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MOS管導(dǎo)通電流能否反著流 MOS管體二極管能過多大的電流

2Jr9_gh_ ? 來源:硬件工程師煉成之路 ? 作者:硬件工程師煉成之 ? 2021-08-18 10:02 ? 次閱讀
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今天來說 兩個問題:

1、MOS管導(dǎo)通電流能否反著流?D到S,S到D方向隨意?2、MOS管體二極管能過多大的電流?

為啥會有這兩個問題?

我們在最開始學(xué)習(xí)MOS管的時候,應(yīng)該都是從NMOS開始的,電流的方向都是從D到S的。

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而實(shí)際應(yīng)用電路,NMOS會有電流從S到D的情況,比如下面這個NMOS管防電源反接電路(僅僅是個示意圖,實(shí)際電路需要多考慮一些因素)。

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原理我還是先大致說下。

1、在電源正常接入的時候

電源正極VCC經(jīng)過后級負(fù)載電路接到體二極管,那么體二極管就會導(dǎo)通,于是此時S極的電壓就約為0.7V左右(體二極管導(dǎo)通電壓)。

同時柵極G極接的是VCC,所以Vgs=Vcc-0.7V》Vgsth,NMOS管會導(dǎo)通。NMOS管導(dǎo)通之后,導(dǎo)通壓降基本為0,那么Vgs=Vcc,MOS管維持導(dǎo)通狀態(tài)。

這樣整體電源通路就是通的,電源給后級負(fù)載供上了電,后級電路正常工作。

這里有一點(diǎn)需要特別注意,就是此時MOS管的電流是S到D的,與往常我們經(jīng)常見的D到S是反的。

2、在電源接反的時候(電源和地接反了)

柵極G接電源負(fù)極,也就是0V,S極經(jīng)過負(fù)載接到了電源負(fù)極,也就是0V,所以Vgs=0V,MOS管也不導(dǎo)通。

與此同時, D極為Vcc,S極為0V,體二極管反向偏置,也不導(dǎo)通,所以無法通過NMOS管流過電流。

對于負(fù)載來說,就是電源斷開了。

接反的電源不會懟到后面的負(fù)載上面,所以后級電路就不會燒了,我們只要把前面的電源正負(fù)極接對,那么后級電路又能正常工作了,如此,便實(shí)現(xiàn)了防反接的功能。

需要說一點(diǎn),這里的防反接并不是說電源接反了,后級電路也還能工作。而是電源接反了,后級電路不會冒煙燒壞了。

我以前乍一看到這個電路的時候,其實(shí)是心里打鼓的

這個MOS管導(dǎo)通時,電流能反著流?D到S,S到D無所謂嗎?

除了這個電流的方向問題,還有就是MOS管的體二極管問題,這個二極管能過多大的電流?

如果不了解,會認(rèn)為這個二極管能流過的電流非常小,因?yàn)樗€有一個名稱叫“寄生二極管”,很容易被它騙。

寄生二字,會很容易讓人聯(lián)想到寄生電感,寄生電容,而這兩個東西一般都是很小的,所以很容易誤認(rèn)為這個寄生二極管也很弱,過不了比較大的電流。

問題解答

這兩個問題,其實(shí)用一個電路就能解答了,就是下面這個BUCK電路。

2aba3fb0-ff5c-11eb-9bcf-12bb97331649.png

應(yīng)該都知道上面這是個buck電路吧,下管是NMOS管,在上管斷開,下管導(dǎo)通的時候,電感的電流來源于下管。

也就是說,下管NMOS的電流方向是從S到D的,也就是反著流,并且這個電流可以是很大的,因?yàn)殡姼械碾娏魇强梢员容^大的,跟負(fù)載有關(guān)。

除此之外,從之前的文章《BUCK的振鈴實(shí)驗(yàn)與分析》里面我們也知道,BUCK在開關(guān)切換的時候,會存在死區(qū)時間(上管和下管都不導(dǎo)通的時候)。而電感的電流是不能斷的,死區(qū)時間電感的電流就是走的下管的體二極管。

又因?yàn)殡姼械碾娏魅Q于負(fù)載電流,是可以到幾安培的,所以說下管的體二極管的電流也是可以很大的。

那MOS管的體二極管電流最大能到多少呢?選型的時候需要考慮嗎?

很多MOS管是不標(biāo)注這個參數(shù)的,但是也有一些廠家標(biāo)注了,比如這個NMOS管SI9804

從上面手冊看到,可以通過的持續(xù)電流是2.1A。

這個是怎么來的呢?

這個我覺得可能是根據(jù)功耗限制來的。

如果通過的電流時間很短,那么可以通過更大一點(diǎn)的電流,如果時間比較長,那么流過的電流就不能太大。

從上圖可以看到,環(huán)境溫度25℃的最大功耗是2.5W。這么看的話,前面說的持續(xù)電流是2.1A,應(yīng)該也是根據(jù)功耗限制來的。

根據(jù)常規(guī)硅二極管,通過2.1A電流時,導(dǎo)通壓降大概是1V左右,那么功耗就是P=2.1A*1V=2.1W,跟2.5W也差不太多。

當(dāng)然,以上只是我的猜測而已,并沒有找到什么比較官方的說法。

一個更詳細(xì)的手冊

寫到這里,我又找到一個更為詳細(xì)的MOS管手冊,英飛凌的NMOS管BSC059N04LS6,里面有詳細(xì)介紹體二極管的過流能力,包括持續(xù)和瞬間的電流。

這個手冊讓我確信了上面的猜測。

下面是BSC059N04LS6手冊里面的體二極管的參數(shù)

從上表直接可以看到,體二極管的持續(xù)電流是可以到38A,脈沖電流是可以到236A的,同時,也可以看到,二極管最大導(dǎo)通電壓是1V。

可能會有些詫異,這個二極管持續(xù)電流能到38A這么大?

