隨著我們的設(shè)備變得更小、更快、更節(jié)能,并且能夠容納更多的數(shù)據(jù),自旋電子學可能會幫助延續(xù)這一趨勢。電子學是基于電子流的,而自旋電子學是基于電子的自旋。
電子具有自旋自由度,這意味著它不僅持有電荷,而且變現(xiàn)得像一塊小磁鐵。在自旋電子學中,一項關(guān)鍵任務(wù)就是使用電場來控制電子自旋,并在任何給定方向上轉(zhuǎn)換磁鐵的北極。
自旋電子場效應(yīng)晶體管利用了所謂的Rashba或Dresselhaus自旋-軌道耦合效應(yīng),這表明可以通過電場控制電子自旋。雖然該方法有望實現(xiàn)高效和高速計算,但在該技術(shù)真正發(fā)揮其效應(yīng)、實現(xiàn)微型化但仍功能強大,并具環(huán)保性之前,仍然必須克服某些挑戰(zhàn)。
幾十年來,科學家們一直試圖利用電場來控制室溫下的自旋,但實現(xiàn)有效控制一直是未能達成。最近倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的Jian Shi和Ravishankar Sundararaman以及加州大學圣克魯斯分校(University of California at Santa Cruz)的Yuan Ping領(lǐng)導的研究團隊在解決上述問題方面邁出了一步。
材料科學與工程副教授Shi博士表示:“大家都希望Rashba或Dresselhaus磁場足夠大,以使電子快速旋轉(zhuǎn)。如果磁場較弱,電子自旋會緩慢前進,并且需要花費太多時間來打開或關(guān)閉自旋晶體管。然而,如果內(nèi)部磁場布置不好,通常會導致電子自旋控制不佳?!?/p>
該團隊展示了,具有獨特晶體對稱性和強自旋-軌道耦合的鐵電范德華層狀鈣鈦礦晶體是一種很有希望的模型材料,用于實現(xiàn)室溫下的Rashba-Dresselhaus自旋物理。其非易失性和可重構(gòu)的自旋相關(guān)室溫光電特性可能激發(fā)一些重要設(shè)計原則的開發(fā),以制造出室溫自旋場效應(yīng)晶體管。
材料科學與工程副教授Sundararaman博士表示,模擬結(jié)果表明,這種材料可帶來令人興奮的結(jié)果。他表示:“材料內(nèi)部磁場同時很大,并且在一個方向上完全分布,這使得自旋可以按預(yù)期、完美地旋轉(zhuǎn)。這是使用自旋進行可靠傳輸信息的關(guān)鍵要求?!?/p>
Shi博士總結(jié)道:“這是向讓自旋晶體管實際面世邁出的重要一步?!?/p>
-
數(shù)據(jù)
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
7335瀏覽量
94776 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10396瀏覽量
147769 -
計算
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
460瀏覽量
39999
原文標題:如何在室溫下控制電子自旋
文章出處:【微信號:gh_961d148c74dc,微信公眾號:3DInCites中文】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
CGH40006P射頻晶體管
晶體管入門:BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應(yīng)管 #電子放大
基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
晶體管架構(gòu)的演變過程
晶體管光耦的工作原理
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
自旋晶體管進行可靠傳輸信息的關(guān)鍵要求
評論