91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AXCELIS宣布向日廠商發(fā)運功率注入機

21克888 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:Axcelis ? 2022-04-01 11:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

馬薩諸塞州比佛利2022年3月31日 /美通社/ -- 半導體行業(yè)離子注入支持解決方案的領先供應商Axcelis Technologies, Inc.(納斯達克股票代碼:ACLS)今天宣布,公司向日本領先的功率設備芯片制造商發(fā)運其Purion XE?高能和Purion M?中等電流Power Series?注入機。這些系統(tǒng)將用于大批量生產(chǎn)基于300mm薄硅晶圓的MOSFETIGBT設備,以用于汽車和其他功率管理應用。

產(chǎn)品開發(fā)執(zhí)行副總裁Bill Bintz表示:“Purion Power系列的獨特功能,結(jié)合功率設備領域的密集注入特性,將賦予Axcelis獨特的條件來從這一市場的增長中受益。這些工具集成了多項功能和工藝控制能力,包括該平臺為功率設備市場提供支持的薄晶圓處理能力。我們期待擴大Purion平臺在日本的業(yè)務范圍,并支持我們客戶實現(xiàn)提高制造能力的目標。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片制造
    +關注

    關注

    11

    文章

    719

    瀏覽量

    30475
  • 半導體行業(yè)

    關注

    10

    文章

    404

    瀏覽量

    41931
  • 汽車
    +關注

    關注

    15

    文章

    4169

    瀏覽量

    41148
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    功率半導體廠商集體漲價

    漲價的風還是吹到了功率半導體;在全球上游原材料及關鍵貴金屬價格攀升的背景下,功率半導體廠商開啟漲價潮。 在2月25日,國產(chǎn)功率半導體廠商新潔
    的頭像 發(fā)表于 02-26 18:34 ?1411次閱讀

    【海翔科技】瓦里安 VARIAN VIISion 200 Plus 系列 二手離子注入設備拆機/整機|現(xiàn)場驗測試結(jié)果核驗

    一、引言 離子注入機作為半導體制造前段制程的核心精密裝備,通過精準摻雜改變半導體材料電學特性,是實現(xiàn)集成電路高集成度、高性能的關鍵工藝設備。隨著3D NAND存儲器件與第三代半導體技術的快速發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 02-12 10:09 ?543次閱讀

    填補“中國芯”關鍵拼圖,國產(chǎn)離子注入機實現(xiàn)關鍵突破

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,1月17日,中核集團中國原子能科學研究院宣布,由其自主研制的我國 首臺串列型高能氫離子注入機 (POWER-750H)成功出束,核心性能指標達到國際先進水平。這一
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:25 ?2085次閱讀
    填補“中國芯”關鍵拼圖,國產(chǎn)離子<b class='flag-5'>注入機</b>實現(xiàn)關鍵突破

    概倫電子與Fabless芯片設計廠商矽創(chuàng)電子達成技術合作

    概倫電子(股票代碼:688206.SH)近日宣布與Fabless芯片設計廠商臺灣矽創(chuàng)電子股份有限公司達成技術合作。針對矽創(chuàng)電子的小尺寸觸控與顯示驅(qū)動整合(TDDI)芯片設計需求,概倫電子提供了包括模擬和數(shù)字仿真器在內(nèi)的完整混合信號仿真驗證解決方案,為芯片設計效率與品質(zhì)升級
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:29 ?2650次閱讀

    分析嵌入式軟件代碼的漏洞-代碼注入

    隨著互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,嵌入式設備正分布在一個充滿可以被攻擊者利用的源代碼級安全漏洞的環(huán)境中。 因此,嵌入式軟件開發(fā)人員應該了解不同類型的安全漏洞——特別是代碼注入。 術語“代碼注入”意味著對程序的常規(guī)
    發(fā)表于 12-22 12:53

    中科創(chuàng)達旗下創(chuàng)通聯(lián)達與數(shù)位板廠商Wacom達成深度合作

    近日,創(chuàng)通聯(lián)達宣布與全球知名數(shù)位板廠商Wacom達成深度合作。雙發(fā)將基于Thundercomm MR HMD Pro,融合Wacom前沿數(shù)位筆技術,共同打造支持3D空間精準輸入的全新VR/MR內(nèi)容創(chuàng)作平臺,為行業(yè)注入創(chuàng)新動能。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:53 ?833次閱讀

    離子注入工藝中的常見問題及解決方案

    在集成電路制造的離子注入工藝中,完成離子注入與退火處理后,需對注入結(jié)果進行嚴格的質(zhì)量檢查,以確保摻雜效果符合器件設計要求。當前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種:四探針法與熱波法,兩種方法各有特點,適用于不同的檢測場景。
    的頭像 發(fā)表于 11-17 15:33 ?1240次閱讀
    離子<b class='flag-5'>注入</b>工藝中的常見問題及解決方案

    納微半導體宣布一系列重要人事任命

    近日,納微半導體宣布了一系列重要人事任命,多名高管的加入將為納微注入全新動力。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:11 ?2331次閱讀

    工控創(chuàng)新驅(qū)動為工業(yè)升級注入科技強心劑

    工控創(chuàng)新驅(qū)動,為工業(yè)升級注入科技強心劑這完全契合工業(yè)和智能制造轉(zhuǎn)型的內(nèi)在需求,工控已從傳統(tǒng)的被動執(zhí)行角色,演進為驅(qū)動行業(yè)變革的主動創(chuàng)新核心。 從功能到智能體的蛻變,穩(wěn)定、可靠,但
    的頭像 發(fā)表于 09-08 17:26 ?714次閱讀
    工控<b class='flag-5'>機</b>創(chuàng)新驅(qū)動為工業(yè)升級<b class='flag-5'>注入</b>科技強心劑

    功率放大器驅(qū)動:無載流子注入模式下一對多驅(qū)動研究的應用探索

    、頻率特性進行分析研究。通過無載流子注入操作模式來優(yōu)化顯示驅(qū)動面板,以減少所需的驅(qū)動行列線路,解決高分辨率顯示所需驅(qū)動線路數(shù)量不斷增加的挑戰(zhàn)。 研究方向: 無載流子注入發(fā)光器件 測試設備: ATA-122D功率放大器,信號發(fā)生
    的頭像 發(fā)表于 09-01 17:33 ?718次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>放大器驅(qū)動:無載流子<b class='flag-5'>注入</b>模式下一對多驅(qū)動研究的應用探索

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?1027次閱讀

    部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠影響

    部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結(jié)合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進行綜合評估: 一、失效報告作假的根本原因 技術
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?984次閱讀
    部分外資<b class='flag-5'>廠商</b>IGBT模塊失效報告作假對中國<b class='flag-5'>功率</b>模塊市場的深遠影響

    注入增強型IGBT學習筆記

    為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強效應(Injection Enhancement Effect,IE),既可
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:15 ?1687次閱讀
    <b class='flag-5'>注入</b>增強型IGBT學習筆記

    2025慕展:功率半導體廠商和產(chǎn)品的一些觀察

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)2025慕尼黑上海電子展上周落幕,在今年的電子展上,功率半導體廠商匯聚N4館,碳化硅和氮化鎵依然是當前功率半導體行業(yè)中最受關注的方向。與此同時,在應用方案上,本次展會
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:08 ?2057次閱讀
    2025慕展:<b class='flag-5'>功率</b>半導體<b class='flag-5'>廠商</b>和產(chǎn)品的一些觀察

    芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

    本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 10:54 ?2062次閱讀
    芯片離子<b class='flag-5'>注入</b>后退火會引入的工藝問題