英飛凌科技 SiC 高級總監(jiān) Peter Friedrichs 談到了SiC功率器件技術(shù)，重點(diǎn)關(guān)注器件設(shè)計、可靠性和系統(tǒng)效益等方面。根據(jù) Friedrichs 的說法，SiC 的價格仍然比硅高很多，這主要是由于襯底（晶圓）制造工藝及其較高的缺陷密度。然而，通過使用多個基板并降低缺陷密度，英飛凌能夠降低整體生產(chǎn)成本。

“在給定區(qū)域中可以放置的單元越多或通道寬度越多，設(shè)備的效率就越高；這也意味著最好的容量利用率是受青睞的概念，”弗里德里希斯說。

第一步，現(xiàn)在已經(jīng)在英飛凌的工廠生產(chǎn)，通過創(chuàng)新的冷裂技術(shù)實(shí)現(xiàn)，該技術(shù)可以有效地處理晶體材料，并最大限度地減少資源浪費(fèi)。如今，傳統(tǒng)線鋸浪費(fèi)高達(dá) 75% 的原材料，而已經(jīng)部署的 SiC 晶錠切割能夠?qū)⒃牧蠐p失減少 50%。在不久的將來，英飛凌將使用這項(xiàng)技術(shù)來分割整個 SiC 晶圓，從而使一個晶圓中的芯片數(shù)量增加一倍，如圖 1 所示。

圖 1：Cold Split 技術(shù)減少了 SiC 制造過程中的原材料損失。

在 SiC 平面 MOSFET 中，溝道電阻通常非常高。這意味著只有在柵極氧化物上施加明顯更高的電場時，才能實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻作為最終器件。今天，幾乎所有常見的 MOSFET 都有超過 3-MW/cm 的電場施加到柵極氧化物上。Planar 是一種相對簡單且便宜的加工工藝，可讓您在阻塞模式下實(shí)現(xiàn)對柵極氧化物的非常好的屏蔽。然而，它具有較低的通道遷移率和有限的器件面積縮小選項(xiàng)。另一方面是溝槽設(shè)計，它帶來了更低的導(dǎo)通電阻、更小的寄生電容和改進(jìn)的開關(guān)性能等好處。然而，缺點(diǎn)是由于較低的導(dǎo)通電阻而降低了短路容限。

“碳化硅系統(tǒng)的優(yōu)勢和價值主張，我們認(rèn)為是引人注目的和獨(dú)特的，包括太陽能逆變器-在保持體積和速率幾乎恒定的情況下顯著提高功率處理能力-電機(jī)驅(qū)動，和電動汽車充電，特別是超高功率充電高達(dá)350千瓦，非常高的電壓，非常高的電流和快速開關(guān)，”他說弗里德里希。

下一位發(fā)言者是美國電力公司（PowerAmerica）執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官維克托·維利亞迪斯（Victor Veliadis），他談到了碳化硅市場前景和一些關(guān)鍵應(yīng)用。功率器件是能夠切換高電流和阻斷高電壓的大型離散晶體管。碳化硅和氮化鎵的臨界電場和能隙遠(yuǎn)高于硅。因?yàn)閾舸╇妷号c臨界電場成反比，如果我們將臨界電場增加十倍，漂移層的厚度將變小10倍，從而降低我們正在制造的器件的電阻。對于特定的擊穿電壓，電阻將與臨界電場的逆三次方成比例。因此，如果我們有一個10×更大的臨界電場，那么這一層的電阻貢獻(xiàn)將小1000×更小。

Veliadis說：“大的臨界電場可以讓你制造出比硅更薄的高壓器件?！?。“這減少了電阻、相關(guān)的傳導(dǎo)損耗和總電容。這使你能夠在更高的頻率和溫度下工作，效率更高，并簡化了許多磁路、體積和重量。”

雖然硅在低電壓（高達(dá)650 V）下仍具有競爭力，但SiC和GaN在更高電壓下提供了高效的高頻和大電流操作。硅、碳化硅和氮化鎵之間的大戰(zhàn)場在650伏左右，所有設(shè)備都適用于400伏電動汽車總線電壓。

