芯片的制程從最初的0.35微米到0.25微米，后來(lái)又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工藝制程的過(guò)程中，大約需要縮小十倍的幾何尺寸及功耗，才能達(dá)到10nm甚至7nm。

在工藝分類(lèi)上，芯片主要分兩大類(lèi)：

·HP（High Performance）：主打高性能應(yīng)用范疇;

·LP（Low Power）：主打低功耗應(yīng)用范疇。

滿足不同客戶(hù)需求，HP 內(nèi)部再細(xì)分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五種。

HP 和 LP 之間最重要區(qū)別就在性能和漏電率上，HP 在主打性能，漏電率能夠控制在很低水平，芯片成本高;LP 則更適合中低端處理器使用，因?yàn)槌杀镜汀?/p>

所以，芯片除了在制程上尋求突破，工藝上也會(huì)逐步升級(jí)。

芯片制造的整個(gè)過(guò)程包括芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝制造、測(cè)試等。芯片制造過(guò)程特別復(fù)雜。

芯片制造過(guò)程有這么幾個(gè)階段：材料制備——單晶硅制造→晶圓片生成芯片前端——芯片構(gòu)建（Wafer Fabrication）芯片后端——封裝（Package）→完整測(cè)試（Initial Test and Final Test）

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