91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Au納米晶體在剪切加載下通過孿晶界滑移主導(dǎo)的塑性變形機制

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-07-12 14:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

孿晶界是一種具有完美對稱性的共格面缺陷,可賦予金屬材料更好的綜合性能,例如高強度、延展性、抗疲勞性能和良好的電導(dǎo)率等。其中,孿晶界對于材料力學(xué)性能的調(diào)控主要源于孿晶界與位錯的交互作用,包括位錯形核、塞積與穿越等;另一方面,位錯沿孿晶界運動會導(dǎo)致孿晶界遷移和退孿晶,從而貢獻(xiàn)一定的塑性,但也會導(dǎo)致材料軟化。值得注意的是,孿晶界-位錯的交互作用在一定程度上抑制了孿晶界的本征變形,孿晶界動力學(xué)行為及其轉(zhuǎn)變機制尚不清楚。塊體材料中,晶界等幾何約束不可避免地會與孿晶變形密切耦合,難以針對性地研究孿晶本征的塑性變形行為。因此,具有可控孿晶界密度和取向的金屬納米晶體是研究納米孿晶本征塑性變形機制的理想模型。

近日,浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院張澤院士-王江偉研究員團隊、浙江大學(xué)交叉力學(xué)中心楊衛(wèi)院士-周昊飛研究員團隊與美國佛蒙特大學(xué)Fredric Sansoz教授合作,利用原位TEM納米力學(xué)測試方法揭示了Au納米晶體在剪切加載下通過孿晶界滑移主導(dǎo)的塑性變形機制,并結(jié)合分子動力學(xué)和有限元模擬,系統(tǒng)研究了孿晶取向和幾何形貌對孿晶界滑移機制的影響,構(gòu)建了取向依賴的孿晶界本征塑性變形-脆性斷裂轉(zhuǎn)變機理圖。相關(guān)成果以“Revealing extreme twin-boundary shear deformability in metallic nanocrystals”為題發(fā)表在Science Advances上,文章圖片獲選網(wǎng)站featured image。

論文鏈接: https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abe4758

1ec8605c-00fe-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

研究人員首先利用原位焊接技術(shù)制備了包含多條平行孿晶界的Au納米晶體,如圖1A。在平行于孿晶界的剪切加載下,TB1和TB2之間通過表面形核產(chǎn)生大量Shockley不全位錯并誘發(fā)退孿晶;同時,在TB1與右側(cè)表面相交處由孿晶界滑移誘發(fā)的臺階逐漸擴大(圖1B-C)。Au納米晶體后續(xù)的剪切變形由沿TB1的連續(xù)滑出主導(dǎo),最終在TB1和TB2之間實現(xiàn)364%的剪切應(yīng)變(圖1D-F)。

1eebe9c8-00fe-11ed-ba43-dac502259ad0.png

圖1.剪切加載下Au納米晶體的大范圍塑性變形。(A)Au納米晶體的初始構(gòu)型。(B-C)TB1和TB2之間的位錯表面形核與退孿晶。(D-F)TB1連續(xù)滑出導(dǎo)致Au晶體發(fā)生大范圍剪切變形。

原子尺度動態(tài)分析表明,Au納米孿晶的塑性變形由4種特征的位錯機制參與(如示意圖2A)。這4種不同位錯對應(yīng)特征的柏氏矢量和原子尺度結(jié)構(gòu)演化機制,如圖2B-E所示。根據(jù)不同位錯的特征柏氏矢量,研究人員定量統(tǒng)計了整個加載過程中不同位錯機制對納米晶體剪切應(yīng)變的累計貢獻(xiàn)(圖2F)。初始變形階段(0-250 s),不同位錯機制對Au納米晶體塑性變形的貢獻(xiàn)相當(dāng)。250-580 s,平行于TB的Shockley不全位錯和TB全位錯機制導(dǎo)致TB1- TB2之間退孿晶和TB1滑移。580 s后,TB1上全位錯形核與運動導(dǎo)致孿晶界的持續(xù)滑移成為主導(dǎo)機制,最終實現(xiàn)了364%的剪切應(yīng)變。整個剪切變形過程中,孿晶界滑移的貢獻(xiàn)約為總剪切應(yīng)變的78%,驗證了孿晶界滑移機制主導(dǎo)的極端塑性變形能力。

