1、直流參數(shù)不用講非常重要：

1.1耐壓BVDSS(給流測(cè)壓，一般是250uA或1mA各測(cè)試一次，這樣2次差值就可以看到一個(gè)耐壓比率)，

1.2IDSS(是給額定電壓測(cè)試漏電流，一般測(cè)試2次，第一次給額定耐壓值測(cè)電流，最后再測(cè)0.8倍額定值，再測(cè)1次電流，這2次值差值也可以看出一個(gè)漏電比率），

1.3GS極之間耐壓IGSS（也是給壓測(cè)流，一般是nA級(jí)別，如果帶ESD保護(hù)就是uA級(jí)別漏電），

1.4開(kāi)啟電壓VTH（是給電流測(cè)電壓，一般也是250uA和1mA這2個(gè)條件下，如果有并聯(lián)使用注意此參數(shù)誤差不要太大），

1.5導(dǎo)通阻抗RDSON（是讓DS極導(dǎo)通測(cè)試DS極間電阻，一般測(cè)試2個(gè)開(kāi)啟電壓值時(shí)候阻抗，一般VGS=10V或VGS=4.5V時(shí)候，這兩個(gè)值差值可以看出這個(gè)MOS管導(dǎo)通線性情況），

1.6反方向二極VFSD值（體二級(jí)管，制造時(shí)候寄生產(chǎn)生），

1.7跨導(dǎo)GFS（DS導(dǎo)通能電流變化能力）。

2、動(dòng)態(tài)參數(shù)：

2.1雪崩EAS（主要看元件對(duì)抗感性環(huán)境能力沖擊一般檔位是mJ,豪焦，這個(gè)電感是是變動(dòng)的，電感越小 電流越大)，

2.2 G極等效電阻和電容RG/CISS（這個(gè)參數(shù)影響MOS管開(kāi)關(guān)速度，有多管匹配時(shí)候開(kāi)啟一致性，由次參數(shù)影響），

2.3TON/TOFF（開(kāi)關(guān)時(shí)間，這個(gè)參數(shù)多MOS匹配使用時(shí)候也要注意），

2.4柵極充電電荷QG（G極電荷驅(qū)動(dòng)能力），

2.5熱阻DVDS封裝可靠性檢查（主要是利用MOS管寄生體二極管過(guò)大電流后發(fā)熱，由于不同散熱條件影響VF值變化，差異判斷）。

3、HBV全塑封的漏電。

審核編輯 黃昊宇