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      ST超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET優(yōu)化體二極管平緩性

      科技綠洲 ? 來源：意法半導體PDSA ? 作者：意法半導體PDSA ? 2022-05-24 16:02 ? 次閱讀
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      新型硅基快速恢復體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性

      ST超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

      最新的快速恢復體二極管超結(jié)MOSFET技術針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化。

      STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復效應，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態(tài)電阻（RDS（on））和柵電荷（Qg），與同類競爭器件和意法半導體先前的技術相比，幫助設計人員獲得了更高的效率水平。

      關鍵特性

      行業(yè)領先的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on） x Qg）

      體二極管反向恢復時間（trr）性能提高

      提高了dv/dt（120V/ns）和di/dt能力（1300A/μs）

      優(yōu)化了體二極管恢復階段和平緩性

      審核編輯：彭靜
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