摘要

近兩年的壓電應用越來越廣（消費電子和健康醫(yī)療應用），被動器件壓電片得以優(yōu)化和提升，所以壓電驅動IC的需求也越來越多。這篇文章主要基于DRV2667EVM（集成RAM，支持I2C、PWM/analog 輸入）來指導如何快速方便協(xié)助客戶開展相關評估和驗證。

1. DRV2667EVM 測試臺搭建

Figure 1. DRV2667EVM 連接圖

1.1 I2C通信連接（工具：USB2ANY）

Figure 2. USB2ANY

將 DRV2667 連接到計算機需要 USB2ANY。即將 USB2ANY 的SDA、SCL 和 GND連接到DVR2667EVM上對應的3個引腳上。USB2ANY 連接到 DRV2667EVM 和PC計算機，用戶必須按HCC 界面 “Connect”開始，再通過 GUI 控制他們的設備。

對于GUI HCC（Haptic Control Console）軟件調試， USB2ANY默認的code是不能連接HCC的，如果之前沒有更新Firmware，需要根據(jù)如下鏈接的6.1節(jié)指導來更新Firmware：https://www.ti.com/lit/ug/slou502a/slou502a.pdf

1.2 EVM配置

1.2.2 BOOST電壓配置

對應容性負載應用（如Piezo），如果需要比較高的BOOST輸出電壓，可以把EVM的對應BOOST電壓配置上去，避免出現(xiàn)削波和嘯叫問題。如下是對應增益和模擬電壓輸出關系:

8 dB, 50 Vpp

8 dB, 100 Vpp

4 dB, 150 Vpp

7 dB, 200 Vpp

以200Vpp輸出為例，具體EVM操作如下：

1)長按(+) 按鍵，直到所有LEDs 閃爍

2)重復第一步

3)不斷按壓 (+) ，直到M0, M1, M2三個LEDs燈常亮，注意此處不是長按

4) 按壓 B4 （這里需要注意的是，B4將電壓提高以后會導致板子靜態(tài)電容noise變大，可以通過寄存器配置，讓器件在靜態(tài)下進入standby模式即可降低噪聲）

此時，EVM的處于最大BOOST輸出電壓為105V 和40 dB 增益狀態(tài)，可以再通過調節(jié)增益來控制輸出的Vpp 大小.

Figure 3. 淺藍色為BOOST電壓（105V）,紅色為Vpp, (約8nF電容負載)

1.3 HCC配置

DRV2667共有3個工作模式可供選擇：內部觸發(fā)（Internal Trigger）、外部模擬（External Analog Input）和 FIFO Playback。在外部模擬模式下，波形必須輸入到設備，EVM可以通過3.5mm音頻線從外部設配提供信號輸入（如Figure 1.）。

Figure 4. DRV2667的Front-End Interface

在 FIFO playback模式下，用戶可以通過調整設置來控制設備，相對簡單。 為了操作內部觸發(fā) RAM 模式，用戶必須使用 RAM 管理器上傳波形，這里介紹一下internal trigger的操作方式：

1）如下Figure 5，在Console界面選擇“Internal Trigger” ;然后再在工具欄Tools 里選擇“RAM Manager”=>“Advanced” =>“WaveSynthesizer”

Figure 5. DRV2667EVM 連接圖

2）Waveform波形編輯和RAM 存儲

如Figure 6的“1”~“7”，我們可以編輯對應所需要的波形和振動時間（頻率、幅值、單次振動時長、重復振動次數(shù)）。

Figure 6. RAM波形制作

審核編輯：湯梓紅