（文/程文智）根據(jù)書本上的定義，兩個相互靠近的導體，中間夾一層不導電的絕緣介質(zhì)，就構(gòu)成了一個電容。當兩個極板之間加上電壓時，電容就回儲存電荷。

按制造材料的不同可以分為，瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，聚丙烯電容等等。在不久前的Elexcon國際電子展上，<電子發(fā)燒友網(wǎng)>小編發(fā)現(xiàn)了一款新的電容---硅電容。

根據(jù)村田展臺上的工作人員介紹，硅電容使用了半導體的制造工藝，利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點是介電層使用的是硅材料。



工作人員對電子發(fā)燒友網(wǎng)表示，村田的高密度硅電容通過應用半導體的MOS工藝實現(xiàn)了三維化，大幅增加了電容的表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。具體來說，使用的是干法蝕刻技術的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術，它可以讓通過SF6氣體進行蝕刻和通過C4F8形成保護膜高速重復，從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

根據(jù)村田官網(wǎng)的介紹，在硅的單晶基板上形成的3D結(jié)構(gòu)上形成單個MIM和多個MIM結(jié)構(gòu)（MIM結(jié)構(gòu)是金屬/電介質(zhì)/金屬的多層結(jié)構(gòu)）。

圖：村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)

硅電容的優(yōu)勢
與其他電容，比如說MLCC相比，硅電容有不少好處。因為使用的是硅材料，硅的穩(wěn)定性能比較好，因此硅電容也相應具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。

還有一個優(yōu)勢是，硅電容可以做得更小更薄，標準化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。

還有值得注意的是硅電容是沒有極性的。



應用場景
硅電容可以用在哪些地方呢？由于硅電容的高可靠性、高頻特性及可定制性，它可用于醫(yī)療、光通信、基站和車載市場。村田在本次展會上主要展示的是硅電容在激光雷達中的應用。