納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)（滿足AEC-Q100標準）和工規(guī)兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。

一、帶保護功能的智能隔離單管驅(qū)動（NSI6611A/NSI6651A）

產(chǎn)品特性

1. 超強驅(qū)動能力，可以提供最大10A的拉灌電流能力，支持軌到軌輸出和分離輸出

2. 完善的保護功能：DESAT短路保護、故障軟關(guān)斷、彌勒鉗位、欠壓保護；短路故障或欠壓發(fā)生時，還能通過單獨的引腳報告進行反饋

3. 輸入與輸出端均采用雙電容增強隔離技術(shù)，外加納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù)，最小共模瞬變抗擾度（CMTI）高達150kV/μs，提高了系統(tǒng)的魯棒性

4. 驅(qū)動器側(cè)電源電壓VCC2最大為32V，輸入側(cè)VCC1為3V至5.5V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）

5. 極低的傳輸延時，低至80ns

6. NSi6611支持ASC特色的功能，可在緊急情況下強制輸出為高

7. 工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

8. 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16

功能框圖：

NSi66x1A 超強驅(qū)動能力，有效節(jié)約外圍電路

在大功率的應(yīng)用中，用戶一般會選擇如IGBT和SiC這樣的大功率管子，因而功率管的Qg也會更大，對產(chǎn)品驅(qū)動電流能力的要求變得更高了。

NSi66x1A能夠提供最大10A的拉罐電流能力，比起傳統(tǒng)方案，不需要額外的Buffer 電路，即可直接驅(qū)動大功率的管子。節(jié)省了Buffer電路的費用和PCB的體積，同時還不需要額外的電路做匹配，增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。此外，NSi66x1A內(nèi)部集成彌勒鉗位，支持分離輸出，使用簡單，外圍器件更少，凸顯性價比。

NSi6611A 支持ASC功能

什么是ASC?

ASC即主動短路（Active short circuit，簡稱ASC），是電機系統(tǒng)的一種安全保護機制，是將電機的UVW三相短路（通過?對功率管的開關(guān)，實現(xiàn)上三橋臂短路或下三橋臂短路）。

NSi6611A支持ASC功能，可以在電機處于轉(zhuǎn)速過高，或者突然發(fā)生制動等其他異常時，通過三相短路的方式，讓電機內(nèi)耗電流，降低電機產(chǎn)生的反電動勢，使其不超過高壓電池提供的母線電壓，確保動力電池、母線電容及其它高壓器件不被損壞，從而保護電機和電氣系統(tǒng)。

NSi6611A pin1 引腳便是ASC 功能。如下ASC時序圖可以看到，即使在input是低電平，或者VCC1欠壓情況下，當pin1引腳電平是高電平時，ASC功能就會使能，OUT會強制輸出為高，打開功率管。當然，如果用戶不需要ASC 功能，則可以將NSi6611A pin1 引腳懸空，或者下拉到GND2。

為了實現(xiàn)系統(tǒng)的ASC功能，UVW三相下橋臂的管子驅(qū)動IC可以使用三顆NSi6611A，將其pin1 連接到一起，連接點命名為"ASC Trigger"，默認該點電壓是低電平。當系統(tǒng)檢測到故障時，如母線電壓過高時，外部觸發(fā)信號使"ASC Trigger"為高電平，這時三顆NSi6611會強制打開 UVW三相下橋臂的管子，實現(xiàn)電機下三橋臂短路，實現(xiàn)ASC功能。NSi6611A被外部觸發(fā)"ASC Trigger"為高電平到芯片OUT 強制輸出為高，時間為0.66us (tASC_r), 響應(yīng)迅速，及時保護系統(tǒng)。

二、帶彌勒鉗位功能的高可靠性隔離單管驅(qū)動

產(chǎn)品特性

1. 具有很強的驅(qū)動能力，可提供5A/5A的拉灌電流峰值電流

2. 集成彌勒鉗位功能，鉗位電流高達5A，有效抑制因為彌勒效應(yīng)致使管子誤開通，確保了系統(tǒng)的可靠性

3. 超高的共?？箶_能力：150 kV/us

4. 驅(qū)動器側(cè)電源電壓VCC2最大為32V，輸入側(cè)VCC1為3.1V至17V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）

5. 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOP8，SOW8

6. 工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

7. 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16

功能框圖：

NSi6601M：有效解決高壓高頻系統(tǒng)中高dv/dt

隨著第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET的興起，更高壓、更高頻、更小體積、更大功率的系統(tǒng)正成為新的發(fā)展趨勢。然而在高壓高頻的應(yīng)用中系統(tǒng)在運行過程中卻總是容易因為dv/dt過高，導(dǎo)致功率管子被燒壞。NSi6601M則能很好解決這一問題。

審核編輯：湯梓紅