電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日消息，億鑄科技（杭州）有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“億鑄科技”）宣布完成過(guò)億元天使輪融資，本輪融資由中科創(chuàng)星、聯(lián)想之星和匯芯投資（國(guó)家5G創(chuàng)新中心）聯(lián)合領(lǐng)投。

億鑄科技成立于2021年9月，是目前國(guó)內(nèi)唯一能自主設(shè)計(jì)并量產(chǎn)基于憶阻器（ReRAM）的“存算一體”算力芯片的供應(yīng)商。該公司擁有世界頂級(jí)的科研、工程及顧問(wèn)團(tuán)隊(duì)，為數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域打造能效比十倍于現(xiàn)有技術(shù)的解決方案。

中科創(chuàng)星合伙人林佳亮表示：“億鑄科技是中科創(chuàng)星在先進(jìn)算力芯片方向上的一個(gè)重量級(jí)的投資項(xiàng)目。我們非?？春脙|鑄基于ReRAM的路線來(lái)實(shí)現(xiàn)大算力的存算一體芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)方案中遇到的功耗墻和內(nèi)存墻的問(wèn)題，這將使挑戰(zhàn)現(xiàn)有AI芯片行業(yè)格局成為可能。”

憶阻器（Memristor），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，這種組件的電阻會(huì)隨著通過(guò)的電流量而改變，最早是由美籍華人蔡少棠教授于1971年基于電路理論推理發(fā)現(xiàn)并證明的。憶阻器是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。

圖源自《AI芯片前沿技術(shù)與創(chuàng)新未來(lái)》

2008年，惠普公司的斯坦利·威廉（Stanley Williams）等人第一次在實(shí)驗(yàn)室里將用二氧化鈦（TiO2）制成的納米元件夾在兩個(gè)鉑電極之間（Pt-TiO2-x-Pt），做出了世界上第一個(gè)基于TiO2薄膜的基本元件，即憶阻器。

自惠普憶阻器原型問(wèn)世以來(lái)，已有百余所研究機(jī)構(gòu)參與，不僅英、德、韓等國(guó)相繼加入，Intel、IBM等科技巨頭也在美國(guó)軍方支持下砸下重金。2009年，科技部啟動(dòng)國(guó)際合作項(xiàng)目“憶阻器材料及其原型器件”，繆向水是項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，他坦承，“國(guó)內(nèi)憶阻器研究還處于初始階段”。

憶阻器本身就像一個(gè)矩陣排列，最適合進(jìn)行點(diǎn)積乘法和累加運(yùn)算，而這類運(yùn)算占深度學(xué)習(xí)算法中的絕大部分。乘積累加操作可以通過(guò)將憶阻器這樣的可編程阻變?cè)苯蛹傻椒且资愿呙芏却鎯?chǔ)芯片中來(lái)實(shí)現(xiàn)，處理單元被嵌入存儲(chǔ)器中，可減少數(shù)據(jù)移動(dòng)。可以看到憶阻器本身就已具備存內(nèi)計(jì)算的特質(zhì)，非常適合用于存算一體芯片技術(shù)方向。

基于憶阻器的存算一體芯片近年來(lái)有些進(jìn)展，2020年2月26日，清華大學(xué)微電子所、未來(lái)芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心錢鶴、吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)，與合作者共同研發(fā)出一款基于多個(gè)憶阻器陣列的存算一體系統(tǒng)，在處理卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)時(shí)的能效，比圖形處理器芯片高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，大幅提升計(jì)算設(shè)備的算力，且比傳統(tǒng)芯片的功耗降低100倍。

不過(guò)憶阻器目前多數(shù)還處于小批量試產(chǎn)階段，因此基于憶阻器存算一體芯片，會(huì)面臨憶阻器開(kāi)發(fā)時(shí)間長(zhǎng)等問(wèn)題，這可能就憶阻器存算一體芯片的一大難點(diǎn)。而億鑄科技作為目前國(guó)內(nèi)唯一能夠自主設(shè)計(jì)量產(chǎn)基于憶阻器存算搜一體算力芯片的供應(yīng)商，自然會(huì)備受資本青睞。