統的IGBT，主要涉及高K電介質的薄膜沉積，包括柵極絕緣層的沉積，旨在實現低界面態(tài)或高擊穿電壓。在射頻濾波器方面：ALD技術在改善壓電材料的性能的壓電系數和機電耦合系數方面發(fā)揮重要作用。在射頻IC方面：ALD表面鈍化方法和高介電柵極疊層對于III-V材料上的MOS是必不可少的。在MEMS方面, ALD技術可以形成抗粘連疏水膜和保形密封層。在圖像傳感器、LED、光電子方面，ALD是用于表面鈍化和防反射鍍膜的解決方案?！?/p>

BENEQ ALD技術的超越摩爾應用矩陣

在最后的媒體專訪環(huán)節(jié)，思銳智能聶總就大家關心的產業(yè)熱點和公司布局進行解答。聶總表示：“我們把BENEQ的技術優(yōu)勢和思銳智能的整合能力結合在一起，實現芬蘭和中國兩邊協同研發(fā)，并讓工作變得更加高效。今年下半年也會打造國內的產業(yè)化基地，加大技術的本地化，更好地服務中國大市場。在MEMS方面，我們已經在MEMS加速度計、MEMS陀螺儀、MEMS麥克風、射頻濾波器等領域有了成功經驗，下一步我們將針對集成電路加速12英寸ALD設備研發(fā)進程，目前主流廠商已經有了意向訂單?！?/p>

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