實(shí)際應(yīng)用自然是到不了,我們需要注意上面是有個條件,那就是Tc=25℃的,c是case,也就是外殼保持25℃情況下的。

我們實(shí)際應(yīng)用中,如果不加特別的散熱措施,肯定是沒法保證這個MOS外殼是這個溫度,自然也就不能持續(xù)通過38A的電流。

不過這也無關(guān)緊要,我們僅僅是看這個參數(shù)的意義,想知道它是怎么來的。

我們再看看手冊里面的功耗限制

可以看到,在Tc=25℃時,功耗限制是38W,前面知道導(dǎo)通電壓是1V,電流限制是38A,正好功耗限制等于電壓乘以電流,這也太巧了。

所以,體二極管能通過的電流就是根據(jù)功耗限制來的沒跑了。

同時,我們看到,在Ta=25℃,功耗限制是3W,這個Ta就是環(huán)境溫度了,這個與實(shí)際使用情況應(yīng)該是更為接近的(不使用特別散熱措施)。

如果用這個值計算,那么體二極管能持續(xù)通過的電流也就是3W/1V=3A左右,當(dāng)然,這個是我的推測,手冊里面沒寫。

到這里,至少我們應(yīng)該知道了,體二極管還是能過比較大的電流的。

當(dāng)然,還有一個問題,上面說的是持續(xù)的電流,必然還有瞬間電流的問題,瞬間電流能過多大呢?

這個問題反而更為重要一點(diǎn),因?yàn)檎J褂弥?,我們不會給MOS管的體二極管通過持續(xù)時間比較長的電流。如果有這個需要,我們直接讓MOS管導(dǎo)通不就好了嗎,功耗還能更低。

前面舉例的BUCK中,體二極管也只是在死區(qū)時間才會有電流通過,這個時間是相當(dāng)短暫的。

所以這個瞬間能過多大的電流反而更值得看一看。

我們還是看BSC059N04LS6的手冊,因?yàn)樗贾苯訕?biāo)出來了。

這個管子導(dǎo)通電流可以到59A,在10us時間內(nèi)能通過的電流是236A,而體二極管也是236A,二者是相同的,而且都很大,也就是說體二極管的瞬間電流根本就不會成為使用的瓶頸。

也許這就是為什么我們很少去關(guān)注MOS管的體二極管的電流,只看MOS管導(dǎo)通電流夠不夠大。

以上內(nèi)容小結(jié)一下:

1、MOS導(dǎo)通后電流方向其實(shí)可以雙向流動,可以從d到s,也可以從s到d。2、MOS管體二極管的持續(xù)電流可以根據(jù)MOS管的功耗限制來計算,3、MOS管體二極管瞬間可以通過的電流,等于NMOS管導(dǎo)通后瞬間可以通過的電流,一般不會是瓶頸

本來寫到這里,文章也已經(jīng)可以結(jié)束了,不過我還是想著能不能從MOS管的原理上看出上面的內(nèi)容。

以下是我的一些理解,供參考。

NMOS管的結(jié)構(gòu)

我們看一下NMOS管的結(jié)構(gòu)。

以NMOS為例,S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體,襯底為P型半導(dǎo)體,并且襯底和S極是接到一起的。

在Vgs電壓大于門限電壓Vth時,也就是柵極相對襯底帶正電,它會將P型襯底中的少子(電子)吸引到P型襯底上面,形成反型層,也就是導(dǎo)電溝道。

這時,我們會看到,S和D本身是N型半導(dǎo)體,有很多自由電子,S和D之間也有很多電子,也可以導(dǎo)電。

也就是說,S和D之間,是連通的,到處都有自由電子,可以移動。

因此,我們給S和D之間加上電壓,就會形成電流,而且是不管電壓的方向如何,只要有電壓,就能形成電流,二者沒有什么差別。

也就說,電流可以雙向流動,可以從D到S,也可以從S到D。

我們接著看體二極管的過流能力

P和N型半導(dǎo)體放到一起,總會形成PN結(jié),也就是二極管。S和D之間體二極管實(shí)際是漏極D與襯底形成的,因?yàn)镾和襯底是接到一起的,那么也就是D和S之間有個體二極管了。

MOS管導(dǎo)通,原理就是因?yàn)闁艠O吸引了P型襯底里面的少子(電子),形成了導(dǎo)電溝道,這個溝道想想也應(yīng)該比較窄,但是它已經(jīng)能夠支撐起Id的電流了(MOS管導(dǎo)通時電流,每個NMOS都有這個參數(shù))。

那么作為體積大,面積也大的襯底,它與漏極形成的PN結(jié),自然流過的電流達(dá)到Id沒啥問題(不考慮溫度的話)。

不過因?yàn)樾纬傻臏系雷柚岛艿?,不怎么發(fā)熱,而PN結(jié)總有個導(dǎo)通壓降,流過電流會發(fā)熱,這是個大劣勢,所以體二極管受制于這個發(fā)熱的問題。

所以最終的結(jié)果就是,我們會看到體二極管流過的持續(xù)電流受制于MOS管的功耗。

以上關(guān)于原理的說法,看著是自洽的,純屬個人看法,如有問題,歡迎在留言區(qū)指正。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:MOS管電流方向能反嗎?體二極管能過多大電流?

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