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燦芯半導(dǎo)體正式推出高精度16位逐次逼近型ADC

科技綠洲 ? 來源:燦芯半導(dǎo)體BriteSemi ? 作者:燦芯半導(dǎo)體BriteS ? 2022-06-09 09:38 ? 次閱讀
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中國(guó)上?!?022年6月9日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出高精度16位逐次逼近型(16bit SAR)ADC。該IP首個(gè)測(cè)試芯片基于中芯國(guó)際55nm工藝流片成功,現(xiàn)已完成EVB測(cè)試,可提供給客戶進(jìn)行評(píng)估。

該IP采樣率為1MHz, ENOB(有效位)可達(dá)14bit,通常情況下其DNL(微分線性誤差)介于-0.4LSB至0.47LSB之間,INL(積分線性誤差)居于-1.8LSB至2.2LSB之間,其典型功耗是4.25mA,性能指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

燦芯半導(dǎo)體深耕高精度12/14/16 bit SAR ADC及高速(》150M) PIPELINE ADC,為工業(yè)級(jí)高精度應(yīng)用提供了更豐富的選擇。基于SAR ADC技術(shù)的定制芯片累計(jì)出貨已近3000萬顆,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、能源及AIoT等領(lǐng)域。

“16bit高精度SAR ADC的發(fā)布,對(duì)燦芯半導(dǎo)體而言,是技術(shù)層面上的又一次突破,” 燦芯半導(dǎo)體工程副總裁劉亞東表示,“另外,燦芯半導(dǎo)體還不斷拓展創(chuàng)新,將這個(gè)技術(shù)實(shí)施到SMIC 40nm工藝,同時(shí)不斷迭代優(yōu)化,減少面積功耗,提升采樣速率,力爭(zhēng)滿足客戶的多層次需求?!?/p>

審核編輯:彭靜
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