前言

前篇介紹了切比雪夫綜合法得到低副瓣特性的陣列天線，由上篇分析可知，等幅激勵的均勻線陣的副瓣電平幅度較高，可使用切比雪夫綜合法、泰勒綜合法實現(xiàn)陣列天線的方向圖低副瓣特性。當天線的陣元個數(shù)超越一定范圍時，切比雪夫的兩端的電流差距很大，陣列天線兩端的單元會發(fā)生突然的跳變的現(xiàn)象，影響天線的低副瓣效果。因此，切比雪夫綜合法在某些雷達系統(tǒng)中并不是很適用，為了解決這一問題，下面將介紹泰勒綜合法。

圖 1陣列天線自動設(shè)計

2 基于泰勒綜合法的均勻陣列

泰勒綜合法是實現(xiàn)低副瓣陣列天線的一種方法，具有副瓣電平可控的特性，并且由于副瓣的遞減特性不會出現(xiàn)切比雪夫綜合法里面兩端突然跳變的現(xiàn)象，降低饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的復(fù)雜度，并且還會增強天線的方向性在工程上得到了廣泛的認可。輻射特性具有如下特點：

主瓣兩側(cè)的若干副瓣電平大小相似；

其余區(qū)域副瓣電平會單調(diào)減小。

由以上特點可知，陣列天線的激勵從中間往兩側(cè)會單調(diào)遞減，不會發(fā)生切比雪夫綜合法中的跳變現(xiàn)象，方向圖函數(shù)為：

上式為構(gòu)造的泰勒空間因子，具有理想空間因子可調(diào)副瓣電平和前n-1個副瓣電平接近相等的性質(zhì)，同時在遠區(qū)副瓣保持了基本函數(shù)的副瓣峰值，也具備μ-1的衰減特性。其零點位置為：

式中，

1）若時，副瓣可稱為近旁瓣，近似相等；反之副瓣稱為遠旁瓣，逐漸衰減，。上式的u取整數(shù)時，即為方向圖零點位置。

2）若時，零點重合，有下式：

當時，得到的陣列方向圖函數(shù)即為：

令天線陣列饋電幅度分布為I(ξ)，其具有的泰勒分布如下圖所示。

a) 泰勒連續(xù)分布

泰勒連續(xù)分布示意圖如圖 1所示。

圖 2 泰勒分布示意圖

對應(yīng)的連續(xù)電流分布為：

其中，kξ表示均勻相位常數(shù)，α(ξ)是非均勻相位常數(shù)，由上圖可知，電流分布具有對稱性，則該分布對應(yīng)的陣列單元輻射陣因子為：

X=i=0時，泰勒方向圖函數(shù) S(x)=1；

X=i小于n時，S(x)為：

X=i大于n時，S(x)=0。

口徑場分布函數(shù)I(ξ)為：

b)離散化

對于線陣而言，需要對上圖進行離散化，每個抽樣值對應(yīng)著直線陣列上的單元激勵，利用抽樣定理，可以增加抽樣點使陣列單元的對應(yīng)的幅度分布來貼合泰勒分布的連續(xù)線源幅度。

離散化后，每個陣元的坐標位置為：

各單元對應(yīng)的激勵電流幅度為：

式中，p=2Πzn/L，L=Nd

這里的，S(m)為：

m=0時，泰勒方向圖函數(shù) S(m)=1；

時，S(m)為：

時，S(m)=0。

該式說明，對泰勒線源進行抽樣時，抽樣結(jié)果只與抽樣點數(shù)相關(guān)，可以看出激勵幅度與單元數(shù)量有關(guān)，而和單元間距無關(guān)。

3 聯(lián)合仿真分析

1.陣元數(shù)不變，調(diào)整陣間距

對于20陣元的天線，分別仿真了間距為λ、λ/2、λ/4情況下的輻射特性，如下圖所示。三種情況下的天線陣元激勵幅度相同。

單元數(shù)為20，陣元間距d為λ，指向0度

單元數(shù)為20，陣元間距d為λ/2，指向0度

圖 3 d=λ/2輻射特性

單元數(shù)為20，陣元間距d為λ/4，指向0度

圖 4 d=λ/4輻射特性

2.切比雪夫綜合與泰勒綜合對比

下面通過python與HFSS設(shè)計了兩組12元陣天線，分別采用了切比雪夫綜合法和泰勒綜合法，對比說明兩者的不同之處。

基于切比雪夫綜合法，單元數(shù)為12，陣元間距d為λ/2，指向0度

圖 5 切比雪夫綜合法得到的輻射特性

基于泰勒綜合法，單元數(shù)為12，陣元間距d為λ/2，指向0度

圖 6 泰勒綜合法得到的輻射特性

兩者對比情況

通過對比可知，切比雪夫綜合方法的陣列天線副瓣幅度一致；泰勒綜合法的隨著角度逐漸偏離主瓣，副瓣電平逐次遞減；其次，單元太少則達不到預(yù)設(shè)值。

4 小結(jié)

由上述分析可知， 1.切比雪夫綜合方法的陣列天線副瓣幅度一致；泰勒綜合法的隨著角度逐漸偏離主瓣，副瓣電平逐次遞減； 2.陣元數(shù)大于13時，適用泰勒綜合法； 3.單元太少則達不到預(yù)設(shè)值。

審核編輯 ：李倩