GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管（HEMT）和600V HEMT混合串聯(lián)開(kāi)關(guān)。當(dāng)然現(xiàn)在也有800V以上的一些應(yīng)用也是用GaN材料的。在這些應(yīng)用中需要選用高壓差分探頭進(jìn)行測(cè)試。

SiC材料測(cè)試中高溫測(cè)試需求增多，需要寬溫度范圍的探頭。

SiC材料主要偏向高壓的應(yīng)用。因其具有承受高溫（300℃左右溫度是沒(méi)有問(wèn)題的）的特點(diǎn)主要應(yīng)用場(chǎng)景是在汽車(chē)和光伏逆變器等領(lǐng)域。這些器件的應(yīng)用會(huì)對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)有很大的改進(jìn)。

綜上所訴，針對(duì)寬禁帶材料功率器件的測(cè)試，我們需要的是包括示波器、示波器探頭以及測(cè)試軟件的一套完整的測(cè)試系統(tǒng)。其中，對(duì)示波器探頭的具體要求如下：

01電氣性能符合要求-帶寬、輸入電壓范圍(單端還是差分)、低噪聲、高輸入阻抗以及高共模抑制比；

02探頭前端滿足規(guī)范要求；

03探頭易用性；

04探頭有沒(méi)有過(guò)載保護(hù)；

05溫度范圍滿足規(guī)范要求，例如汽車(chē)測(cè)試需要在85℃左右；

06高共模抑制比，防止共模信號(hào)對(duì)輸出有影響；

對(duì)于電源工程師來(lái)說(shuō)，除了器件本身的測(cè)試之外，更關(guān)注器件在電路板中的性能，例如器件在工作過(guò)程中Vds電壓以及損耗。器件損耗的原因主要有兩個(gè)方面：（1）耐壓擊穿；（2）損耗。在測(cè)試過(guò)程中需要注意的幾個(gè)問(wèn)題是：

器件損耗測(cè)試注意的問(wèn)題

除了以上提到的問(wèn)題，浮地測(cè)量時(shí)地的選取以及不能和損耗&SOA同時(shí)測(cè)試也是需要我們注意的問(wèn)題。

以上就是測(cè)試GaN材料MOSFET管對(duì)高帶寬高壓差分探頭要求的相關(guān)介紹，如您使用中還有其他問(wèn)題，歡迎登錄西安普科電子科技。

審核編輯：湯梓紅