接下來我們討論一下Igs電流。

由于下拉電阻R2比柵極驅(qū)動電阻R3大很多，所以，接下來分析時忽略掉下拉電阻，這個時候就要看電容了。剛開始充電的是時候，電容的電壓為0。所以，最開始的充電電流就是12V/100R=120mA，這就是Igs最開始的充電電流。

那么，如果GS電容的電充滿了，對于R2下拉電阻這條電路而言的電流就是12V/18K=0.67mA，是一個特別小的電流。通過分析，我們知道，Igs電流是和Vgs電壓是反過來的。

還有朋友在實測時，發(fā)現(xiàn)Vds電壓波形與Id的電流波形是不同相位的，電流滯后于電壓，這是由于電流探頭精度不高引起的。電流探頭上有一個頻率，如果是Hz級別的，肯定是不行的，測不準的。電流能響應(yīng)的開關(guān)頻率要高才行，這樣的探頭要1萬元左右，而且是有源電流探頭，而價格低的電流探頭延時性就很大。

雖然當米勒平臺區(qū)過了之后，Vgs的電壓會繼續(xù)升高，但是隨著Vgs的不斷升高，Rdson還是會有變化，只有達到一定的電壓了，Rdson才會達到數(shù)據(jù)手冊上所宣稱的阻值。實際上，根據(jù)大量的經(jīng)驗，一般我們認為當Vgs兩端的電壓達到10V以上時，Rdson才會達到最小值，如果再給一個余量的話，建議Vgs驅(qū)動電壓差不多12V或15V，這也是因為這兩個電壓經(jīng)常在電路中用到。

我們通過分析知道，MOSFET的米勒平臺區(qū)域是最危險的區(qū)域。那么在整個MOSFET一個周期內(nèi)，它的損耗有哪些呢？

t0-t1時刻，無損耗；

t1-t2時刻，有損耗，用平均電流Id/2*Vds；

t2-t3時刻，有損耗，用平均電壓*Id；

t3-飽和導通時刻，有損耗；

飽和導通之后，導通損耗，Rdson*Id^2。

那么關(guān)斷波形和開通是接近的，這里就不作分析了。

由于MOSFET在開通期間，既有電壓又有電流，則存在開通損耗；那么在關(guān)斷期間，也會有損耗，叫做關(guān)斷損耗。

總結(jié)一下，MOSFET的四大損耗：開通損耗、關(guān)斷損耗、導通損耗、續(xù)流損耗

由于Vbus電壓和負載電流不能改變，所以開關(guān)損耗由米勒平臺的時間決定的。要想降低開關(guān)損耗，就要縮短米勒平臺的時間，減小柵極電阻的阻值，增大柵極驅(qū)動電流；提高柵極驅(qū)動電壓；還有就是選擇米勒電容的大小，也就是快管或慢管。

原文標題：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（六 ）

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