為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國(guó)電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢(shì),SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請(qǐng),小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請(qǐng)、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
SiT8920是一款專注超寬溫、惡劣環(huán)境下的堅(jiān)固可靠的單端MEMS抗沖擊寬溫振蕩器。由于其獨(dú)特的硅MEMS和模擬電路設(shè)計(jì),SiT8920在多個(gè)主要性能類別超越石英振蕩器。雖然是在-55°至+125°的寬廣溫度范圍內(nèi)工作,SiT8920的功耗為石英振蕩器的一半,穩(wěn)定性卻是后者的兩倍。SiT8920在總體器件可靠性和抗沖擊和振動(dòng)性能方面,更分別提高了20倍和30倍。
SiT8920擁有0.1ppb/G振動(dòng)靈敏度(G-sensivity),50kg沖擊和70g抗振動(dòng)以及10億小時(shí)平均無(wú)故障時(shí)間。SiT8920集成了SiTime獨(dú)特的SoftEdge 上升/下降時(shí)間控制,可在無(wú)需額外電路元件、增加昂貴的屏蔽罩、或重新設(shè)計(jì)PCB的前提下降低系統(tǒng)EMI。
這些重要特性大大地提高了系統(tǒng)性能,減少電子產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中的故障,成為機(jī)車控制,油田、礦山、航天軍工等惡劣工況電子控制的首選時(shí)鐘源。

SiT8920選型參數(shù)
振蕩器類型:抗沖擊寬溫振蕩器
頻率:1MHz - 110MHz任意頻率,可精確到小數(shù)點(diǎn)后6位
頻率穩(wěn)定性:±20ppm、±25ppm、±50ppm
相位抖動(dòng)(rms):1.3ps
輸出類型:LVCMOS
溫度范圍:-55℃ ~ +125℃
電源電壓:1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V ~ 3.63V寬壓
封裝尺寸:2.0mm x 1.2mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT8920特點(diǎn)
1 到 110 MHz 之間的任何頻率,精度為 6 位小數(shù)
穩(wěn)定性低至 ±20 ppm
軍用溫度范圍:-55℃ ~ +125℃
1.8 V 、 2.5 V ~ 3.3 V 電源電壓
自定義規(guī)格以獲得最佳系統(tǒng)性能
對(duì)許多設(shè)計(jì)使用相同的基本設(shè)備,減少認(rèn)證需求
0.6 μA 典型待機(jī)電流 (1.8 V)
3.5 mA 典型有源電流 (1.8 V)
延長(zhǎng)便攜式應(yīng)用中的電池壽命
降低綠色系統(tǒng)的功耗
FlexEdge? 可配置驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
更慢的上升/下降時(shí)間,最大限度地減少來(lái)自振蕩器的 EMI
通過(guò)驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載并消除額外的時(shí)序組件來(lái)節(jié)省成本
超快交貨時(shí)間
減少庫(kù)存開(kāi)銷
降低短缺風(fēng)險(xiǎn)
SiT8920應(yīng)用

關(guān)于作者--SiTime樣品中心
為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國(guó)電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢(shì),SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請(qǐng),小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請(qǐng)、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
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