1f54f6de-00fe-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖2.Au納米晶體剪切變形的原子尺度機制。(A)納米孿晶中四種位錯機制的示意圖。(B-E)不同位錯的柏氏矢量及原子尺度結(jié)構(gòu)演化。(F)Au納米晶體剪切變形過程中不同位錯機制對應(yīng)變的累計貢獻(xiàn)。

納米晶體中孿晶界的塑性變形主要由表面形核主導(dǎo),因此孿晶界滑移機制的啟動顯著依賴于納米晶體表面的原子結(jié)構(gòu)與幾何形狀。為此,研究人員利用分子動力學(xué)模擬對樣品表面結(jié)構(gòu)和幾何形狀的影響開展了對比研究,結(jié)果表明在理想光滑表面(圓柱模型,圖3A)和納米孿晶特征的鋸齒狀表面(圖3B)構(gòu)型下,施密特因子仍然是決定孿晶界變形機制的關(guān)鍵因素,即沿[101]和[112]方向剪切分別導(dǎo)致孿晶界的滑移與遷移(退孿晶)。當(dāng)相鄰孿晶片層的幾何形狀存在顯著變化時,晶界遷移被幾何不連續(xù)性限制,因此可在[112]剪切下觀察到孿晶界滑移主導(dǎo)的剪切變形行為(圖3C)。

1f7e1b22-00fe-11ed-ba43-dac502259ad0.png

圖3.幾何形貌對孿晶界變形機制的影響。(A1-A3)具有理想表面的Au納米晶體在[101]-剪切加載下發(fā)生孿晶界滑移。(B1-B3)鋸齒狀納米孿晶在[112]-剪切加載下孿晶界發(fā)生遷移和退孿生。(C1-C3)孿晶片層尺寸的不均勻性導(dǎo)致[112]-剪切加載下發(fā)生孿晶界滑移。

研究人員進一步考察了不同加載方向?qū)\晶界塑性變形能力的影響。除了平行于孿晶界平面的剪切加載,孿晶界在不同方向的單軸拉伸加載下(孿晶界與拉伸方向的夾角為φ),仍然能保持一定程度的滑移變形能力。然而,當(dāng)拉伸方向與孿晶界的夾角增大至趨于正交時,Au從孿晶界滑移主導(dǎo)的變形轉(zhuǎn)變?yōu)榱鸭y沿孿晶界的形核與快速擴展。在此基礎(chǔ)上,本文對比考察了預(yù)置裂紋沿孿晶界擴展和誘發(fā)位錯形核的臨界應(yīng)力,并提出了定量描述孿晶塑性變形加載方向依賴性的剪切因子χ,與實驗中孿晶界滑移-裂紋擴展的轉(zhuǎn)變完全吻合(圖4),由此建立了取向依賴的孿晶界本征塑性變形-脆性斷裂轉(zhuǎn)變機理圖。

1fbf6cc6-00fe-11ed-ba43-dac502259ad0.png

圖4.取向依賴的孿晶界本征塑性變形與剪切因子χ曲線。

本文基于原位力學(xué)測試、多尺度模擬和理論計算,揭示了金屬納米晶體中孿晶界的本征剪切變形能力,系統(tǒng)研究了納米晶體幾何形貌、加載方向?qū)\晶界滑移機制的影響,構(gòu)建了取向依賴的孿晶界滑移-脆性斷裂轉(zhuǎn)變機理圖,對深入理解孿晶界的塑性變形能力、提升金屬納米材料的塑性變形能力具有重要指導(dǎo)意義。

