91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

應(yīng)用材料公司全新系統(tǒng)可改進(jìn)晶體管布線沉積工藝

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-06-02 15:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司宣布推出一種全新系統(tǒng),可改進(jìn)晶體管布線沉積工藝,從而大幅降低電阻,突破了芯片在性能提升和功率降低兩方面所面臨的重大瓶頸。

Endura? Ioniq? PVD系統(tǒng)是應(yīng)用材料公司在解決二維微縮布線電阻難題方面所取得的最新突破。Ioniq系統(tǒng)是一種集成材料解決方案?(IMS?),可將表面制備、PVD和CVD工藝同時集中到同一個高真空系統(tǒng)中。

芯片制造商正在利用光刻領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)將芯片制程縮小至3納米及以下節(jié)點。但隨著互連線變細(xì),電阻呈現(xiàn)指數(shù)級上升,這不僅降低了芯片性能,還增大了功耗。如果該問題無法得到解決,更為先進(jìn)的晶體管帶來的益處將被指數(shù)級上升的布線電阻完全抵消。

芯片布線一般指沉積金屬在介電材料上被刻蝕出的溝槽和通孔內(nèi)的過程。在傳統(tǒng)工藝中,布線沉積使用的金屬疊層通常由以下幾部分構(gòu)成:阻擋層用于防止金屬與介電材料擴散;襯墊層用于提升粘附力;種子層用于促進(jìn)金屬填充;以及導(dǎo)電金屬,例如鎢或鈷用于晶體管觸點,銅用于互連線。因為阻擋層和襯墊層很難微縮,所以當(dāng)溝槽和通孔尺寸減小時,可用于導(dǎo)電材料的空間比例隨之降低——互連線越小,電阻越高。

應(yīng)用材料公司Endura? Ioniq? PVD系統(tǒng)

Ioniq PVD system是一種集成材料解決方案?(IMS?),可將表面制備、PVD和CVD工藝同時集中到同一個高真空系統(tǒng)中。Ioniq PVD給芯片制造商提供了用低阻值的純鎢PVD膜取代高阻值的氮化鈦襯墊層和阻擋層的方案,配合后續(xù)的純鎢CVD膜制成純鎢的金屬觸點。該方案解決了電阻難題,讓二維微縮得以繼續(xù)作用于3納米及以下節(jié)點。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理珀拉布?拉賈博士表示:“應(yīng)用材料公司在解決電阻難題方面所取得的最新突破,是一個材料工程創(chuàng)新使得二維微縮得以延續(xù)的絕佳范例。創(chuàng)新的Ioniq PVD系統(tǒng)打破了晶體管性能提升所面臨的一個重大瓶頸,使其在運行速度更快的同時降低了功率損失。隨著芯片復(fù)雜度的提升,在高真空中集成多個工藝的能力對于客戶改進(jìn)布線以達(dá)到其性能和功率的目標(biāo)來說至關(guān)重要?!?/p>

Endura Ioniq PVD系統(tǒng)現(xiàn)已被全球多家行業(yè)領(lǐng)先的客戶使用。如需了解更多有關(guān)該系統(tǒng)的信息或者其它用于解決關(guān)鍵布線和互連難題的應(yīng)用材料公司解決方案,請關(guān)注應(yīng)用材料公司在美國時間5月26日舉辦的“芯片布線和集成的新方法”大師課。

關(guān)于應(yīng)用材料公司

應(yīng)用材料公司(納斯達(dá)克:AMAT)是材料工程解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,全球幾乎每一個新生產(chǎn)的芯片和先進(jìn)顯示器的背后都有應(yīng)用材料公司的身影。憑借在規(guī)模生產(chǎn)的條件下可以在原子級層面改變材料的技術(shù),我們助力客戶實現(xiàn)可能。應(yīng)用材料公司堅信,我們的創(chuàng)新實現(xiàn)更美好的未來。欲知詳情,請訪問www.appliedmaterials.com。

近期會議

2022年7月5日,由ACT雅時國際商訊主辦,《半導(dǎo)體芯科技》&CHIP China晶芯研討會將在蘇州·洲際酒店隆重舉行!屆時業(yè)內(nèi)專家將齊聚蘇州,與您共探半導(dǎo)體制造業(yè),如何促進(jìn)先進(jìn)制造與封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。大會現(xiàn)已啟動預(yù)約登記,報名請點擊://w.lwc.cn/s/maymIv

