器件噪聲的影響在納米級(jí) CMOS 工藝中極為關(guān)鍵，因?yàn)樗诟旧现萍s了許多 45 nm 及以下工藝電路的性能。使用正確的工具，器件噪聲分析 （DNA）將是一個(gè)相當(dāng)簡(jiǎn)單的過(guò)程，并且仿真結(jié)果與硅片測(cè)量結(jié)果只有 1 - 2 dB 的誤差。但有幾種常見(jiàn)的錯(cuò)誤可能導(dǎo)致嚴(yán)重高估或低估器件噪聲的影響，進(jìn)而造成嚴(yán)重的過(guò)度設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)不足。

DNA 有三種基本類型。瞬態(tài)噪聲分析是一種適用于所有電路類型的統(tǒng)計(jì)時(shí)序方法。瞬態(tài)噪聲分析也是唯一適用于非周期性電路的器件噪聲分析。對(duì)于周期性驅(qū)動(dòng)電路（例如電荷泵和開(kāi)關(guān)電容濾波器）而言，周期噪聲分析通常要比瞬態(tài)噪聲分析快得多，并且能夠提供更全面的診斷信息。同理，對(duì)于周期性自激電路而言，振蕩器

噪聲分析通常要比瞬態(tài)噪聲分析快得多，并且能夠提供更全面的診斷信息（例如器件貢獻(xiàn)和靈敏度分析）。由于瞬態(tài)噪聲分析適用于所有電路類型，因此它可提供一種有效的方法來(lái)對(duì)周期性電路和振蕩器進(jìn)行交互檢查。如果使用得當(dāng)，上述所有方法得到的結(jié)果和硅測(cè)量結(jié)果的誤差都只在 1 - 2 dB 以內(nèi)。

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