關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。

SiT8918提供了寬頻率范圍（1 MHz 至 110 MHz）、出色的穩(wěn)定性（±20 ppm）和寬溫度范圍（-40 至 125 °C）的完美組合，采用了不易拆卸的最小 2.0mm x 1.6 mm 封裝可從石英中獲得。SiT8918還具有業(yè)界最佳的抗沖擊和抗振性能。

SiT8918 采用行業(yè)標準封裝和占位面積，因此無需任何設計更改即可取代石英。

SiT8918選型參數(shù)

振蕩器類型：抗沖擊寬溫振蕩器

頻率：1MHz - 110MHz之間任意頻率，可精確到小數(shù)點后6位

頻率穩(wěn)定性：±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖動（rms）：1.3ps

輸出類型：LVCMOS

溫度范圍：-40℃ ~ +105℃、-40℃ ~ +125℃

電源電壓：1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V ~ 3.63V寬壓

封裝尺寸：2.0mm x 1.2mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT8918特點

可配置的功能集

1MHz - 110 MHz 之間任意頻率，可精確到小數(shù)點后6位

穩(wěn)定性低至 ±20 ppm

溫度范圍：-40℃ ~ +125℃

1.8 V 、 2.5 V ~ 3.3 V 電源電壓

自定義規(guī)格以獲得最佳系統(tǒng)性能

對許多設計使用相同的基本設備，減少認證需求

0.1ppb/g 低 g 靈敏度

改善振動下的系統(tǒng)性能

載體跌落測試合規(guī)性（STB 等）

70 g振動和 50,000 g沖擊

惡劣環(huán)境下的最佳系統(tǒng)可靠性

更少的產品故障

FlexEdge?可配置驅動強度

更慢的上升/下降時間，最大限度地減少來自振蕩器的 EMI

通過驅動多個負載并消除額外的時序組件來節(jié)省成本

超快交貨時間

減少庫存開銷

降低短缺風險

SiT8918應用

關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。