瀾起科技今日宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第二子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD02。
該芯片支持的數(shù)據(jù)速率高達5600MT/s,特別適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。
M88DR5RCD02符合最新的JEDEC第二子代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD02)標準,與第一子代產(chǎn)品(M88DR5RCD01)相比,RCD02最高支持速率提升16.67%。該芯片采用雙通道內(nèi)存架構(gòu),支持1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節(jié)電模式,更為節(jié)能。除了在芯片層面提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、能效比和可靠性以外,瀾起科技的RCD02解決方案還包含CA、CS和DFE訓練模式及雙頻支持等高級功能。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:
計算能力的飛速增長要求內(nèi)存帶寬不斷提升,對于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)來說,這既是挑戰(zhàn)也是機遇。我非常高興瀾起率先實現(xiàn)了DDR5 RCD02芯片的試產(chǎn),該產(chǎn)品將為下一代DDR內(nèi)存平臺提供速率更高、延時更低的數(shù)據(jù)傳輸解決方案。
SK海力士的DRAM產(chǎn)品規(guī)劃副總裁Sungsoo Ryu先生表示:
數(shù)據(jù)密集型計算應(yīng)用的迅猛發(fā)展,需要我們持續(xù)提供可靠性更高、可擴展性更強、能效更高的內(nèi)存解決方案 。我們與瀾起科技等合作伙伴一直保持緊密合作,憑借成功的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗,致力于持續(xù)滿足內(nèi)存市場的需求。
目前,瀾起科技的第一子代和第二子代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD01和M88DR5RCD02均可供貨。
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