本工作得到了國家自然科學(xué)基金委的資助。祝祺博士、博士生孔令一和盧海明為論文共同一作,浙江大學(xué)王江偉研究員、周昊飛研究員和美國佛蒙特大學(xué)Frederic Sansoz教授為論文通訊作者,張澤院士、楊衛(wèi)院士對本工作提出了寶貴的指導(dǎo)意見。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    1435

    瀏覽量

    37590
  • 納米
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    730

    瀏覽量

    42431

原文標(biāo)題:文章轉(zhuǎn)載|浙大《Science》子刊:原位TEM揭示金屬納米晶體中孿晶界的本征剪切變形能力!

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    海綿壓縮變形試驗機高頻加載的數(shù)據(jù)采集滯后補償技術(shù)

    一、數(shù)據(jù)采集滯后的核心成因與影響 高頻加載時,海綿壓縮變形試驗機采集滯后源于信號傳輸、轉(zhuǎn)換及處理的時間差。傳感器信號經(jīng)傳輸、模數(shù)轉(zhuǎn)換耗時高頻被放大,且控制系統(tǒng)運算速度難匹配
    的頭像 發(fā)表于 02-24 09:21 ?237次閱讀
    海綿壓縮<b class='flag-5'>變形</b>試驗機高頻<b class='flag-5'>加載</b><b class='flag-5'>下</b>的數(shù)據(jù)采集滯后補償技術(shù)

    納米級Ag+摻雜:破解固態(tài)電池鋰枝侵入難題

    固態(tài)電池中的鋰枝侵入限制了快充能力并導(dǎo)致短路,然而其潛在的調(diào)控機制尚不完全明晰。以脆性固體電解質(zhì)為核心的固態(tài)電池中,機械缺陷(包括表面納米裂紋以及內(nèi)部空隙和
    的頭像 發(fā)表于 01-29 18:04 ?130次閱讀
    <b class='flag-5'>納米</b>級Ag+摻雜:破解固態(tài)電池鋰枝<b class='flag-5'>晶</b>侵入難題

    誰更有效?解碼焊球剪切與鍵合點拉力測試的真實對比

    ℃的高溫環(huán)境進行了長達(dá)2688小時(約112天)的加速老化試驗。研究人員通過定期取樣,分別進行剪切測試和拉力測試,系統(tǒng)追蹤了金-鋁界面長期熱應(yīng)力
    發(fā)表于 01-08 09:46

    拉力測試過關(guān),產(chǎn)品仍會失效?揭秘不可替代的半導(dǎo)體焊球-剪切測試

    、 新技術(shù)與新材料的應(yīng)用評估 隨著先進封裝技術(shù)和新型鍵合材料的不斷涌現(xiàn),傳統(tǒng)的拉力測試標(biāo)準(zhǔn)可能不再適用。剪切測試在這種情況能夠提供更準(zhǔn)確的性能評估。 實際應(yīng)用中,建議建立分層的測試策略,日常監(jiān)控以拉力
    發(fā)表于 12-31 09:09

    Linux內(nèi)核模塊的加載機制

    內(nèi)核模塊是什么? 內(nèi)核模塊是動態(tài)加載到內(nèi)核中的代碼,可以不重啟系統(tǒng)的情況擴展功能,比如設(shè)備驅(qū)動或者文件系統(tǒng)支持。這樣用戶不需要把所有功能都編譯進內(nèi)核,節(jié)省了資源,提高了靈活性。 模塊的文件格式
    發(fā)表于 11-25 06:59

    HCI杭電子:探索晶體材料奧秘

    如何具體影響振頻率的奧秘。晶體材料的關(guān)鍵物理特性一、彈性常數(shù)晶體材料的彈性常數(shù)決定了材料受到外力作用時如何變形。彈性常數(shù)越大,材料
    的頭像 發(fā)表于 09-29 09:59 ?567次閱讀
    HCI杭<b class='flag-5'>晶</b>電子:探索<b class='flag-5'>晶體</b>材料奧秘

