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西安紫光國(guó)芯亮相第十六屆“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)

西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體 ? 作者:西安紫光國(guó)芯半導(dǎo) ? 2021-12-30 15:35 ? 次閱讀
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在第十六屆“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)上,西安紫光國(guó)芯憑借世界領(lǐng)先的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)成功斬獲含金量極高的“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)。本次獲獎(jiǎng)的SeDRAM可以突破馮·諾依曼架構(gòu)的性能瓶頸,滿足高性能計(jì)算、人工智能、近存計(jì)算、智能物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高帶寬、高容量?jī)?nèi)存的需求。

“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)是國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域最具影響力和權(quán)威性的行業(yè)會(huì)議之一,是在工信部信息司指導(dǎo)下舉辦的全國(guó)性集成電路行業(yè)盛會(huì)。本次“中國(guó)芯”共分為五大獎(jiǎng)項(xiàng),其中壓軸的“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)”主要授予本年度有重大技術(shù)創(chuàng)新,對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義的單款芯片產(chǎn)品,共有38家企業(yè)申報(bào),最終包括西安紫光國(guó)芯在內(nèi)的三家企業(yè)芯片從40款產(chǎn)品中突圍。

西安紫光國(guó)芯的SeDRAM技術(shù)采用納米級(jí)互連將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián),實(shí)現(xiàn)嵌入式存儲(chǔ)器的直接訪問(wèn);通過(guò)定制的DRAM設(shè)計(jì)支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時(shí)為不同的邏輯工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試IP,使SoC客戶能夠方便簡(jiǎn)單地集成。 “西安紫光國(guó)芯歷時(shí)七年研發(fā)的SeDRAM技術(shù)和平臺(tái),成功地實(shí)現(xiàn)了DRAM晶圓和SoC晶圓的異質(zhì)集成,提供了業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解決方案?!蔽靼沧瞎鈬?guó)芯常務(wù)副總裁江喜平表示,“本次獲此殊榮,是公司長(zhǎng)期堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新取得的研究成果,也是業(yè)界同仁對(duì)公司創(chuàng)新能力、產(chǎn)業(yè)影響力的高度認(rèn)可。未來(lái),西安紫光國(guó)芯將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力,持續(xù)深耕DRAM和SoC設(shè)計(jì)技術(shù),為集成電路行業(yè)帶來(lái)更多有價(jià)值的創(chuàng)新應(yīng)用,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展”。

依托開(kāi)放式、定制化、平臺(tái)式的合作模式,西安紫光國(guó)芯憑借多年的DRAM開(kāi)發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)的能力,成功幫助有大帶寬、低功耗需求的客戶開(kāi)發(fā)多款產(chǎn)品,其中幾款產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)和銷售。 同時(shí),SeDRAM技術(shù)和平臺(tái)成功開(kāi)發(fā)以來(lái),基于該技術(shù)的多款產(chǎn)品和研究成果先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多個(gè)業(yè)界頂級(jí)期刊上公開(kāi)發(fā)表和作專題報(bào)告。其中一款產(chǎn)品的相關(guān)論文也被ISSCC 2022收錄,將于明年2月公開(kāi)發(fā)表。

更多“芯”事 全系列全種類標(biāo)準(zhǔn)DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品閃耀MTS 2022

在IEDM 2020發(fā)表 異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)論文

總裁任奇?zhèn)ナ苎贗MW 2021(國(guó)際存儲(chǔ)器研討會(huì))作專題報(bào)告分享

在 IEEE-CICC 2021發(fā)表異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)的多核SoC論文

知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理達(dá)國(guó)家級(jí)標(biāo)準(zhǔn) 西安紫光國(guó)芯通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)貫標(biāo)認(rèn)證

原文標(biāo)題:西安紫光國(guó)芯SeDRAM?斬獲第十六屆“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)

文章出處:【微信公眾號(hào):西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:西安紫光國(guó)芯SeDRAM?斬獲第十六屆“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)

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