“看看一些機(jī)會，第一個是電動汽車的汽車，”Veliadis 說?！坝糜跀?shù)據(jù)中心的 UPS 是碳化硅可以發(fā)揮重要作用的另一個重要領(lǐng)域。其他應(yīng)用包括綠色基礎(chǔ)設(shè)施——基本上是光伏和風(fēng)能——電動機(jī)驅(qū)動、微電網(wǎng)和快速充電站。這就是需要 6.5 kV 和 10 kV MOSFET 的地方?！?/p>

到 2025 年，SiC 器件市場預(yù)計將達(dá)到 32 億美元，多年來的復(fù)合年增長率驚人，高達(dá) 50%。

寬帶隙器件可以是橫向或縱向配置（見圖 2）。漏極和柵極之間的距離越大，器件可以承受的擊穿電壓就越高。但是，如果我們將這個距離增加這么多，設(shè)備會在晶圓上占用過多的空間，從而增加整體成本。解決方案是垂直。我們不是在水平方向上設(shè)置一個大的柵極來進(jìn)行排水分離并占用晶圓上的空間，而是在垂直方向上這樣做。這就是絕大多數(shù) SiC 器件采用垂直配置的原因。

圖 2：橫向與縱向配置

田納西州諾克斯維爾橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室 （ORNL） 車輛和移動系統(tǒng)研究部門負(fù)責(zé)人 Burak Ozpineci 介紹了電動汽車的電力電子設(shè)備。“我們?nèi)匀粚Ｗ⒂诩冸妱悠?，并著眼于超?200 英里范圍、具有 60 千瓦時或更高能量存儲的電動汽車，”他說?！拔覀兡壳罢谘芯繉㈦姍C(jī)和電力電子設(shè)備集成到底盤內(nèi)的方法。”

ORNL 的路線圖定義了實(shí)現(xiàn) 2025 年目標(biāo)的途徑，其中包括提高功率密度、功率水平和車輛可靠性/壽命，將每千瓦的總成本減半。Ozpineci 介紹了 ORNL 在該領(lǐng)域開發(fā)的五個主要關(guān)鍵項(xiàng)目：

尋找有助于我們實(shí)現(xiàn)更高功率密度的技術(shù)。這些技術(shù)包括新材料和基板（例如插入熱解石墨或直接鍵合銅的絕緣金屬基板）、用于散熱器優(yōu)化的遺傳算法以及減小直流母線電容器的體積。

電動機(jī)的新拓?fù)洹Ｒ驗(yàn)?ORNL 配備了超級計算機(jī)設(shè)施，所以它可以用來生成電機(jī)的高保真模型，例如外轉(zhuǎn)子電機(jī)，定子在里面，轉(zhuǎn)子在外面。

外轉(zhuǎn)子電機(jī)將逆變器直接集成到電機(jī)中，省去了連接器和長電纜，并將電機(jī)尺寸減小多達(dá) 30%。這是第三個重點(diǎn)項(xiàng)目；也就是集成電驅(qū)動。

中型和重型電力驅(qū)動。該項(xiàng)目旨在將研究領(lǐng)域從乘用車電驅(qū)動和零部件技術(shù)擴(kuò)展到中型和重型電驅(qū)動。這意味著更高電壓的電池（1，000–1，500 V）、更高的電流水平和更高的充電功率要求（大于 1 MW）。

無線充電。目前，該研究的重點(diǎn)是 200 kW 以上的固定或靜態(tài)無線充電。目標(biāo)是達(dá)到 270 kW，這是只有 SiC 器件才能實(shí)現(xiàn)的功率水平，同時還考慮動態(tài)無線充電。

北卡羅來納州立大學(xué)的 Iqbal Husain 談到了驅(qū)動電動汽車高速電機(jī)的寬帶隙電力電子設(shè)備。電動動力系統(tǒng)中使用的四個主要功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域是逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、為低壓電子設(shè)備供電的轉(zhuǎn)換器和車載充電器。因此，SiC 器件提供了這個機(jī)會，可以在各種轉(zhuǎn)換器中使用更小、更冷和更輕的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)更小的電池或更長的行駛里程。

“在所有這些領(lǐng)域，都有使用碳化硅器件的機(jī)會，因?yàn)樗鼈冊诳捎眯院蜕虡I(yè)生產(chǎn)方面的進(jìn)步和所處的階段，”侯賽因說?！拔覀兊淖罱K目標(biāo)是提高效率和功率密度?！?/p>

了審核編輯：郭婷