半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?a target="_blank">電源應(yīng)用的硅替代品的要求越來(lái)越高：

硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高，無(wú)法達(dá)到 SiC（碳化硅）提供的 >99% 的轉(zhuǎn)換效率。這允許在電動(dòng)汽車和所有其他應(yīng)用中保持電池的自主性，以減少電力電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量和構(gòu)建的模塊的整體尺寸。

由于開關(guān)頻率較低，使用硅 FET 進(jìn)行轉(zhuǎn)換所需的磁性變壓器的重量和尺寸太高，實(shí)際上，在達(dá)到并超過(guò) 2 Mhz 的 GaN 轉(zhuǎn)換器中，變壓器的重量和尺寸減小了許多倍達(dá)到兩位數(shù)……為所有關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用開辟了新的視野。

SiC 和 GaN 器件的供應(yīng)使 SEMI 世界的多家廠商（意法半導(dǎo)體、英飛凌、Cree、ROHM、ON Semi 等）獲得了技術(shù)領(lǐng)先和創(chuàng)新發(fā)展。

汽車、工業(yè)、航空航天和國(guó)防終端市場(chǎng)——芯片真正的“增長(zhǎng)杠桿”——通過(guò)在其電源管理產(chǎn)品中應(yīng)用 SiC 和 GaN 器件實(shí)現(xiàn)了巨大的好處，因此，傳統(tǒng)硅 FET 器件的使用正在成為過(guò)時(shí)的。

此外，按照半導(dǎo)體芯片路線圖，分立式 SiC 和 GaN 器件正逐漸集成到復(fù)雜的片上系統(tǒng)中。

那些主宰這些技術(shù)的人，有可能獲得特定的發(fā)展，并因此通過(guò)這項(xiàng)創(chuàng)新獲得強(qiáng)勁的發(fā)展！

然而，在使用這些最近推出的技術(shù)時(shí)，需要處理一些尚未解決的問(wèn)題，例如高成本，尤其是低可靠性！

Eles是一家意大利公司，在向零缺陷的可靠性改進(jìn)領(lǐng)域擁有 30 多年的經(jīng)驗(yàn)，其 RETE（可靠性嵌入式測(cè)試工程）能夠支持 SiC 和 GaN 參與者，以識(shí)別缺陷驅(qū)動(dòng)因素，提出將它們從生產(chǎn)過(guò)程中去除的行動(dòng)，以快速達(dá)到 99% 或更高的生產(chǎn)良率，支持降低產(chǎn)品成本并確保所需的可靠性水平，有助于降低終端市場(chǎng)的擴(kuò)散障礙。

Eles 正在利用 RETE 提供的關(guān)于這些設(shè)備的資格，試驗(yàn)添加特定測(cè)試，能夠解決各種可靠性問(wèn)題并找出最關(guān)鍵的故障，這些故障提供有關(guān)缺陷原因的信息，有助于將其移除，保證其生產(chǎn)工藝符合AEC-Q101，產(chǎn)品零缺陷。

“通過(guò)我們的產(chǎn)品獲得支持 SiC 和 GaN 參與者的機(jī)會(huì)，這意味著 Eles 能夠充分利用該應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)成的開發(fā)杠桿。Eles 的總裁 Antonio Zaffarami 說(shuō)：“Eles 不僅與第一批玩家合作，而且正在建立所有參考資料，以便與所有其他 SiC 和 GaN 玩家一起進(jìn)入大門?！?/p>

他表示：“在過(guò)去的幾年里，我們一直是產(chǎn)品和賽道開放技術(shù)（例如支持駕駛和自動(dòng)駕駛的新型復(fù)雜 ADAS 設(shè)備）零缺陷認(rèn)證和可靠性改進(jìn)的主角，其中 Eles 解決方案現(xiàn)在是最佳實(shí)踐. 現(xiàn)在我們想成為碳化硅和氮化鎵的Qualification和TDBI的參考，所以可以說(shuō)Eles RETE是以下行業(yè)的認(rèn)證參考解決方案：SoC Smart Power – SoC Micro – ADAS – MEMs – Memory – SiC &氮化鎵”。

審核編輯 黃昊宇