2022年7月28日 The12th CHIP China Webinar,誠邀您與業(yè)內(nèi)專家學(xué)者共探半導(dǎo)體器件檢測面臨的挑戰(zhàn)及應(yīng)對、工藝缺陷故障、光學(xué)檢測特性分析與挑戰(zhàn)、先進(jìn)封裝半導(dǎo)體檢測難點及應(yīng)用等熱門話題,解鎖現(xiàn)代檢測技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和機遇!

關(guān)于我們

《半導(dǎo)體芯科技》(Silicon Semiconductor China, SiSC)是面向中國半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)媒體,已獲得全球知名雜志《Silicon Semiconductor》的獨家授權(quán);本刊針對中國半導(dǎo)體市場特點遴選相關(guān)優(yōu)秀文章翻譯,并匯集編輯征稿、國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)新聞、深度分析和權(quán)威評論、產(chǎn)品聚焦等多方面內(nèi)容。由雅時國際商訊(ACT International)以簡體中文出版、雙月刊發(fā)行一年6期。每期紙質(zhì)書12,235冊,電子書發(fā)行15,749,內(nèi)容覆蓋半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)、封裝、設(shè)備、材料、測試、MEMS、IC設(shè)計、制造等。每年主辦線上/線下 CHIP China晶芯研討會,搭建業(yè)界技術(shù)的有效交流平臺。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10395

    瀏覽量

    147730
  • PVD
    PVD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    51

    瀏覽量

    17655
  • 應(yīng)用材料公司
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    64

    瀏覽量

    17162
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    應(yīng)用材料AMAT/APPLIED MATERIALS Producer? XP Precision? CVD系列二手薄膜沉積CVD設(shè)備拆機/整機|現(xiàn)場驗機評測

    一、引言 化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備作為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心裝備,其交替層沉積精度與膜層均勻性直接決定高端器件的性能與良率。應(yīng)用材料(AMAT/APPLIED MATERIALS)Producer
    的頭像 發(fā)表于 02-12 10:38 ?579次閱讀

    CGH40006P射頻晶體管

    CGH40006P射頻晶體管CGH40006P是Wolfspeed(原CREE)推出的一款 6W 射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),采用 28V 電源軌設(shè)計,具備 DC 至
    發(fā)表于 02-03 10:00

    澄清聲明:關(guān)于應(yīng)用材料公司在中國業(yè)務(wù)的報道

    美國的貿(mào)易規(guī)則變化已經(jīng)縮小了美國企業(yè)在中國開展業(yè)務(wù)的市場規(guī)模,但應(yīng)用 材料公司目前預(yù)計關(guān)于市場的限制在 2026 年不會出現(xiàn)重大變化。 ? 關(guān)于應(yīng)用材料
    的頭像 發(fā)表于 11-20 15:06 ?561次閱讀

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    三極Q的集電極電壓,三極Q集電極電壓遠(yuǎn)大于Vin,這樣就很方便的控制電壓選擇晶體管了。下圖是改進(jìn)的電路: 關(guān)于電壓選擇晶體管的原理,大家
    發(fā)表于 11-17 07:42

    晶體管的定義,晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,實現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?508次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試

    這兩種不同材料晶體管,在面對短路時各自獨特的“生存之道”,為工程師們在選擇器件和設(shè)計保護(hù)電路時提供寶貴的參考。
    的頭像 發(fā)表于 10-07 11:55 ?3187次閱讀
    英飛凌功率<b class='flag-5'>晶體管</b>的短路耐受性測試

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產(chǎn)
    發(fā)表于 06-20 10:40

    2SC5200音頻配對功率PNP型晶體管

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨 2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補充型。 擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo
    發(fā)表于 06-05 10:24

    薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:51 ?2890次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)架構(gòu)與主流<b class='flag-5'>工藝</b>路線

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過輸入信號(電流或電壓)控制輸出電流,實現(xiàn)信號放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947年由?貝爾實驗室?的肖克利(Shockl
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?4507次閱讀

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(下) [日 鈴木雅臣]

    本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨電路的設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55