    淺談Sn-Bi-Ag低溫錫膏的強化機制

    Sn-Bi-Ag低溫錫膏的強化機制是一個多因素協(xié)同作用的過程,以下從各機制的具體作用、研究案例及數(shù)據(jù)支持、協(xié)同效應(yīng)三個角度進行詳細(xì)闡述:
    的頭像 發(fā)表于 08-13 09:08 ?646次閱讀

    基于納米流體強化的切割液性能提升與圓 TTV 均勻性控制

    摘要:本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:12 ?548次閱讀
    基于<b class='flag-5'>納米</b>流體強化的切割液性能提升與<b class='flag-5'>晶</b>圓 TTV 均勻性控制

    軟磁材料的性能探索與應(yīng)用前景

    現(xiàn)代電子技術(shù)蓬勃發(fā)展的進程中,高性能軟磁材料的需求呈爆發(fā)式增長。軟磁材料這個大舞臺上,非軟磁材料和納米軟磁材料是相當(dāng)耀眼的 “潛力股
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:56 ?985次閱讀
    非<b class='flag-5'>晶</b>軟磁材料的性能探索與應(yīng)用前景

    高頻變壓器材料新解:納米的渦流損耗逆襲之路

    通過帶材做薄納米,可以降低渦流損耗。原因有二:一、納米做薄可以減小磁場的趨膚效應(yīng);二、納米
    的頭像 發(fā)表于 07-08 18:24 ?992次閱讀

    從原理到應(yīng)用:全方位解讀電子系統(tǒng)中的奧秘

    、壓電效應(yīng) 振的核心原理是壓電效應(yīng)。當(dāng)在晶體上施加壓力時,晶體內(nèi)部會產(chǎn)生電荷;反之,當(dāng)在晶體上施加電場時,晶體會產(chǎn)生機械
    的頭像 發(fā)表于 06-30 10:29 ?939次閱讀

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    %。 振蕩器測試結(jié)果表明,施加最大應(yīng)變的情況,新版圖的性能與 A14 和 2 納米設(shè)計相當(dāng)甚至更高。沒有應(yīng)變的情況,驅(qū)動電流下降了約
    發(fā)表于 06-20 10:40

    MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對圓 TTV 厚度的影響機制及測量優(yōu)化

    與良品率,因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測量方法意義重大。 影響機制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 金屬陽極像素制作時,諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會引入工藝應(yīng)力。光刻中,光刻膠的涂覆與曝光過程會因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段,蝕刻氣體
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:43 ?748次閱讀
    MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對<b class='flag-5'>晶</b>圓 TTV 厚度的影響<b class='flag-5'>機制</b>及測量優(yōu)化

    晶體AR/VR設(shè)備中的作用

    AR/VR 的奇妙世界里,每一次精彩呈現(xiàn)都離不開精準(zhǔn)頻率的技術(shù)支撐。晶體振,作為 AR/VR 設(shè)備的核心元件,在其中默默發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:30 ?3716次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體</b><b class='flag-5'>晶</b>振<b class='flag-5'>在</b>AR/VR設(shè)備中的作用

    安泰電壓放大器變形機翼縮比模型主動變形實驗中的應(yīng)用

    計算結(jié)果,本章將針對仿真結(jié)果,把理論運用于實踐,地面實驗中加載不同大小的電壓,考察縮比模型主動變形的情況,作為模擬仿真的驗證,證明仿真計算方法的可行性和可信性。同時風(fēng)洞實驗中探索M
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:59 ?617次閱讀
    安泰電壓放大器<b class='flag-5'>在</b>可<b class='flag-5'>變形</b>機翼縮比模型主動<b class='flag-5'>變形</b>實驗中的應(yīng)用