硅片氫氟酸處理后的漂洗干燥方法
本文對晶片采用HF溶液洗凈的晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素及干燥方法，使用異丙基去除上述晶片表面殘存的HF的步驟，關(guān)于晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素和干燥方法，其特點是在對上述晶片施加82-84℃溫度的同時通過吹氮氣去除晶片表面IPA的步驟，通過使用IPA護(hù)發(fā)素代替純護(hù)發(fā)素，不僅可以去除雜質(zhì)，而且在經(jīng)過氫氟酸處理后暴露在晶片表面的疏水區(qū)域也可以充分涂布IPA。通過采用本發(fā)明的烤箱干燥方式，可以抑制干燥時局部干燥時間差所產(chǎn)生的水跡，比傳統(tǒng)的IPA氣相干燥方式簡單，具有突破性地降低成本的效果。
審核編輯：符乾江
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