低正向壓降整流器的電路圖
這是低正向壓降整流器的電路圖。一個(gè) TMOS 功率 FET （Q1） 和一個(gè) LM393 比較器提供了一個(gè)高效整流器電路。當(dāng) V A超過 V B時(shí)，U1 的輸出變?yōu)楦唠娖?，Q1 導(dǎo)通。相反，當(dāng) V B超過 V A時(shí)，比較器輸出變?yōu)榈碗娖?，Q1 不導(dǎo)通。
正向壓降由 Q1 的導(dǎo)通電阻和電流 I 決定。MTH40N05 的導(dǎo)通電阻為 0.028 歐姆；對于 I = 10 A，正向壓降遠(yuǎn)小于 0.3 V。通常，最有效的肖特基二極管甚至不會(huì)在幾百 mV 以下開始導(dǎo)通。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
整流器
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
1660瀏覽量
95741 -
lm393
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
70瀏覽量
61246 -
整流器電路
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
6瀏覽量
6185
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
基于MOSFET的整流器件設(shè)計(jì)方法
）與一個(gè)常規(guī)低正向壓降二極管 (Vf = 0.5V) 整流器（右圖）之間的熱性能。兩個(gè)設(shè)計(jì)都運(yùn)行
發(fā)表于 05-30 10:01
ADALM2000實(shí)驗(yàn)：有源整流器
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路，以合成一個(gè)
有源整流器的研究
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路，以合成一個(gè)
工商網(wǎng)監(jiān)
評論