華邦256Mb HyperRAM 2.0e KGD 良裸晶圓封裝為Efinix Ti60 F100 提供高性能、低功耗、小尺寸的內(nèi)存選擇，充分滿足嵌入式邊緣AI應(yīng)用的多種需求

與傳統(tǒng) DRAM 所需配備 31-38 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)引腳相比，僅需 22 個(gè)信號(hào)引腳的華邦 HyperRAM 2.0e KGD，可使設(shè)計(jì)人員大幅減少其空間占用并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

華邦 HyperRAM 可實(shí)現(xiàn)超低功耗：主動(dòng)模式下功耗與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 DRAM 等同或更低，同時(shí)提供140 uW的待機(jī)功耗。此外混合睡眠模式的功耗僅為 70uW

2021年10月20日中國(guó), 蘇州訊 —— 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，可編程產(chǎn)品平臺(tái)和技術(shù)的創(chuàng)新廠商Efinix選擇華邦HyperRAMTM 內(nèi)存來驅(qū)動(dòng)新一代相機(jī)和傳感器系統(tǒng)，如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、熱成像儀、工業(yè)相機(jī)、機(jī)器人和智能設(shè)備等。華邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD 具備提供超低功耗、高性能和小巧的外形尺寸設(shè)計(jì)，為Efinix Titanium Ti60 F100 FPGA提供完整、易于實(shí)現(xiàn)的內(nèi)存系統(tǒng)，幫助其快速地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)，同時(shí)兼具成本效益。

華邦表示：“如今，設(shè)備制造商正在將傳感器和連接功能添加到幾乎所有的下一代應(yīng)用中，這一趨勢(shì)推動(dòng)了提高邊緣處理能力，同時(shí)卻又希望能繼續(xù)保持設(shè)備小巧尺寸的需求。HyperRAM特別針對(duì)這些應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，通過混合睡眠模式提供超低功耗、用較少的信號(hào)引腳簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，同時(shí)保持及其小巧的芯片尺寸。品牌客戶或系統(tǒng)制造商，如Efinix可輕松設(shè)計(jì)出PCB尺寸更小的Ti60 （SiP 256Mbx16 HyperRAM KGD），以裝載于可穿戴相機(jī)等緊湊型應(yīng)用設(shè)備中。”

Efinix市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁 Mark Oliver表示：“Ti60 F100專為邊緣和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所設(shè)計(jì)，要求其具備小尺寸與低功耗等關(guān)鍵性能。華邦所提供的超低功耗和小尺寸內(nèi)存與Titanium系列的低功耗性能相結(jié)合，可充分滿足上述要求。華邦HyperRAM的低引腳數(shù)，可將設(shè)備輕松集成到微型的5.5 mm2 多芯片系統(tǒng)封裝中?！?/p>

關(guān)于Ti60 F100

Efinix Ti60 F100 內(nèi)含價(jià)值60K的邏輯和高速I/O，可針對(duì)各種通信協(xié)議進(jìn)行配置，此外還集成了SPI閃存和HyperRAM，且全部封裝在0.5mm球間距的微型5.5 mm2 封裝中。通過結(jié)合FPGA邏輯和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，Ti60 F00 成為了適用于各種相機(jī)和傳感器系統(tǒng)的最佳解決方案。借助SPI閃存，設(shè)計(jì)人員無需配備外掛獨(dú)立內(nèi)存，而HyperRAM可用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)?？蛻艨蓪yperRAM用作視頻的幀緩沖器，用于存儲(chǔ)AI的權(quán)重和偏差、存儲(chǔ)飛行時(shí)間（TOF）傳感器的參數(shù)，或存儲(chǔ)RISC-V SoC的固件。如需了解Efinix平臺(tái)的更多相關(guān)信息，請(qǐng)?jiān)L問 Titanium Ti60 F100

關(guān)于HyperRAM

華邦HyperRAM是嵌入式AI和圖像識(shí)別與處理的理想選擇。在這些應(yīng)用中，電子電路必須盡可能微型化，同時(shí)需提供足夠的存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)帶寬以支持計(jì)算密集型的工作負(fù)載，例如關(guān)鍵字識(shí)別或圖像識(shí)別。HyperRAM可在200MHz的最大頻率下運(yùn)行，并在3.3V或1.8V的工作電壓下提供400MB/s的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。同時(shí)，HyperRAM在操作和混合睡眠模式下均可提供超低功耗， 以華邦64Mb HyperRAM為例，常溫下1.8V待機(jī)功耗為70 uW，更重要的是，HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下的功耗僅為35uW。此外，HyperRAM 64Mb x8僅有13個(gè)引號(hào)引腳，可大幅簡(jiǎn)化PCB布局設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)終端產(chǎn)品時(shí)，可使MPU將更多引腳用于其他目的，或者采用擁有更少引腳的MPU以提高成本效益。

下圖說明華邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD在Efinix Ti60平臺(tái)上的配置：

華邦HyperRAM內(nèi)存容量為256Mb，時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz，配備用于高速傳輸?shù)腍yperBus接口，并支持高達(dá)400Mbps的雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率。將內(nèi)存集成在同一封裝中，設(shè)計(jì)人員可存儲(chǔ)視頻幀數(shù)據(jù)或傳感器數(shù)據(jù)，然后通過FPGA邏輯加以處理，而無需挪出電路板空間來放置其他的存儲(chǔ)設(shè)備。

關(guān)于華邦

華邦電子為全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，主要業(yè)務(wù)包含產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓制造、營(yíng)銷及售后服務(wù)，致力于提供客戶全方位的利基型內(nèi)存解決方案。華邦電子產(chǎn)品包含利基型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存、行動(dòng)內(nèi)存、編碼型閃存和TrustME? 安全閃存，廣泛應(yīng)用在通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)用以及車用電子、計(jì)算機(jī)周邊等領(lǐng)域。華邦總部位于中國(guó)臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)，在美國(guó)、日本、以色列、中國(guó)大陸及香港地區(qū)、德國(guó)等地均設(shè)有子公司及服務(wù)據(jù)點(diǎn)。華邦在中科設(shè)有一座12寸晶圓廠，目前并于南科高雄園區(qū)興建新廠，未來將持續(xù)導(dǎo)入自行開發(fā)的制程技術(shù)，提供合作伙伴高質(zhì)量的內(nèi)存產(chǎn)品。

TrustME?為華邦電子股份有限公司（Winbond Electronics Corp.）的注冊(cè)商標(biāo)，本文涉及的其他所有產(chǎn)品名稱僅用作識(shí)別用途，均屬于各自公司的公認(rèn)商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

Winbond 為華邦電子股份有限公司（Winbond Electronics Corporation）的注冊(cè)商標(biāo)，本文提及的其他商標(biāo)及版權(quán)為其原有人所有。

媒體聯(lián)系人

Lina Xue |薛麗娜

Associate Account Director | 執(zhí)行客戶總監(jiān)

INFLUENCE MATTERS |英福倫斯公關(guān)

+86 18500229763

Lina@Inmatt.com

編輯：fqj